0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新型EMIPAK 1B 封裝二極管和MOSFET功率模塊,滿足車載充電應(yīng)用

Vishay威世科技 ? 來源:Vishay威世科技 ? 作者:Vishay威世科技 ? 2022-11-25 15:20 ? 次閱讀

Vishay七款新型二極管MOSFET 功率模塊

靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù)

在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置

Vishay針對(duì)車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用 PressFit 引腳壓合專利技術(shù),將高效快速體二極管 MOSFET 和 SiC、FRED Pt 和 MOAT 二極管技術(shù)結(jié)合在小型 EMIPAK 1B 封裝中。

日前發(fā)布的 Vishay Semiconductors 器件具有車載充電應(yīng)用 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 轉(zhuǎn)換所需的各種電路配置,包括輸入/輸出橋、全橋逆變器功率因數(shù)校正 (PFC),適用于各種額定功率。模塊符合 AQG-324 汽車標(biāo)準(zhǔn),可為電動(dòng) (EV) 和混合動(dòng)力 (HEV) 汽車以及電動(dòng)自行車、農(nóng)業(yè)機(jī)械、鐵路車輛等提供完整解決方案。

器件 EMIPAK 封裝采用矩陣式方法,在同樣的 63 mm x 34 mm x 12 mm 小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。與分立式解決方案相比,有助于提高功率密度,同時(shí)可在工業(yè)和可再生能源應(yīng)用不同功率級(jí)靈活使用每種模塊,適用于焊接、等離子切割、UPS、太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電機(jī)等。

器件的 AI2O3直接敷銅 (DBC) 襯底改進(jìn)了熱性能,經(jīng)過優(yōu)化的布局有助于減小雜散電感,提高EMI性能。模塊 PressFit 引腳壓合技術(shù)便于 PCB 安裝并減少襯底機(jī)械應(yīng)力,而無底座結(jié)構(gòu)減少了需要焊接的接口提高可靠性。

器件規(guī)格

產(chǎn)品編號(hào) 電路配置
VS-ENK025C65S 雙升壓 PFC MOSFET和全橋MOSFET逆變器
VS-ENV020F65U 六個(gè)用于輸出整流的獨(dú)立Ultrafast整流器
VS-ENW30S120T 全橋SiC二極管
VS-ENY050C60 全橋逆變器MOSFET
VS-ENV020M120M 六個(gè)用于交流線路輸入整流的獨(dú)立二極管
VS-ENM040M60P 半控輸入橋加升壓PFC支路MOSFET和半橋逆變器MOSFET
VS-ENZ025C60N 獨(dú)立恢復(fù)二極管雙向交錯(cuò)無橋PFC(四通道)

Vishay 提供全系列硅技術(shù)功率模塊,包括 Si 和 SiC 二極管、 晶閘管、IGBT 和 MOSFET, 以及電容器、分流器、NTC 和 PTC 熱敏電阻等被動(dòng)元件。器件可用來配置各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括標(biāo)準(zhǔn)焊接引腳和 PressFit 端子,適用于廣泛功率范圍。功率模塊符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),可加以定制滿足特定應(yīng)用要求,具有高度靈活性和成本效益,有助于設(shè)計(jì)人員加快產(chǎn)品上市速度并提高整體系統(tǒng)性能。

新型功率模塊現(xiàn)可提供樣品。量產(chