0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

分享下關(guān)于噪聲的學(xué)習(xí)過程

電磁兼容EMC ? 來源:一邊學(xué)術(shù)一邊藝術(shù) ? 作者:沙威 ? 2022-11-11 09:34 ? 次閱讀

最近很多關(guān)于噪聲的討論,于是我找到之前的筆記,分享下我的學(xué)習(xí)過程。

噪聲盡管是工程中最常見的現(xiàn)象和問題,但其物理本質(zhì)卻是極其精深的。拿最簡(jiǎn)單的一個(gè)電阻來說,不要接任何外加電源,噪聲始終是存在的。也就是電阻通過電流的均值是0,但是其方差或者漲落不是0,數(shù)學(xué)上=0, ≠0。

最早由Kubo等人,包括Nyquist 等一批物理學(xué)家建立了漲落耗散理論,才對(duì)噪聲、布朗運(yùn)動(dòng)等很多現(xiàn)象作出了精彩的解釋。后來結(jié)合量子理論,對(duì)自發(fā)輻射、卡西米爾力、近場(chǎng)熱傳導(dǎo)等量子現(xiàn)象做出解釋。

漲落耗散定理的實(shí)質(zhì),是熱平衡條件下,任何物體都會(huì)吸收電磁波譜(叢零頻到X-ray甚至更高),同時(shí)也必須輻射出電磁波,這兩個(gè)物理過程是平衡的。上述物理過程聯(lián)系到黑體輻射理論和細(xì)致平衡理論。

所以噪聲、暗電流本質(zhì)上就是吸收了電磁波的能量。噪聲對(duì)一個(gè)通訊系統(tǒng)的重要性,暗電流對(duì)一個(gè)光電子器件的重要性,是眾所周知的。

而電磁波的儲(chǔ)能能量一定正比于場(chǎng)強(qiáng)的平方,所以必然不是0。物體的耗散,釋放出電磁波,造成了電磁波在真空中一般的漲落;這個(gè)一般漲落的能量又被物體吸收,周而復(fù)始。

且這個(gè)漲落即使在絕對(duì)0度時(shí),都依然存在。這就是著名的漲落耗散定理。

但是推導(dǎo)電磁場(chǎng)的漲落遠(yuǎn)遠(yuǎn)比電流的漲落難度大很多。一般對(duì)一個(gè)電路,漲落耗散定理可以寫成,1/2R=kB*T/(2*pi) df,右側(cè)kB*T是有限溫度下平均光子能量,2*pi 項(xiàng)是Fourier變換的原因,df代表單位頻率。

所以寬帶噪聲估計(jì)公式kB*T*B,B是帶寬。嚴(yán)格的量子表達(dá)式1/2 hbar omega+hbar omega/[exp(hbar omega/(kB*T))-1],可以看出當(dāng)hbar趨近于0,上式的經(jīng)典表達(dá)式就是kB*T。

而如果T=0,就是1/2 hbar omega。1/2 hbar omega是著名的零點(diǎn)能量,對(duì)應(yīng)真空漲落。其他T不等于0,叫做熱漲落。

根據(jù)電流漲落表達(dá)式,我們可以求出單位體積單位頻率,電流密度的漲落表達(dá)式 1/2=sigma*kB*T/(2*pi)。這里,我們假設(shè)不同空間點(diǎn)電流密度是不相關(guān)的,=0,當(dāng)r不等于r’。

而怎么得到電磁場(chǎng)的漲落表達(dá)式,要依賴格林函數(shù)理論。因?yàn)殡妶?chǎng)可以用電流和格林函數(shù)卷積得到,但是這時(shí)的格林函數(shù)不是自由空間的,而是任意非均勻空間的格林函數(shù)。

經(jīng)過一番化簡(jiǎn)和努力,我們可得到 的表達(dá)式。這個(gè)表達(dá)式很有趣,正比于非均勻空間并矢格林函數(shù)的需部Im (G),因此是regular的。

所以不同頻率,不同空間點(diǎn)的電磁場(chǎng)漲落是不同的,正比于對(duì)應(yīng)頻率、對(duì)應(yīng)空間點(diǎn),在非均勻電磁系統(tǒng)放入一個(gè)點(diǎn)源后,得到的在這個(gè)點(diǎn)處電場(chǎng)的實(shí)部。

漲落耗散定理是我加入weng cho chew教授組第一個(gè)系統(tǒng)學(xué)習(xí)的理論。最大的收獲是發(fā)現(xiàn)原來看似很簡(jiǎn)單的噪聲,其實(shí)背后是極其復(fù)雜、精深的理論,需要深入思考。







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電磁場(chǎng)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    785

    瀏覽量

    47198
  • 暗電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    27

    瀏覽量

    10096

原文標(biāo)題:關(guān)于噪聲的討論[20221111]

文章出處:【微信號(hào):EMC_EMI,微信公眾號(hào):電磁兼容EMC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    【求助】有沒有人提供一下關(guān)于2406的學(xué)習(xí)資料?

