MOS管各項參數(shù)分別是什么含義

在金譽半導(dǎo)體的產(chǎn)品列表中，每個產(chǎn)品都有很多參數(shù)，密密麻麻的參數(shù)不清楚究竟表達(dá)了什么意思，那今天來看看MOS管的產(chǎn)品參數(shù)分別是什么含義呢？

中文部分的不用過多解釋，接觸過半導(dǎo)體行業(yè)的人一般都能理解，所以今天著重解釋一下英文部分的參數(shù)含義（金譽半導(dǎo)體官網(wǎng)目前只展示了部分重要參數(shù)）。

Vds

也就是電壓，這是MOS管極限參數(shù)表示MOS管漏極與源極之間的最大電壓值。值得注意的是，該參數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，通常結(jié)溫越高，該值最大。

Rds(on)

漏源導(dǎo)電阻，表示MOS管在一定條件下導(dǎo)通時，泄漏極之間的導(dǎo)通電阻。這個參數(shù)和MOS管結(jié)溫，驅(qū)動電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds驅(qū)動電壓越高，Rds越小。

Id

漏極電流通常有幾種不同的描述方法。根據(jù)工作電流的形式，連續(xù)泄漏電流和一定脈寬的脈沖泄漏電流(Pulsed drain current)。這個參數(shù)同樣是MOS管一個極限參數(shù)，但這個最大電流值并不意味著泄漏電流可以在運行過程中達(dá)到這個值。這意味著當(dāng)殼體溫度在一定值時，如果MOS管如果工作電流為上述最大泄漏電流，結(jié)溫將達(dá)到最大值。因此，該參數(shù)還與設(shè)備包裝和環(huán)境溫度有關(guān)。

Vgs

這也是柵源最大的驅(qū)動電壓MOS管極限參數(shù)表示MOS管一旦驅(qū)動電壓超過這個極限值，即使在很短的時間內(nèi)，也會對柵極氧化層造成永久性傷。一般來說，只要驅(qū)動電壓不超過極限，就不會有問題。然而，在某些特殊情況下，由于寄生參數(shù)的存在，它將是正確的Vgs需要特別注意電壓的不可預(yù)測影響

Idm

最大脈沖DS電流.它會隨著溫度的升高而降低，反映抗沖擊性，這也與脈沖時間有關(guān)

Pd

最大耗散功率

Tj

最大工作溫度通常為150度和175度

Tstg

最大存儲溫度

Iar

雪崩電流

gfs

跨導(dǎo)，是指泄漏電極輸出電流與柵源電壓變化之比，是柵源電壓控制泄漏電流的能力。

Qg

在驅(qū)動信號的作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是說，MOS管驅(qū)動電路從截止?fàn)顟B(tài)到完全導(dǎo)通狀態(tài)所需的電荷是評估MOS管驅(qū)動電路驅(qū)動能力的主要參數(shù)。

Qgs

G總充電電量

Ear

重復(fù)雪崩擊穿能量

Eas

重復(fù)雪崩擊穿能量

BVdss

雪崩擊穿電壓

Idss

IDSS表示泄漏電流，柵極電壓VGS=0、VDS一定值時漏源，mA級

Igss

IGSS表示柵極驅(qū)動漏電流，越小越好，對系統(tǒng)效率影響較小，uA級的電流

Qgd

柵漏充電(考慮到Miller效應(yīng))電量

Td(on)

延遲時間，從輸入GS電壓上升到 10%，開始到 VDS 下降到其幅值 90%。

Tr

上升時間，輸出電壓 VDS 時間從90%下降到10%。

Td(off)

關(guān)閉延遲時間，從輸入GS電壓下降到 90%到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10%的時間。

Tf

下降時間，輸出電壓VDS時間從10%上升到90%

Ciss

輸入電容，Ciss=Cgd Cgs. 短接泄漏源，用交流信號測量的柵極與源極之間的電容為輸入電容。Ciss由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成。

Coss

輸出電容，Coss=Cds Cgd. 用交流信號測量的泄漏極與源極之間的電容器短接?xùn)旁?。Coss由漏源電容Cds并聯(lián)網(wǎng)源電容。

Crss

反向傳輸電容，Crss=Cgc.在源極接地的情況下，測量漏極與柵極之間的電容相當(dāng)于反向傳輸電容（Cgd越低越好）

最大額定參數(shù)

最大額確定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)

以上就是MOS管的各項參數(shù)所表示的含義，你們了解了嗎？如有遺漏，歡迎在評論區(qū)補充噢~

審核編輯：湯梓紅