HHI的那個InP平臺,這幾年更新了幾個版本,目前能達(dá)到100GHz帶寬
光學(xué)帶寬并不是整個電光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的帶寬瓶頸,而是光學(xué)集成度雖然越來越高,但電學(xué)才是真正讓整體帶寬受限的主要因素。
射頻信號長度導(dǎo)致射頻衰減增大,各個電路信號節(jié)點,阻抗失配、反射、行波速度等等,導(dǎo)致無法真正實現(xiàn)電光轉(zhuǎn)換帶寬提升。
在InP平臺上,各個光學(xué)器件也越來越密集,比如多個MZM的緊湊布局
可以達(dá)到25μm超窄間距布局
還有更緊湊的MZ相控布局
更緊湊的探測器陣列,基于InP平臺,并wafer反向用BCB膠粘貼在硅襯底上,做微米級的緊湊布局,比如用在Lidar上。
光學(xué)器件越來越小,集成度越來越高,對電芯片與光芯片的互相適配就更加重要了。之前寫過很多硅光集成與集成電路的晶圓級設(shè)計,那是有材料一致性的優(yōu)勢。
但I(xiàn)nP集成光學(xué)和硅(或鍺硅)集成電路,二者之間的鍵合有晶格不匹配的可靠性風(fēng)險。常見的是BCB膠黏合,或者用親水界面的氧做原子鍵合。
這兩個都不算十分完美。
這次ECOC的workshop,TUE介紹了NXP的鍺硅集成電路上鍵合3吋HHI InP集成晶圓,做wafer級密集互聯(lián),提高帶寬。
從示意圖與歐洲這幾個廠的傳統(tǒng)工藝來看,大概率用薄層BCB做的鍵合層(回頭等確認(rèn)了這個材料,再補(bǔ)上)。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:Y8T269 HHI 100GHz InP平臺
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