    有沒有大神可以指點(diǎn)一下關(guān)于DSP2406C語言編程,控制逆變器的學(xué)習(xí),或者提供點(diǎn)資料,指導(dǎo)我如下門
    發(fā)表于 06-10 20:58

    關(guān)于相位噪聲的測(cè)量

    本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 07:58 編輯 想請(qǐng)教一下關(guān)于相位噪聲的測(cè)定問題。 現(xiàn)在比如說要測(cè)定1個(gè)100MHz的相位噪聲。特性圖,會(huì)顯示出 比如 在
    發(fā)表于 06-11 18:04

    請(qǐng)問下關(guān)于如何生成exe的問題

    本帖最后由 superbull 于 2015-6-12 13:44 編輯 大家好,想請(qǐng)問下關(guān)于build的問題,如圖,在生成exe的時(shí)候,dependencies里的文件在建build的時(shí)候
    發(fā)表于 06-11 15:13

    誰能幫忙解釋下關(guān)于內(nèi)存分配的問題

    誰能幫忙解釋下關(guān)于內(nèi)存分配的問題
    發(fā)表于 10-19 21:05

    Vector CANoe學(xué)習(xí)資料

    分享一下關(guān)于汽車CAN總線分析記錄仿真的學(xué)習(xí)資料
    發(fā)表于 11-27 10:39

    模擬設(shè)計(jì)中的噪聲誤區(qū)

    噪聲是模擬電路設(shè)計(jì)的一個(gè)核心問題,它會(huì)直接影響能從測(cè)量中提取的信息量,以及獲得所需信息的經(jīng)濟(jì)成本。遺憾的是,關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息,可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計(jì)或資源使用效率低下。今天咱們就跟隨ADI攻城獅的腳步了解
    發(fā)表于 03-02 06:48

    誰可以分享一下關(guān)于IC設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)有哪些啊?

    誰可以分享一下關(guān)于IC設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)有哪些?。?/div>
    發(fā)表于 06-25 07:18

    關(guān)于lua移植到STM32上的過程

    為應(yīng)用程序提供靈活的擴(kuò)展和定制功能。本文主要說明一下關(guān)于lua移植到STM32上的過程以及簡(jiǎn)單的舉兩個(gè)例子來說明lua的應(yīng)用。Lua的簡(jiǎn)介關(guān)于Lua的官方介紹,此處不在說明。有需要了解的看官可以在...
    發(fā)表于 08-03 07:30

    請(qǐng)問一下關(guān)于Matlab要學(xué)習(xí)哪些知識(shí)呢

    請(qǐng)問一下關(guān)于Matlab要學(xué)習(xí)哪些知識(shí)呢?
    發(fā)表于 11-19 07:17

    有哪位大神可以分享一下關(guān)于S5P6818的一些學(xué)習(xí)筆記嗎

    有哪位大神可以分享一下關(guān)于S5P6818的一些學(xué)習(xí)筆記嗎
    發(fā)表于 01-06 07:18

    能給一下關(guān)于鍵盤應(yīng)用案例的方案嗎

    能給一下關(guān)于鍵盤應(yīng)用案例的方案嗎
    發(fā)表于 07-29 06:49

    記錄一下關(guān)于MPC5744P CAN總線學(xué)習(xí)

    記錄一下關(guān)于MPC5744P CAN總線學(xué)習(xí)主要是針對(duì)開發(fā)出busoff管理,NXP感覺都是一個(gè)套路,無論powerpc,還是arm_mstatus_t FLEXCAN_DRV_Init
    發(fā)表于 12-04 16:51 ?14次下載
    記錄一<b class='flag-5'>下關(guān)于</b>MPC5744P CAN總線<b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b>

    arduino的學(xué)習(xí)過程

    目錄學(xué)習(xí)arduino的過程學(xué)習(xí)arduino的過程
    發(fā)表于 12-07 19:06 ?14次下載
    arduino的<b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b><b class='flag-5'>過程</b>

    RT-Thread學(xué)習(xí)筆記 --(6)RT-Thread線程間通信學(xué)習(xí)過程總結(jié)

    前兩篇文章總結(jié)了RT-Thread多線程以及多線程同步的學(xué)習(xí)過程,關(guān)于前兩篇學(xué)習(xí)總結(jié),可以查看之前的文章。
    發(fā)表于 01-25 18:50 ?7次下載
    RT-Thread<b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b>筆記 --(6)RT-Thread線程間通信<b class='flag-5'>學(xué)習(xí)</b><b class='flag-5'>過程</b>總結(jié)

    分享下關(guān)于涂層附著力的原理和影響因素

    本期和大家分享下關(guān)于涂層附著力的原理和影響因素,首先我們都知道涂層和基材之間是可以通過機(jī)械咬合、物理吸附、形成氫鍵和化學(xué)鍵、互相擴(kuò)散等作用結(jié)合在一起,由于這些作用產(chǎn)生的附著力,決定了涂層與基材的附著力。
    的頭像 發(fā)表于 12-14 10:05 ?1941次閱讀