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激光熱效應(yīng)在太陽電池工藝中的開發(fā)和研究

世界先進(jìn)制造技術(shù)論壇 ? 來源:江蘇激光產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn) ? 作者:江蘇激光產(chǎn)業(yè)技術(shù) ? 2022-10-17 16:08 ? 次閱讀

研究背景

近十年來光伏市場每年以超過 40%的速度發(fā)展,其中晶體硅太陽電池占到 90%以上。太陽電池的新結(jié)構(gòu)和新工藝不斷出現(xiàn),其中采用激光技術(shù)來制備太陽電池或替代現(xiàn)有太陽電池某些工藝環(huán)節(jié),來提高效率、降低成本和減少電池生產(chǎn)中的污染,是目前太陽電池研究和開發(fā)的熱點(diǎn)。

研究過程

1.激光熱效應(yīng)

激光聚焦后照射在材料表面時,部分被反射,部分被吸收,部分被傳遞進(jìn)入晶體,三者的比例取決于激光波長和材料的色散關(guān)系及能帶結(jié)構(gòu),其中被吸收的那部分能量才對硅基表面起作用。光能以聲子和電子激發(fā)到高能態(tài)的形式被吸收,并擴(kuò)散至臨近原子區(qū)域。隨著吸收的能量越來越多,材料溫度不斷升高,升高的速度取決于材料中能量吸收與能量消散之間的比例。溫度升高后,材料的光能吸收的比例也提高,這樣愈發(fā)加劇材料的升溫速度。在光吸收長度距離內(nèi),材料吸收能量轉(zhuǎn)化的熱能整體擴(kuò)散距離大致為L=(4Dτ)1/2,其中 L 為擴(kuò)散距離,D 為熱擴(kuò)散系數(shù),τ為激光的脈沖寬度。當(dāng) L 遠(yuǎn)大于吸收長度,受輻照表面溫度有限升高;而L小于吸收深度時,溫度將急劇升高,導(dǎo)致材料熔化,甚至離化成等離子體。

硅表面受激光輻照后,有兩類不同的效應(yīng):熱效應(yīng)和刻蝕效應(yīng)。在激光熱效應(yīng)中,激光能量密度較低,不至于使材料融化,受熱區(qū)域材料僅起到退火作用;或者激光能量密度如果達(dá)到一定強(qiáng)度,材料表面受輻照的區(qū)域溫度升高甚至達(dá)到熔點(diǎn)而融化,在隨后的降溫過程中,材料會再結(jié)晶。在激光刻蝕效應(yīng)中,激光能量密度超過一定閾值,材料受激光輻照的區(qū)域溫度急劇升高,以至于材料離化成等離子體而揮發(fā),在光輻照區(qū)形成凹陷區(qū)域,這類工藝一般用來改變材料表面形貌,從而得到特殊的器件表面結(jié)構(gòu)。用作有選擇性激光摻雜和激光燒結(jié)的激光器波長多為1064 nm的Nd:YAG或1342 nm的Nd:YVO4固體激光器,將這兩種激光分別倍頻,可以實(shí)現(xiàn)所需要的工藝。

2.激光摻雜

2.1激光摻雜工藝

如果預(yù)先在硅片表面涂敷一層摻有某種元素的摻雜源,并且硅片表面被激光加熱到熔融狀態(tài),那么預(yù)敷的摻雜原子快速融入熔體,然后當(dāng)激光從熔區(qū)移開后, 熔區(qū)的熔體開始冷卻并再結(jié)晶,摻雜原子與硅形成合金。這就是激光融熔預(yù)沉積雜質(zhì)源摻雜。由于摻雜的源層一般較薄(特別是經(jīng)過浸涂的液體源),同時要求激光對基體材料的損傷最小,采用較短的激光波長(即Nd:YAG 或Nd:YVO4激光兩倍頻)可以得到損傷較小的局部摻雜區(qū)域。激光束斑直徑愈小愈好,一般達(dá)到 15~50μm,而功率和掃描速度依據(jù)摻雜源膜厚和Q開關(guān)的頻率決定,但要保證相鄰的材料表面熔融斑點(diǎn)有 20%~80%重疊區(qū)域。該摻雜工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是: 無需掩模即能對硅基體進(jìn)行局部的有選擇性摻雜;由于是局部加熱,未受激光輻照的區(qū)域不會產(chǎn)生附加的晶格與雜質(zhì)等缺陷;工藝的環(huán)境溫度為室溫,不需要真空設(shè)施;工藝過程沒有毒性氣體,設(shè)備安全,節(jié)省空間。激光摻雜在太陽電池中的應(yīng)用例子有選擇性發(fā)射結(jié)太陽電池,半導(dǎo)體指柵太陽電池等。

