復(fù)雜的電子系統(tǒng)中電源帶來(lái)的EMI問(wèn)題，如何解決

有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設(shè)計(jì)周期以及嚴(yán)格的電磁干擾(EMI)規(guī)范（例如CISPR 32和CISPR 25）這些限制因素，都導(dǎo)致獲得具有高效率和良好熱性能電源的難度很大。在整個(gè)設(shè)計(jì)周期中，電源設(shè)計(jì)通?；咎幱谠O(shè)計(jì)過(guò)程的最后階段，設(shè)計(jì)人員需要努力將復(fù)雜的電源擠進(jìn)更緊湊的空間，這使問(wèn)題變得更加復(fù)雜，非常令人沮喪。為了按時(shí)完成設(shè)計(jì)，只能在性能方面做些讓步，把問(wèn)題丟給測(cè)試和驗(yàn)證環(huán)節(jié)去處理。簡(jiǎn)單、高性能和解決方案尺寸三個(gè)考慮因素通常相互沖突：只能優(yōu)先考慮一兩個(gè)，而放棄第三個(gè)，尤其當(dāng)設(shè)計(jì)期限臨近時(shí)。犧牲一些性能變得司空見(jiàn)慣，其實(shí)不應(yīng)該是這樣的。

本文首先概述了在復(fù)雜的電子系統(tǒng)中電源帶來(lái)的嚴(yán)重問(wèn)題：即EMI，通常簡(jiǎn)稱(chēng)為噪聲。電源會(huì)產(chǎn)生EMI，必須加以解決，那么問(wèn)題的根源是什么？通常有何緩解措施？本文介紹減少EMI的策略，提出了一種解決方案，能夠減少EMI、保持效率，并將電源放入有限的解決方案空間中。

什么是EMI？

電磁干擾是會(huì)干擾系統(tǒng)性能的電磁信號(hào)。這種干擾通過(guò)電磁感應(yīng)、靜電耦合或傳導(dǎo)來(lái)影響電路。它對(duì)汽車(chē)、醫(yī)療以及測(cè)試與測(cè)量設(shè)備制造商來(lái)說(shuō)，是一項(xiàng)關(guān)鍵設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。上面提到的許多限制和不斷提高的電源性能要求（功率密度增加、開(kāi)關(guān)頻率更高以及電流更大）只會(huì)擴(kuò)大EMI的影響，因此亟需解決方案來(lái)減少EMI。許多行業(yè)都要求必須滿(mǎn)足EMI標(biāo)準(zhǔn)，如果在設(shè)計(jì)初期不加以考慮，則會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)品的上市時(shí)間。

EMI耦合類(lèi)型

EMI是電子系統(tǒng)中的干擾源與接收器（即電子系統(tǒng)中的一些元件）耦合時(shí)所產(chǎn)生的問(wèn)題。EMI按其耦合介質(zhì)可歸類(lèi)為：傳導(dǎo)或輻射。

傳導(dǎo)EMI（低頻，450 kHz至30 MHz）

傳導(dǎo)EMI通過(guò)寄生阻抗以及電源和接地連接以傳導(dǎo)方式耦合到元件。噪聲通過(guò)傳導(dǎo)傳輸?shù)搅硪粋€(gè)器件或電路。傳導(dǎo)EMI可以進(jìn)一步分為共模噪聲和差模噪聲。

共模噪聲通過(guò)寄生電容和高dV/dt(C×dV/dt)進(jìn)行傳導(dǎo)。它通過(guò)寄生電容沿著任意信號(hào)(正或負(fù))到GND的路徑傳輸，如圖1所示。

差模噪聲通過(guò)寄生電感(磁耦合)和高di/dt(L× di/dt)進(jìn)行傳導(dǎo)。

圖1. 差模和共模噪聲。

輻射EMI（高頻，30 MHz 至1 GHz）

輻射EMI是通過(guò)磁場(chǎng)能量以無(wú)線(xiàn)方式傳輸?shù)酱郎y(cè)器件的噪聲。在開(kāi)關(guān)電源中，該噪聲是高di/dt與寄生電感耦合的結(jié)果。輻射噪聲會(huì)影響鄰近的器件。

EMI控制技術(shù)

