三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)，具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度
三星宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的 1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第 8 代 V-NAND。1Tb 的全新 V-NAND 在目前三星 V-NAND 中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。
三星電子第八代V-NAND，1Tb
三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。通過(guò)這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲(chǔ)密度，使三星的存儲(chǔ)密度達(dá)到了新的高度?；?a href="http://www.ttokpm.com/article/zt/" target="_blank">最新 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn) Toggle DDR 5.0 接口的三星第 8 代 V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達(dá) 2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了 1.2 倍，這可以滿足 PCIe 4.0 和更高版本 PCIe 5.0 的性能要求。
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
原文標(biāo)題：三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)
文章出處：【微信號(hào)：西安集成電路，微信公眾號(hào)：西安集成電路】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
相關(guān)推薦
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅
![的頭像]()
發(fā)表于 09-12 16:27
?300次閱讀
據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星
![的頭像]()
發(fā)表于 07-04 09:23
?518次閱讀
在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的今天，數(shù)據(jù)中心對(duì)大容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。業(yè)內(nèi)最新消息顯示，由于NAND閃存供應(yīng)可能在下半年出現(xiàn)短缺，三星電子的V8-NAND技術(shù)正成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。
![的頭像]()
發(fā)表于 07-01 10:11
?353次閱讀
V-NAND 1Tb TLC達(dá)290層，已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進(jìn)入300層+，甚至400層以上。至于遠(yuǎn)期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 20
![的頭像]()
發(fā)表于 05-25 00:55
?3077次閱讀
據(jù)悉，Switch 2游戲機(jī)可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達(dá)Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點(diǎn)）。此外，任天堂還計(jì)劃采用三星第五代
![的頭像]()
發(fā)表于 04-29 10:23
?641次閱讀
第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計(jì)，將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。
![的頭像]()
發(fā)表于 04-28 17:36
?646次閱讀
在技術(shù)層面，第九代V-NAND無(wú)疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
![的頭像]()
發(fā)表于 04-28 16:02
?898次閱讀
作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計(jì)劃于明年推出第十
![的頭像]()
發(fā)表于 04-28 10:08
?590次閱讀
近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市
![的頭像]()
發(fā)表于 04-23 11:48
?515次閱讀
三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代
![的頭像]()
發(fā)表于 04-18 09:49
?489次閱讀
據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND
![的頭像]()
發(fā)表于 04-17 15:06
?469次閱讀
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過(guò)，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
![的頭像]()
發(fā)表于 04-12 16:05
?726次閱讀
WitDisplay消息，三星顯示器 (Samsung Display) 已開始建設(shè)用于信息技術(shù) (IT) 的第 8.6 代有機(jī)發(fā)光二極管
![的頭像]()
發(fā)表于 03-11 14:21
?915次閱讀
據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對(duì)中國(guó)西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。
![的頭像]()
發(fā)表于 11-03 11:48
?1577次閱讀
第8代指的是基板尺寸大小，大基板可以經(jīng)濟(jì)地制造更大的嵌板。例如，第6代基板用于制造智能手機(jī)的oled面板。第八
![的頭像]()
發(fā)表于 10-17 09:44
?629次閱讀
三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論