CMOS集成電路的基礎(chǔ)工藝之一就是雙阱工藝,它包括兩個區(qū)域,即n-MOS和p-MOS 有源區(qū),分別對應(yīng)p阱和N阱,如圖所示。在進行阱注入時,產(chǎn)業(yè)內(nèi)的主流技術(shù)多數(shù)采用倒摻雜技術(shù)來調(diào)節(jié)晶體管的電學(xué)特性,即首先采用高能量、大劑量的離子注入,注入的深度約為 1um,注入?yún)^(qū)域與阱相同,隨后通過大幅降低注入能量及劑量,控制注入深度和摻雜剖面。阱的注入摻雜不僅可以調(diào)節(jié)晶體管的閾值電壓,也可以解決CMOS 電路常見的一些問題,如閂鎖效應(yīng)和其他可靠性問題。
雙阱 CMOS 工藝是當(dāng)前集成電路的標(biāo)準(zhǔn)工藝之一,它最初是在 n-MOS工藝和 p-MOS 工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。早期的雙阱 CMOS 工藝沒有高能量大劑量的注入,只是用中能量和中劑量離子注入n阱和p阱的區(qū)域,然后熱退火形成獨立的n阱和p阱。隨著離子注入技術(shù)的發(fā)展,高能量大劑量的注入不再成為離子注入的難題,并且高能量大劑量的注入形成的倒置阱效果很明顯,所以才逐步形成現(xiàn)在的標(biāo)準(zhǔn)雙阱工藝。雙阱工藝常見的基本制造步驟是先制作n阱,包括犧牲氧化層生長,n阱區(qū)域光刻,n阱注入,然后退火;p阱的形成與其類似。確定雙阱工藝的基本條件是確保器件電學(xué)特性滿足要求,包括阱之間的擊穿電壓、有效的電學(xué)隔離、避免閂鎖效應(yīng)、合適的閾值電壓等。另外,襯底材料的摻雜情況也對阱的形成條件有很大影響。
審核編輯 :李倩
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