解決電源中EMI相關(guān)問(wèn)題的典型方法是什么？首先，確定EMI就是一個(gè)問(wèn)題。這看似很顯而易見(jiàn)，但是確定其具體情況可能非常耗時(shí)，因?yàn)樗枰褂肊MI測(cè)試室(并非隨處都有)，以便對(duì)電源產(chǎn)生的電磁能量進(jìn)行量化，并確定該電磁能量是否符合系統(tǒng)的EMI標(biāo)準(zhǔn)要求。

假設(shè)經(jīng)過(guò)測(cè)試，電源會(huì)帶來(lái)EMI問(wèn)題，那么設(shè)計(jì)人員將面臨通過(guò)多種傳統(tǒng)的校正策略來(lái)減少EMI的過(guò)程，其中包括：

布局優(yōu)化：精心的電源布局與選擇合適的電源組件同樣重要。成功的布局很大程度上取決于電源設(shè)計(jì)人員的經(jīng)驗(yàn)水平。布局優(yōu)化本質(zhì)上是個(gè)迭代過(guò)程，經(jīng)驗(yàn)豐富的電源設(shè)計(jì)人員有助于最大限度地減少迭代次數(shù)，從而避免耽誤時(shí)間和產(chǎn)生額外的設(shè)計(jì)成本。問(wèn)題是：內(nèi)部人員往往不具備這些經(jīng)驗(yàn)。

緩沖器：一些設(shè)計(jì)人員會(huì)提前規(guī)劃并為簡(jiǎn)單的緩沖器電路(從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)到GND的簡(jiǎn)單RC濾波器)提供占位面積。這樣可以抑制開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴現(xiàn)象(一項(xiàng)產(chǎn)生EMI的因素)，但是這種技術(shù)會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗增加，從而對(duì)效率產(chǎn)生負(fù)面影響。

降低邊沿速率：減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴也可以通過(guò)降低柵極導(dǎo)通的壓擺率來(lái)實(shí)現(xiàn)。不幸的是，與緩沖器類(lèi)似，這會(huì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率產(chǎn)生負(fù)面影響。

展頻(SSFM)：許多ADI的Power開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器都提供該特性，它有助于產(chǎn)品設(shè)計(jì)通過(guò)嚴(yán)格的EMI測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。采用SSFM技術(shù)，在已知范圍內(nèi)（例如，編程頻率fSW上下±10%的變化范圍）對(duì)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)頻率的時(shí)鐘進(jìn)行調(diào)制。這有助于將峰值噪聲能量分配到更寬的頻率范圍內(nèi)。

濾波器和屏蔽：濾波器和屏蔽總是會(huì)占用大量的成本和空間。它們也使生產(chǎn)復(fù)雜化。

以上所有制約措施都可以減少噪聲，但是它們也都存在缺陷。最大限度地減少電源設(shè)計(jì)中的噪聲通常能夠徹底解決問(wèn)題，但卻很難實(shí)現(xiàn)。ADI的Silent Switcher和Silent Switcher 2穩(wěn)壓器在穩(wěn)壓器端實(shí)現(xiàn)了低噪聲，從而無(wú)需額外的濾波、屏蔽或大量布局迭代。由于不必采用昂貴的反制措施，加快了產(chǎn)品上市時(shí)間并節(jié)省大量的成本。

最大限度地減小電流回路

為了減少EMI，必須確定電源電路中的熱回路(高di/dt回路)并減少其影響。熱回路如圖2所示。在標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器的一個(gè)周期內(nèi)，當(dāng)M1關(guān)閉而M2打開(kāi)時(shí)，交流電流沿著藍(lán)色回路流動(dòng)。在M1打開(kāi)而M2關(guān)閉的關(guān)閉周期中，電流沿著綠色回路流動(dòng)。產(chǎn)生最高EMI的回路并非完全直觀可見(jiàn)，它既不是藍(lán)色回路也不是綠色回路，而是傳導(dǎo)全開(kāi)關(guān)交流電流(從零切換到IPEAK，然后再切換回零)的紫色回路。該回路稱(chēng)為熱回路，因?yàn)樗慕涣骱虴MI能量最大。

