碳化硅MOS管在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的應(yīng)用前景

自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后，整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒有停過，也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應(yīng)用，從而提高充電速度與續(xù)航里程?，F(xiàn)在，碳化硅MOS出了一系列750 V典型耐壓的，它希望能夠?qū)⒁郧皟H用于新能源車、太空飛船和高階工控技術(shù)引入消費(fèi)者的充電頭中。

最近幾年，氮化鎵以其高效、小尺寸、高密度快充而受到廣泛關(guān)注，這也給第三代半導(dǎo)體應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的號(hào)角吹響了號(hào)角，同樣作為第三代半導(dǎo)體的碳化硅MOS管，也從未出現(xiàn)在消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)品中，原因有三點(diǎn)：

一、 成本高；

二、其驅(qū)動(dòng)電壓比常規(guī)硅器件高，且與主流 PWM IC兼容性差，一般工控采用碳化硅MOS管時(shí)需加一個(gè)閘極驅(qū)動(dòng) IC；

三、在快速切換過程中，部分碳化硅器件存在嚴(yán)重 EMI問題。

要想把碳化硅MOS管應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，必須先解決上述三大難題。而現(xiàn)在推出的一款Falcon系列碳化硅MOS管，首先在 PWM IC常用的閘極驅(qū)動(dòng)電壓上進(jìn)行改進(jìn)和設(shè)計(jì)，使閘極驅(qū)動(dòng)電壓降到12 V，使其能夠與現(xiàn)有 PWM IC常用的閘極驅(qū)動(dòng)電壓相匹配。

同時(shí)，碳化硅 MOS管可以像采用類似于硅結(jié)構(gòu)的閘極驅(qū)動(dòng)方案那樣推動(dòng)，大大簡(jiǎn)化用戶設(shè)計(jì)和開發(fā)的難度和時(shí)間。在成本方面，這款碳化硅MOS管已經(jīng)完全優(yōu)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造成本，使它的價(jià)格不再遙不可及。對(duì)于65WPD快速充電方案，客戶在設(shè)備上的成本與碳化硅MOS管GaN設(shè)備相差不大。由于調(diào)試、驅(qū)動(dòng)和EMI處理相對(duì)簡(jiǎn)單，整體BOM可能會(huì)進(jìn)一步降低。

審核編輯：湯梓紅