上文說到微帶耦合器(通常是指下圖中的裸露式微帶平行雙線耦合器)周圍介質(zhì)不均勻,奇偶模相速不等:
導(dǎo)致定向性指標(biāo)劣化到5dB左右,可采取5種優(yōu)化措施。
微帶耦合器定向性指標(biāo)優(yōu)化措施1
觀察上圖,埋入式微帶平行雙線耦合器指標(biāo)優(yōu)于裸露式,所以很容易想到在裸露式微帶雙線耦合區(qū)上方貼一塊介質(zhì)片。就能讓裸露式變?yōu)槁袢胧?,使奇模相速也變慢,自然就提高了定向性指?biāo):
對(duì)比上面左右兩圖的藍(lán)色雙箭頭:
左圖的裸露式微帶耦合器定向性指標(biāo)5dB;
右圖的帶介質(zhì)貼片的埋入式微帶耦合器定向性指標(biāo)24dB,優(yōu)化了19dB,效果明顯。
粘這種貼片介質(zhì),早期軍工常用,但現(xiàn)在認(rèn)為,工程上可操作性不佳。
微帶耦合器定向性指標(biāo)優(yōu)化措施2
在微帶耦合器的耦合區(qū)貼幾只奇模電容,跨接在平行雙線之間,也會(huì)使奇模相速變慢,從而提高定向性指標(biāo)。
對(duì)比上面左右兩圖的藍(lán)色雙箭頭:
跨接3只貼片0.07pF奇模電容,微帶耦合器定向性指標(biāo)由左圖5dB也優(yōu)化到右圖24dB,改善了19dB,效果明顯。
要注意的是:3只0.07pF的電容適用于2GHz頻段的微帶耦合器,0.07pF電容難以找到,而且電容精度影響定向性指標(biāo),增加了成本,降低了可靠性。
微帶耦合器定向性指標(biāo)優(yōu)化措施3
上面所講的兩種優(yōu)化措施,在工程上可操作性不好,所以不常用。
真正常用的是將微帶耦合器的耦合線變?yōu)殇忼X形或者城墻垛形,以提高定性指標(biāo),二者原理上相同,都是減慢奇模相速,本文只仿真分析城墻垛形耦合線。
對(duì)比上面左右兩圖的藍(lán)色雙箭頭:
將微帶耦合器的耦合線變?yōu)槌菈Χ夂?,定向性指?biāo)由左圖5dB優(yōu)化到右圖32dB,效果明顯。
這種城墻垛圖形,物料成本為零,所以在工程上很常用。
城墻垛圖形能降低奇模相速,可從下面的對(duì)比圖理解。
奇模成份主要位于平行雙線的間隙內(nèi),所以奇模電流(如紅色箭頭線所示)集中于互相靠近的窄邊上,隔河相望,城墻垛形使奇模電流拐彎,增加了路徑,減慢了奇模相速。
下圖仿真了城墻垛的深度對(duì)奇模相速的影響:
按照《042_Coupler之五:非均勻介質(zhì)的微帶窄邊耦合器》中所介紹的方法仿真和計(jì)算奇模相速。
仿真的相位如下:
使用公式V = f * λ 計(jì)算相速。
但與上文的計(jì)算方法稍微不同的地方在于:
三個(gè)mark點(diǎn)對(duì)應(yīng)的相位是0度,換算成絕對(duì)相位是360度,即一個(gè)波長(zhǎng)。
紅色m1對(duì)應(yīng)0.1mil齒深,頻率9.31GHz,奇模相速:
Vem1= 9.31*109 *800mil/秒 =189187900米/秒,相當(dāng)于真空光速的60%。
藍(lán)色m3對(duì)應(yīng)24.1mil齒深,頻率7.44GHz,奇模相速:
Vem3= 7.44*109 *800mil/秒=151180800米/秒,相當(dāng)于真空光速的一半。
顯然齒越深,奇模相速越慢。
有一點(diǎn)需要說明:奇模仿真模型,隱含了一個(gè)鏡面對(duì)稱的邊界條件,意味著平行雙線是對(duì)稱的城墻垛形。
而工程上只將單邊耦合線變成城墻垛形,所以工程上的單邊城墻垛形奇模相速的仿真計(jì)算,必須采用全3D模型,仿真差模相速(略)。理論上差模相速等于奇模相速。
總結(jié)
? 在微帶耦合器的耦合區(qū)上方粘貼介質(zhì)片,能優(yōu)化定向性指標(biāo),可操作性不佳。早期工程上常用,現(xiàn)在不用了。
? 在微帶耦合器的耦合區(qū)跨接奇模電容,能優(yōu)化定向性指標(biāo),但電容容值很低,不易找到,容值精度影響定向性指標(biāo),工程上不常用。
? 將微帶耦合器的耦合線圖形刻成鋸齒形,或改為城墻垛形,物料成本為零,是工程上廣泛使用的措施。
? 這三種定向性優(yōu)化措施,都是采用減慢奇模相速的方法來實(shí)現(xiàn)的。
微帶耦合器,工程上還有兩種常用的定向性優(yōu)化措施,且看后文分解。
審核編輯:劉清
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