“3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)!”這是臺積電總裁魏哲家在公司2022年技術(shù)論壇上透露的重磅信息之一。目前,世界上能掌握5納米芯片工藝技術(shù)的還只有臺積電和三星。而三星在3納米芯片上率先實現(xiàn)了量產(chǎn),似乎從工藝技術(shù)上實現(xiàn)了反超。
然而,臺積電和三星這對最大的競爭對手,仍然在先進芯片工藝技術(shù)上“內(nèi)卷”。正如魏哲家對外透露的信息那樣,2納米芯片工藝將成為新的技術(shù)戰(zhàn)場。據(jù)悉,臺積電2納米芯片將采用全新的nanosheet工藝,以保持在世界先進芯片工藝上的領(lǐng)先性。
透露的三大重磅信息
據(jù)悉,臺積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)。
其中,半導(dǎo)體制造三大改變主要體現(xiàn)在:一是光靠晶體管驅(qū)動技術(shù)效能提升已不足以滿足需求,需要三維集成電路(3D IC)先進封裝技術(shù)提升芯片效能;二是應(yīng)用端導(dǎo)入半導(dǎo)體元件含量將持續(xù)增加,并帶動成熟工藝需求增長,特別是汽車芯片每年都增加15%;三是供應(yīng)鏈從全球化向本土化、區(qū)域化的改變,全球各國都推出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策,吸引半導(dǎo)體企業(yè)在本土設(shè)廠,使得高效率的全球化供應(yīng)系統(tǒng)成為過去式,所有成本會急速增加,供應(yīng)鏈管理愈加重要。
盡管業(yè)界一直都在目前芯片供求關(guān)系上有一個共同的認知,即“芯片短缺是客觀存在的,但短缺并不包含中低端芯片,缺的都是類似7nm以下的高端芯片”,但魏哲家卻表示,目前價值50美分-10美元的低端芯片普遍短缺,而且低端芯片短缺正成為供應(yīng)鏈瓶頸。
當然,他也舉例以支撐其觀點。比如,荷蘭ASML難以獲得EUV光刻機使用的、價格10美元的芯片,導(dǎo)致設(shè)備無法按時出貨;50美分的無線電芯片短缺阻礙了價值5萬美元的汽車生產(chǎn);此前英偉達官方也曾表示,低端芯片如電源轉(zhuǎn)換器和收發(fā)器的短缺,致使公司得不到足夠的設(shè)備,這關(guān)系到公司能不能生產(chǎn)更多的數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。
對于先進芯片工藝,魏哲家表示,“臺積電5納米量產(chǎn)已進入第3年,累計生產(chǎn)200萬片,世界上沒有任何一家公司產(chǎn)量比臺積電多,也甚至沒有一家公司有超過臺積電一半的量?!睋?jù)透露,目前臺積電的技術(shù)每年都在進步,現(xiàn)在5納米家族成員還包括4納米、N4P納米、N4X納米。
魏哲家表示,“3nm確定在今年下半年量產(chǎn),但當初采用哪種工藝,考慮了很久,最終決定繼續(xù)使用FinFET。到2nm則采用全新的nanosheet工藝,將于2025年量產(chǎn)?!?/p>
臺積電3納米FinFET工藝有挑戰(zhàn)
目前摩爾定律續(xù)命的道路上有兩個阻礙:一是短溝道效應(yīng);二是量子隧穿。
相對而言,F(xiàn)inFET技術(shù)的優(yōu)勢在于緩解了短溝道效應(yīng)帶來的漏電問題和減小柵長度時帶來的輸出電阻問題,同時只需要把Fin的高度增加,就可以提高器件的驅(qū)動能力。因此,F(xiàn)inFET技術(shù)擊敗了自己的“孿生兄弟”FD SOI,成為了foundry的寵兒,扛起了引領(lǐng)IC產(chǎn)業(yè)進步的大旗。