2.2激光摻雜有選擇性發(fā)射結(jié)太陽能電池

要使硅與金屬形成良好的歐姆接觸,需對與金屬接觸的過渡區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s (原子密度大于 1×1019cm-3),但對于電池前表面的發(fā)射極區(qū)域,摻雜太重會引起表面少子俄歇復(fù)合速度大,電池的短波光譜響應(yīng)差。因此,對于有前電極的太陽電池,前表面雜質(zhì)濃度理想分布應(yīng)該是:吸收入射光的區(qū)域?yàn)檩p度摻雜,與電極接觸的區(qū)域?yàn)橹負(fù)诫s。這樣既可以使電池有較高的光譜響應(yīng)(在波長 300~400 nm 處的內(nèi)量子效率甚至可以接近于 100%),使電池有較高的短路電流 I sc和開路電壓 Voc;同時發(fā)射區(qū)與金屬電極有良好的歐姆接觸,從而提高電池的填充因子F。這就是有選擇性摻雜發(fā)射結(jié)太陽能電池,該思路已經(jīng)在刻槽埋柵電池中得到體現(xiàn)。

激光刻槽埋柵(Laser grooved buried contact,LGBC)電池由澳大利亞新南威爾士大學(xué)最先研制,被西班牙 BP Solar 公司實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。這類電池的主要工藝特點(diǎn)是:對于吸收入射光的發(fā)射結(jié)區(qū)域采用輕度擴(kuò)散;將表面要制備電極的區(qū)域,依次采用激光刻蝕成溝槽,堿腐蝕液去除激光造成的損傷,溝槽處做高溫?fù)诫s原子的重?cái)U(kuò)散,再在溝槽處通過化學(xué)電鍍法鍍上鎳和銅作為電極。

相對于傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷太陽電池而言,LGBC 太陽電池電極制作工藝的費(fèi)用較高,也較費(fèi)時,電極工藝時間可以占據(jù)大約50%的電池制作時間。此外,LGBC 電池的電極制作還需要好幾個高溫步驟,這樣會增加電池片的高溫缺陷,少子壽命也相應(yīng)增加。

成本低廉且工藝簡單的激光摻雜有望代替現(xiàn)有的刻槽埋柵電極制備工藝。在實(shí)驗(yàn)室階段,所有結(jié)構(gòu)的 LGBC 電池的激光刻槽和二次摻雜工藝可以全部被激光摻雜工藝代替,基本過程是在 LGBC 太陽電池其他工藝不變的條件下,將“電池片表面激光刻槽→化學(xué)去損傷→溝槽處二次重?cái)U(kuò)散”的制程用“電池片表面預(yù)沉積雜質(zhì)源→脈沖激光局域融化而后再結(jié)晶”制程替代。激光摻雜優(yōu)點(diǎn)是:不需要雜質(zhì)擴(kuò)散的掩模;不需要對硅片整體高溫處理,無需二次摻雜的區(qū)域,不產(chǎn)生高溫晶格缺陷和雜質(zhì)缺陷,這對于多晶硅電池尤為重要;激光摻雜處的介質(zhì)膜也一并去除,未摻雜處的介質(zhì)膜被保留并可作為后繼的無電鍍工藝的掩模;工藝安全而環(huán)保,無有毒氣體放出;工藝設(shè)備節(jié)省空間。

