馬蘭戈尼干燥技術(shù),華林科納已成功應用
半導體器件、集成電路、光學器件制作工藝取得了長足進步;以下就是幾種干燥技術(shù)的簡單介紹。
離心甩干技術(shù)
離心甩干是通過外力使晶片短時間內(nèi)達到高速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài),晶片表面的水受到離心力作用而從表面消失的干燥技術(shù)。
在甩干過程中,影響甩干效果的因素有很多,如轉(zhuǎn)速的設置, 氮氣的流量,排氣通路的設計、腔體的密閉性和旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的共振等。
IPA干燥
IPA干燥是一種利用 IPA (異丙醇)加熱汽化、蒸發(fā)及表面張力作用達到脫水干燥目的的技術(shù),其工作原理如下圖所示。
Marangoni干燥
這是基于 Marangoni 效應發(fā)展起來的干燥技術(shù)。典型的 Marangoni 干燥過程如下圖所示。晶片進入干燥系統(tǒng)后,在水槽內(nèi)溢流。由氮氣攜帶 IPA 氣體充滿系統(tǒng),在水面上形成 IPA 氣體環(huán)境。隨后晶片與水面緩慢脫離(可通過晶片提拉上升或緩慢排水兩種方式實現(xiàn)) 由于 IPA 的表面張力比水小得多(25 ℃下,IPA 表面張力為 20.9×10-3 N/m;水的表面張力為 72.8×10-3 N/m),所以會在坡狀水流表層形成表面張力梯度,產(chǎn)生 Marangoni 對流,水被“吸回”水面,如下圖所示。
雖然同樣是 IPA 干燥,但是 Marangoni 干燥與 IPA Vapor 干燥有本質(zhì)的不同,前者是通過表面張力梯度將水拉回水面,后者則是靠水的蒸發(fā)。 相比于IPA Vapor 干燥 ,Marangoni 干燥IPA 用量很少,且能夠克服深窄溝渠的脫水困難,比較適合直徑 150 mm ( 6 英寸) 以上晶片的干燥。Marangoni 干燥存在的問題是晶片易出現(xiàn)水痕缺陷,晶片與晶舟接觸處、晶片下方是常見的水痕區(qū)域 。為消除水痕缺陷,這類設備中一般配備簡易晶舟,以減少晶片與晶舟的接觸面積,另外,采用溫水浴、超聲波震蕩 IPA Bub- bler 和變速提拉等也是常用的消除水痕缺陷的手段。
馬蘭戈尼IPA干燥機運用了氣化異丙醇(IPA)裝置、N2供給裝置,同時配置流量計檢測IPA和N2的使用量等裝置。該干燥機可以單獨使用,也可以集成于濕法清洗設備內(nèi)部,以達到干進干出的效果,作為濕制程設備專業(yè)研發(fā)制造商,華林科納半導體設備公司對Marangoni 干燥方式的設備有豐富產(chǎn)線使用驗證經(jīng)驗。
審核編輯:湯梓紅
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