Nexperia為MOSFET器件推出全新增強型電熱模型
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。
這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此前需要確保他們的設計可以在(不太可能的)最壞情況下工作，而現在能夠在特定溫度范圍內對設計進行仿真。
Nexperia與一家一級OEM合作開發(fā)了這些模型，目前僅有Nexperia能夠滿足其要求。Nexperia應用工程師Andy Berry表示：“這些全新的先進電熱模型旨在為設計人員提供最高可信度的電路仿真結果?！薄霸陔p脈沖測試中，模型對真實器件行為做出了精確預測，證明其具有出色的高精度。我們的合作伙伴在初步反饋中表示，這些模型是他們所見過最為精確的模型。”
繼Nexperia廣受歡迎的交互式應用筆記發(fā)布之后，這些先進的電熱模型是由我們的工程師團隊專為廣大工程師朋友設計的一系列支持工具中的最新一款，計劃在未來幾個月內發(fā)布。此種可支持外部活動的新工具旨在盡可能為Nexperia的客戶提供無縫的器件設計。
審核編輯：湯梓紅
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