新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C適用便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)

隨著系統(tǒng)復(fù)雜性不斷增加，包括多個(gè)數(shù)學(xué)函數(shù)和算法的復(fù)雜代碼也隨之增加，片上存儲(chǔ)器內(nèi)存容量可能不足，故便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲(chǔ)空間，以便設(shè)計(jì)人員使用外部存儲(chǔ)器來(lái)增加內(nèi)部存儲(chǔ)器的空間。

以下是一個(gè)典型的便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)，其系統(tǒng)考慮因素如下：●系統(tǒng)每100ms捕獲并記錄128位采樣數(shù)據(jù)；●系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲和處理時(shí)間為5ms，工作電流為7mA（不包括向存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)時(shí)的電流消耗），數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)捕獲和處理期間保持待機(jī)或低功耗模式；●當(dāng)捕獲日志被寫入到存儲(chǔ)器時(shí)，系統(tǒng)和存儲(chǔ)器都變?yōu)楣ぷ鳡顟B(tài)；●假設(shè)系統(tǒng)待機(jī)電流為1μA；●當(dāng)單片機(jī)內(nèi)核以12兆赫茲的頻率運(yùn)行時(shí)，系統(tǒng)有5%的時(shí)間處于工作狀態(tài)；●便攜式系統(tǒng)采用3V、1400mAh的LR03電池

對(duì)于這種應(yīng)用而言，拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C消耗的功耗較EEPROM顯著降低。

極低功耗深度待機(jī)模式和休眠模式可進(jìn)一步改善功耗，從而進(jìn)一步延長(zhǎng)設(shè)備的電池使用壽命?？煽偨Y(jié)優(yōu)勢(shì)如下：

（1）VFRAM PB85RS128C的寫入周期耐久度是

1E7，

這樣的耐久度使設(shè)備能夠記錄更多的數(shù)據(jù)，無(wú)需執(zhí)行復(fù)雜的損耗均衡算法，無(wú)需提供過(guò)多的額外容量。

（2）PB85RS128C工作電壓

2.7V至3.6V，

工作電流

5mA

(最大值＠25兆赫茲)，可支持低功耗待機(jī)模式，而且不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，將功耗降低若干個(gè)數(shù)量級(jí)。

（3）PB85RS128C的

即時(shí)非易失性

允許便攜式和植入式醫(yī)療系統(tǒng)以及其它的電池供電系統(tǒng)完全關(guān)閉電源，或更快地將系統(tǒng)切換至低功耗待機(jī)模式，可顯著延長(zhǎng)系統(tǒng)的電池使用壽命。

（4）

由于

PB85RS128C執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作性能佳，可以

兼顧易用性、性能和成本

幾個(gè)方面，對(duì)于便攜式刺激設(shè)備來(lái)說(shuō)，適用度非常高。

作為存儲(chǔ)器技術(shù)，PB85RS128C擁有支持高頻率數(shù)據(jù)記錄操作的耐久度，同時(shí)還能降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)效率，并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

芯片完美替代賽普拉斯FM25V01-G和富士通MB85RS128B。

采用PB85RS128C的方案設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的高可靠性與安全性，并在整體方案架構(gòu)上省去用于EEPROM掉電保護(hù)的大電容，從而有效地降低系統(tǒng)整體的BOM成本。

審核編輯 黃昊宇