激光摻雜結(jié)合無電鍍工藝,除了用于制作電池在發(fā)射結(jié)區(qū)(無論是在電池前表面還是背表面)的電極外,還可用于制作基區(qū)的電極,制得的電極接觸電阻可以低于 0.001Ω·cm2,填充因子F可以超過 80%。因而激光摻雜已成功地實(shí)現(xiàn)了多種有選擇性發(fā)射結(jié)太陽電池結(jié)構(gòu):與傳統(tǒng)工業(yè)化絲網(wǎng)印刷太陽電池結(jié)構(gòu)相似的激光摻雜有選擇性發(fā)射結(jié)太陽電池,如圖 1 所示;具有指交型全背電極結(jié)構(gòu)的激光摻雜太陽電池;雙面太陽電池,如圖 2 所示。圖 3是與這種電池結(jié)構(gòu)相似的 LGBC 指交型全背電極太陽電池,激光摻雜全背電極電池結(jié)構(gòu)與 LGBC 電池結(jié)構(gòu)不同的是:前者電極附近發(fā)射區(qū)和基區(qū)的重?fù)诫s是通過激光摻雜工藝實(shí)現(xiàn)的,而后者電極附近發(fā)射區(qū)和基區(qū)的重?fù)绞且来瓮ㄟ^激光刻槽、化學(xué)去損傷和二次高溫?cái)U(kuò)散實(shí)現(xiàn)的。

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圖 1 與傳統(tǒng)工業(yè)化絲網(wǎng)印刷太陽電池結(jié)構(gòu)相似的有選擇性發(fā)射結(jié)太陽電池

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圖 2 激光摻雜雙面電池

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圖 3 指交型全背電極結(jié)構(gòu)的太陽電池

激光摻雜有選擇性太陽電池性能的共同特點(diǎn)是:有光電活性的發(fā)射結(jié)區(qū)域薄層電阻高達(dá) 100Ω,而電極處重?fù)诫s達(dá)到 40Ω,短波光譜響應(yīng)明顯提高;激光摻雜區(qū)域的線寬僅有15μm 左右,電鍍后的電極線寬也只有35μm左右,而傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷電池表面指柵寬度達(dá)到130~150 μm 左右,而全背電極則無遮擋,因而激光摻雜有選擇性發(fā)射結(jié)電池的陰影效應(yīng)小,電池的短路電流Isc大;電極金屬與發(fā)射極接觸面積小,暗電流小,電池開路電壓 Voc較大;加上較理想填充因子,因而電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。具有圖 1 結(jié)構(gòu),在直拉p型硅單晶上制得的電池η值一般達(dá)到18%;對于在n型硅片上制得的雙面電池和指交型全背電極電池,大批量生產(chǎn)條件下的效率也接近20% 。

2.3激光摻雜半導(dǎo)體指柵太陽電池

激光摻雜半導(dǎo)體指柵 LDSF 太陽電池除了具有選擇性摻雜發(fā)射結(jié)太陽能電池的特性外,還有透明電極的特點(diǎn)。半導(dǎo)體指柵電池沒有用無電鍍工藝在重?fù)诫s線條上沉積金屬柵線,激光重?fù)降陌雽?dǎo)體區(qū)域就可以作為收集光生電流的柵線,因此叫作半導(dǎo)體指柵。為了滿足低電阻要求,激光摻雜的線條區(qū)域摻雜濃度比激光摻雜有選擇性發(fā)射結(jié)太陽能電池更高,達(dá)到5Ω。LDSF 太陽電池是由激光刻槽半導(dǎo)體指柵(laser grooved semiconductor finger, LGSF) 太陽電池發(fā)展而來,圖 4 是 LGSF 太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖。

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圖 4 激光刻槽半導(dǎo)體指柵太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖

LDSF 電池工藝與現(xiàn)有絲網(wǎng)印刷電池工藝有較好的兼容性,在完成p型硅片的高溫輕擴(kuò)散和 PECVD鍍SiNx減反膜后,便在表面涂敷一層 n 型摻雜源,接著用激光摻雜制備出間距小于1 mm,寬度為 30μm的平行半導(dǎo)體指柵,然后用化學(xué)液清除表面殘留的摻雜源并烘干,緊接著用絲網(wǎng)印刷在前表面制備出走向與半導(dǎo)體指柵方向垂直的Ag電極,其他工藝與現(xiàn)有的絲網(wǎng)印刷傳統(tǒng)太陽電池工藝相同。

相對于具有圖1結(jié)構(gòu)的激光摻雜有選擇性發(fā)射結(jié)太陽電池,由于LDSF太陽電池的指柵是透明的重?fù)诫s半導(dǎo)體材料,指柵對入射光遮擋可以減少2%,因而可以相應(yīng)地提高電池的短路電流Isc;加之具有激光摻雜有選擇性發(fā)射結(jié)太陽電池的優(yōu)點(diǎn),因而LDSF 電池的光譜響應(yīng)較高和開路電壓Voc較大,得到了18.3%的穩(wěn)定光電轉(zhuǎn)換效率,而作為參考的傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷電池的效率為 16.5%。

3.激光燒結(jié)

3.1激光燒結(jié)工藝

激光熱效應(yīng)在太陽電池的背電極燒結(jié)方面有很好的應(yīng)用。PERL太陽電池效率達(dá) 24.7%,其背面結(jié)構(gòu)和材料適于高效的特點(diǎn)有:電極是點(diǎn)接觸形式,并呈一定陣列分布,在沒有電極的區(qū)域表面則用厚度為200 nm 的 SiO2作鈍化膜;電極與p型硅基體之間有一個重?fù)诫s的p+區(qū)域作為背場可以較好地鈍化金屬和半導(dǎo)體的界面。而這種結(jié)構(gòu)可以通過激光燒結(jié)的方式來實(shí)現(xiàn)。

激光燒結(jié)電極技術(shù)由德國 Frauhofer 太陽能研究所 R.Preu等提出,并建立了中試生產(chǎn)線。激光燒結(jié)電極工藝過程為:在完成了電池前表面的結(jié)構(gòu)工藝后,首先在硅片的背面沉積一層鈍化膜,接著在鈍化膜上鍍一層鋁,然后在要制備電極的鋁膜上用激光燒蝕,使鋁穿透介質(zhì)鈍化層融入體硅基體并與硅形成良好的歐姆接觸。得到的電池結(jié)構(gòu)示意圖見圖 5。此工藝代替了用光刻的辦法在介質(zhì)鈍化膜上開孔,并且省去了在鍍鋁膜后的燒結(jié)工藝。由于用作電極的目前多為較厚的鋁材料(大于2μm,以使太陽電池有小的串聯(lián)電阻),這樣就需要選擇較長波長的1064 nm 激光,以實(shí)現(xiàn)鋁膜對激光的適合吸收深度,使鋁硅界面融化和再結(jié)晶。另外,由于光斑對材料的損傷區(qū)域和電極的歐姆接觸面積優(yōu)化的結(jié)果,使得激光燒結(jié)使用的激光束斑比激光摻雜時使用的激光束斑要大得多,達(dá)到了 80~120μm。還有,激光燒結(jié)時,材料表面被激光熔融的點(diǎn)呈分立排布,間距大概0.5 mm。激光功率和掃描速度也依據(jù)鋁膜厚度以及 Q開關(guān)的頻率,有一個工藝優(yōu)化的過程。

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圖 5 太陽電池背面點(diǎn)電極的激光燒結(jié)工藝示意圖

