半導(dǎo)體清洗設(shè)備對(duì)比分析

半導(dǎo)體清洗設(shè)備通過(guò)不斷將各種污染雜質(zhì)控制在工藝要求范圍內(nèi)，提高芯片的良率和性能，是芯片良率的重要保障。隨著芯片技術(shù)的不斷提升，清洗設(shè)備的要求也越來(lái)越高。根據(jù)結(jié)構(gòu)清洗設(shè)備可分為單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備、洗刷器等。

華林科納針對(duì)幾種清洗設(shè)備對(duì)比后的分析：

設(shè)備種類：?jiǎn)纹逑丛O(shè)備

清洗方法：旋轉(zhuǎn)噴淋，兆聲波清洗，二流體清洗，機(jī)械刷洗等

應(yīng)用特點(diǎn)：具有極高的工藝環(huán)境控制能力與微粒去除能力，有效解決晶圓之間交叉污染的問(wèn)題;每個(gè)清洗腔體內(nèi)每次只能清洗單片晶圓，設(shè)備產(chǎn)能較低。

設(shè)備種類：槽式清洗設(shè)備

清洗方法：溶液浸泡，兆聲波清洗等

應(yīng)用特點(diǎn)：清洗產(chǎn)能高，適合大批量生產(chǎn);但顆粒，濕法刻蝕速度控制差;交叉污染風(fēng)險(xiǎn)大。

設(shè)備種類：批式旋轉(zhuǎn)噴 淋清洗設(shè)備

清洗方法：旋轉(zhuǎn)噴淋

應(yīng)用特點(diǎn)：相對(duì)傳統(tǒng)槽式清洗設(shè)備，批式旋轉(zhuǎn)設(shè)備可實(shí)現(xiàn) 120oC 以上甚至達(dá)到200oC 高溫硫酸工藝要求;各項(xiàng)工藝參數(shù)控制困難，晶圓碎片后整個(gè)清洗腔室內(nèi)所有晶圓均有報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)。

設(shè)備種類：組合式清洗設(shè)備

清洗方法：溶液浸泡+旋轉(zhuǎn)噴 淋組合清洗

應(yīng)用特點(diǎn)：產(chǎn)能較高，清洗精度較高，并可大幅降低濃硫酸使用量;產(chǎn)品造價(jià)較高。

設(shè)備種類：洗刷器

清洗方法：機(jī)械刷洗法

應(yīng)用特點(diǎn)：配置專用刷洗器，利用刷頭與晶圓表面的摩擦力，配合去離子水以達(dá)到去除顆粒的清洗方法。

審核編輯：湯梓紅