不過,在芯片技術(shù)工藝進入個位數(shù)之后,F(xiàn)inFET遇到兩個難以解決的問題:1. 在有效柵長15nm,F(xiàn)in在5nm時,F(xiàn)inFET遇到了嚴重的靜電問題;2.隨著工藝節(jié)點不斷縮小,F(xiàn)inFET里面Fin的個數(shù)需要從兩個削減到一個,就會使得器件的工作性能降低,為了補償因為Fin個數(shù)損失的性能,需要把Fin的高度做得更高,但這會讓工藝更加復(fù)雜,器件也更加難以大規(guī)模集成。
為此,基于GAA工藝的各種結(jié)構(gòu)被不斷提出,進而取代FinFET,比如三星已基于GAA工藝實現(xiàn)3納米芯片的量產(chǎn)。
不同于三星3納米芯片采用的GAA工藝,臺積電仍會沿用FinFET技術(shù),主要考量是客戶在導(dǎo)入5納米制程后,采用同樣的設(shè)計即可導(dǎo)入3納米制程,可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品。之前有業(yè)界信息,臺積電3納米芯片預(yù)計今年三季度下旬開始投片量會大幅拉升,四季度則開始進入量產(chǎn)階段。不過,魏哲家表示,“3納米有說不出的困難,目前已快要量產(chǎn),客戶相當踴躍,且有許多客戶參與其中,但是工程能力有點不足,正盡量努力中?!?/p>
如何實現(xiàn)2納米芯片?
至于更先進的2納米芯片工藝,以及面對三星宣稱“到2030年超車臺積電,取得全球邏輯晶片代工龍頭地位”,臺積電自然不敢懈怠,且正積極投入2納米研發(fā),并獲得重大技術(shù)突破。
全環(huán)繞柵(gate-all-around:GAA)技術(shù)是FinFET技術(shù)的演進,是一種用來抑制短溝道效應(yīng)的技術(shù)。其實,GAA技術(shù)不是什么新鮮的技術(shù)。早在1990年,IMEC在開發(fā)抗輻射元器件時,為降低器件的氧化層厚度,提出了用高質(zhì)量的氧化層環(huán)繞硅膜的概念。這是GAA概念被首次提出。該器件在被制作出來之后,發(fā)現(xiàn)柵對于溝道的控制能力大大改善,器件工作性能得到極大優(yōu)化。但鑒于其工藝復(fù)雜且為非平面結(jié)構(gòu),受當時的半導(dǎo)體工藝所限,故該器件未進行大規(guī)模應(yīng)用。
不過,基于FinFET在3納米以下碰到的技術(shù)瓶頸,臺積電在2納米上必然會選擇切入GAA技術(shù)。
在公司技術(shù)論壇上,魏哲家表示,臺積電2納米技術(shù)和3納米技術(shù)相比,在相同功耗下,速度增快10-15%,或在相同速度下,功耗降低25-30%。同時,他也透露,臺積電2納米將用新的納米片(nanosheet)技術(shù),會在2025年量產(chǎn),屆時還是電晶體密度最小、效能最佳的先進制程技術(shù)。
“在3nm以下,很難再使得單個晶體管的性能再有提升,能做的只是提高集成度,降低功耗。”有專業(yè)人士表示。根據(jù)該專業(yè)人士分析,這種Nanosheet技術(shù)可以理解為柵極環(huán)繞多個溝道,多個溝道之間相互堆疊,以達到極佳的溝道控制能力。同時,為了進一步地增加集成度,還可能直接通過將晶體管堆疊,即把NMOS堆在PMOS上面,以此設(shè)計SRAM單元,可以減少高達50%的面積。
因此,從3納米到2納米,我們也不必過于神化先進工藝帶來的變化。很多人都會相信,不管我們怎樣續(xù)命,摩爾定律總會有終結(jié)的一天,畢竟一個硅晶胞的邊長也無法再小,過分追逐先進工藝已并不明智。而摩爾定律所定義的“晶體管數(shù)量翻一番”,是否能理解為“單位面積上的晶體管所構(gòu)成的電路性能提升一倍?”
編輯:黃飛
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原文標題:芯片界內(nèi)卷升級 臺積電搶進2納米芯片
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