激光燒結(jié)電極僅用一步工藝就產(chǎn)生兩個作用,即形成背面場和良好的點(diǎn)歐姆接觸,而這兩個作用在傳統(tǒng)的電池工藝中要首先通過光刻,再經(jīng)過燒結(jié)工藝來實(shí)現(xiàn)。相對光刻工藝而言,激光燒結(jié)電極工藝制備點(diǎn)接觸電極具有步驟少、用到的化學(xué)試劑少和工藝簡單等特點(diǎn)。

3.2激光燒結(jié)電極太陽電池

激光燒結(jié)電極(Laser-fired contacts, LFC)太陽電池(見圖 5)的背面電極利用激光燒結(jié)來實(shí)現(xiàn),采用該工藝制得的電池效率可以超過 21%。電池具有高效的原因是:1)點(diǎn)電極面積加起來約為電池背部面積的 1%,未接觸的區(qū)域被一定厚度的介質(zhì)層鈍化,這樣有利于降低少子的背表面復(fù)合;2)LFC工藝只在電極接觸處出現(xiàn)高溫,避免了硅片整體經(jīng)受高溫,避免了SiNx鈍化效果的降低和高溫缺陷的產(chǎn)生;3)點(diǎn)電極下面幾個微米的區(qū)域出現(xiàn)局部的背場,較好地鈍化了金屬-半導(dǎo)體界面(如圖 6的中心區(qū)域)。

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圖 6 LFC 點(diǎn)電極的 LBIC 和SEM 合成圖

LFC 電池背面鋁膜層下面的介質(zhì)鈍化層材料可以多樣化,R.Preu和S.W. Glunz采用 RP-PERC結(jié)構(gòu)在低溫200~400 ℃用 PECVD 沉積的SiNx作背面鈍化膜,通過調(diào)節(jié)膜中氮的比例,得到了21.3%的電池,而采用熱氧化生成的 SiO2,效率有21.9%;采用SiC,效率有20.3%;采用 SiO2和 SiNx的疊層結(jié)構(gòu),效率也超過20%。采用這種疊層結(jié)構(gòu),可以大大減少SiO2層的厚度,因而減少高溫工藝的時間,但鈍化效果仍然很好。

LFC 電池的起始硅片還可以做得很薄,這是用傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷技術(shù)不能得到的,有人在厚度為 37μm的p型硅片上制備出了可彎曲的太陽電池,其轉(zhuǎn)換效率有20.2 %,開路電壓有 671.4 mV。

LFC 電池的大批量生產(chǎn)很大程度上依賴于激光處理的速度,除了激光掃描的速度必須足夠快之外,還有一個解決的辦法是將聚焦透鏡排成陣列,這樣可以同時燒蝕多個點(diǎn)電極,微透鏡足夠多的時候,整個電池的背面電極的燒制可以一次完成。目前激光熱效應(yīng)在太陽電池方面的應(yīng)用達(dá)到商業(yè)化的主要是在晶體硅電池方面, 但激光摻雜對摻雜后的材料性能產(chǎn)生的損傷以及對電池性能所造成的損失還有待進(jìn)一步的研究。

研究結(jié)論

目前激光熱效應(yīng)在太陽電池方面的應(yīng)用,除晶體硅太陽電池之外,還應(yīng)用于第三代光伏電池之中。激光摻雜和激光燒結(jié)在高效太陽電池工業(yè)化應(yīng)用中的困難主要是激光束在不同環(huán)境下,對覆蓋有不同雜質(zhì)源的硅表面輻照后,對于硅表面材料組分和結(jié)構(gòu)的影響及光性能和電學(xué)性能的變化不十分清楚。工藝的效果主要決定于激光對材料產(chǎn)生的損傷,這些損傷對電池性能雖有有益的一面,但有害的居多。樣品表面被液化甚至離化成等離子體時,樣品表面一定區(qū)域和深度范圍會受到污染和損傷。在這些缺陷中主要是一些位錯等熱缺陷;用楊氏法可以觀測到,如果在激光工藝后,及時做強(qiáng)堿溶液的處理,就可以將靠近表面的幾個微米的損傷層去掉,否則,這些缺陷會顯著降低少子的壽命,從而降低電池轉(zhuǎn)換效率。實(shí)驗(yàn)證明,通過選擇適當(dāng)?shù)募す?a target="_blank">參數(shù)和工藝參數(shù),再加以適當(dāng)?shù)暮罄^處理,可以消除一些缺陷,或者是很大程度上緩解這些缺陷對太陽電池性能的影響。