導(dǎo)致電磁噪聲和開(kāi)關(guān)振鈴的是開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器熱回路中的高di/dt和寄生電感。要減少EMI并改進(jìn)功能，需要盡量減少紫色回路的輻射效應(yīng)。熱回路的電磁輻射騷擾隨其面積的增加而增加，因此，如果可能的話(huà)，將熱回路的PC面積減小到零，并使用零阻抗理想電容可以解決該問(wèn)題。

圖2. 降壓轉(zhuǎn)換器的熱回路

使用Silent Switcher穩(wěn)定壓器實(shí)現(xiàn)低噪聲

磁場(chǎng)抵消

雖然不可能完全消除熱回路區(qū)域，但是我們可以將熱回路分成極性相反的兩個(gè)回路。這可以有效地形成局部磁場(chǎng)，這些磁場(chǎng)在距IC任意位置都可以有效地相互抵消。這就是Silent Switcher穩(wěn)壓器背后的概念。

圖3. Silent Switcher穩(wěn)壓器中的磁場(chǎng)抵消。

倒裝芯片取代鍵合線(xiàn)

改善EMI的另一種方法是縮短熱回路中的導(dǎo)線(xiàn)。這可以通過(guò)放棄將芯片連接至封裝引腳的傳統(tǒng)鍵合線(xiàn)方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在封裝中倒裝硅芯片，并添加銅柱。通過(guò)縮短內(nèi)部FET到封裝引腳和輸入電容的距離，可以進(jìn)一步縮小熱回路的范圍。

Silent Switcher與Silent Switcher 2

圖6. 典型的Silent Switcher應(yīng)用原理圖及其在PCB上的外觀。

圖6顯示了使用Silent Switcher穩(wěn)壓器的一個(gè)典型應(yīng)用，可通過(guò)兩個(gè)輸入電壓引腳上的對(duì)稱(chēng)輸入電容來(lái)識(shí)別。布局在該方案中非常重要，因?yàn)镾ilent Switcher技術(shù)要求盡可能將這些輸入電容對(duì)稱(chēng)布置，以便發(fā)揮場(chǎng)相互抵消的優(yōu)勢(shì)。否則，將喪失SilentSwitcher技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，問(wèn)題是如何確保在設(shè)計(jì)及整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中的正確布局。答案就是Silent Switcher 2穩(wěn)壓器。

Silent Switcher 2

Silent Switcher 2穩(wěn)壓器能夠進(jìn)一步減少EMI。通過(guò)將電容VIN電容、INTVCC和升壓電容）集成到LQFN封裝中，消除了EMI性能對(duì)PCB布局的敏感性，從而可以放置到盡可能靠近引腳的位置。所有熱回路和接地層都在內(nèi)部，從而將EMI降至最低，并使解決方案的總占板面積更小。

圖7. Silent Switcher應(yīng)用與Silent Switcher 2應(yīng)用框圖。

圖8. 去封的LT8640S Silent Switcher 2穩(wěn)壓器。

Silent Switcher 2技術(shù)還可以改善熱性能。LQFN倒裝芯片封裝上的多個(gè)大尺寸接地裸露焊盤(pán)有助于封裝通過(guò)PCB散熱。消除高電阻鍵合線(xiàn)還可以提高轉(zhuǎn)換效率。在進(jìn)行EMI性能測(cè)試時(shí)，LT8640S能滿(mǎn)足CISPR25 Class5峰值限制要求，并且具有較大的裕量。

μModule Silent Switcher穩(wěn)壓器

借助開(kāi)發(fā)Silent Switcher產(chǎn)品組合所獲得的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)，并配合使用現(xiàn)有的廣泛 μModule產(chǎn)品組合，使我們提供的電源產(chǎn)品易于設(shè)計(jì)，同時(shí)滿(mǎn)足電源的某些重要指標(biāo)要求，包括熱性能、可靠性、精度、效率和良好的EMI性能。

圖9所示的LTM8053集成了可實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)抵消的兩個(gè)輸入電容以及電源所需的其他一些無(wú)源組件。所有這些都通過(guò)一個(gè) 6.25 mm ×9 mm × 3.32 mm BGA封裝實(shí)現(xiàn)，讓客戶(hù)可以專(zhuān)心完成電路板的其他部分設(shè)計(jì)。

圖9. LTM8053 Silent Switcher裸露芯片及EMI結(jié)果。

無(wú)需LDO穩(wěn)壓器—電源案例研究

典型的高速ADC需要許多電壓軌，其中一些電壓軌噪聲必須非常低才能實(shí)現(xiàn)ADC數(shù)據(jù)表中的最高性能。為了在高效率、小尺寸板空間和低噪聲之間達(dá)成平衡，普遍接受的解決方案是將開(kāi)關(guān)電源與LDO后置穩(wěn)壓器結(jié)合使用，如圖10所示。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器能夠以更高效率實(shí)現(xiàn)更高的降壓比，但噪聲相對(duì)也較大。低噪聲LDO后置穩(wěn)壓器效率相對(duì)較低，但它可以抑制開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的大部分傳導(dǎo)噪聲。盡可能減小LDO后置穩(wěn)壓器的降壓比有助于提高效率。這種組合能產(chǎn)生干凈的電源，從而使ADC以最高性能運(yùn)行。但問(wèn)題在于多個(gè)穩(wěn)壓器會(huì)使布局更復(fù)雜，并且LDO后置穩(wěn)壓器在較高負(fù)載下可能會(huì)產(chǎn)生散熱問(wèn)題。

圖10. 為AD9625ADC供電的典型電源設(shè)計(jì)。

圖10所示的設(shè)計(jì)顯然需要進(jìn)行一些權(quán)衡取舍。在這種情況下，低噪聲是優(yōu)先考慮事項(xiàng)，因此效率和電路板空間必須做些讓步。但也許不必如此。最新一代的Silent Switcher μModule器件將低噪聲開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)與μModule封裝相結(jié)合，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)易設(shè)計(jì)、高效率、小尺寸和低噪聲的目標(biāo)。這些穩(wěn)壓器不僅盡可能減少了電路板占用空間，而且實(shí)現(xiàn)了可擴(kuò)展性，可使用一個(gè)μModule穩(wěn)壓器為多個(gè)電壓軌供電，進(jìn)一步節(jié)省了空間和時(shí)間。圖11顯示了使用LTM8065 Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器為ADC供電的電源樹(shù)替代方案。

圖11. 使用Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器為AD9625供電，可節(jié)省空間的解決方案。

這些設(shè)計(jì)都已經(jīng)過(guò)相互測(cè)試比較。ADI最近發(fā)表的一篇文章對(duì)使用圖10和圖11所示電源設(shè)計(jì)的ADC性能進(jìn)行了測(cè)試和比較。測(cè)試包括以下三種配置：

使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器為ADC供電的標(biāo)準(zhǔn)配置。

使用LTM8065直接為ADC供電，不進(jìn)行進(jìn)一步的濾波。

使用LTM8065和額外的輸出LC濾波器，進(jìn)一步凈化輸出。

LTM8065

完整的降壓型開(kāi)關(guān)模式電源

低噪聲 Silent Switcher架構(gòu)

寬輸入電壓范圍：3.4V 至 40V

寬輸出電壓范圍：0.97V 至 18V

2.5A 連續(xù)輸出電流，峰值為 3.5A

可選的開(kāi)關(guān)頻率：200kHz 至 3MHz

外部同步

可編程軟啟動(dòng)

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的纖巧、扁平 6.25mm x 6.25mm x 2.32mm BGA 封裝

測(cè)得的SFDR和SNRFS結(jié)果表明，LTM8065可用于直接為ADC供電，并不會(huì)影響ADC的性能。這個(gè)實(shí)施方案的核心優(yōu)勢(shì)是大大減少了元件數(shù)量，從而提高了效率，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)并減少了電路板占位空間。

小結(jié)

總之，隨著更多系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)需要滿(mǎn)足更加嚴(yán)格的規(guī)范，盡可能充分利用模塊化電源設(shè)計(jì)變得至關(guān)重要，尤其在電源設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)有限的情況下。由于許多細(xì)分市場(chǎng)要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須符合最新的EMI規(guī)范要求，因此將Silent Switcher技術(shù)運(yùn)用于小尺寸設(shè)計(jì)，同時(shí)借助μModule穩(wěn)壓器簡(jiǎn)單易用的特性，可以大大縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，同時(shí)還可以節(jié)省電路板空間。

審核編輯：郭婷