因此,隨著認(rèn)識激光對材料產(chǎn)生的損傷以及對電池性能所造成的影響的深入,再借助于多模式的高質(zhì)量激光、精密的聚焦棱鏡制造和光機(jī)電一體化技術(shù)等有著良好的區(qū)域選擇性、準(zhǔn)確的方向性、好的可控性、節(jié)省空間和清潔無污染等許多優(yōu)點(diǎn)的激光熱效應(yīng)工藝,相信在高效和低成本的太陽電池工業(yè)化生產(chǎn)中會有廣闊的應(yīng)用前景。

審核編輯:郭婷

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原文標(biāo)題:激光熱效應(yīng)在高效太陽電池工藝中的應(yīng)用

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    寬帶隙鈣鈦礦<b class='flag-5'>太陽能電池</b>的挑戰(zhàn)與應(yīng)用展望

    太陽能電池封裝光學(xué)損失研究

    太陽電池封裝成組件后,其實(shí)際功率通常會小于理論功率,稱之為功率損失或封裝損失。
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    <b class='flag-5'>太陽能電池</b>封裝光學(xué)損失<b class='flag-5'>研究</b>

    鈣鈦礦材料在光伏發(fā)電領(lǐng)域的應(yīng)用概述 鈣鈦礦太陽電池技術(shù)的發(fā)展趨勢

    鈦礦光伏技術(shù)的最新研究進(jìn)展,并結(jié)合企業(yè)在鈣鈦礦太陽電池產(chǎn)業(yè)化方面的典型實(shí)踐情況,對鈣鈦礦太陽電池的產(chǎn)業(yè)化趨勢與面臨的挑戰(zhàn)進(jìn)行了歸納和分析。期望該研究可對中國鈣鈦礦光伏技術(shù)的
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    鈣鈦礦材料在光伏發(fā)電領(lǐng)域的應(yīng)用概述 鈣鈦礦<b class='flag-5'>太陽電池</b>技術(shù)的發(fā)展趨勢

    霍爾效應(yīng)在半導(dǎo)體性能測試的作用

    揮著重要的作用。本文將以“霍爾效應(yīng)在半導(dǎo)體性能測試的作用”為題,詳細(xì)介紹了霍爾效應(yīng)的原理、應(yīng)用場景以及在半導(dǎo)體性能測試的作用。 霍爾效應(yīng)
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    隆基27.09%刷新硅太陽能電池效率世界紀(jì)錄

    針對HBC太陽電池圖形化技術(shù)高成本的瓶頸,隆基綠能持續(xù)自主創(chuàng)新研發(fā),放棄了高成本的光刻工藝,采用全激光圖形化技術(shù)實(shí)現(xiàn)了27.09%的轉(zhuǎn)換效率。
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    鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池研究進(jìn)展

    鈣鈦礦/晶硅疊層太陽電池,以其具有超過單結(jié)電池Shockley-Queisser理論極限的超高效率和成本優(yōu)勢,近年來成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。通過近10年的努力,鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池
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    鈣鈦礦/晶硅疊層<b class='flag-5'>太陽電池</b>的<b class='flag-5'>研究</b>進(jìn)展

    單晶硅太陽電池的溫度和光強(qiáng)特性

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    單晶硅<b class='flag-5'>太陽電池</b>的溫度和光強(qiáng)特性

    激光技術(shù)在太陽能電池制造的應(yīng)用

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    <b class='flag-5'>激光</b>技術(shù)在<b class='flag-5'>太陽能電池</b>制造<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    薄膜太陽電池技術(shù)

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    薄膜<b class='flag-5'>太陽電池</b>技術(shù)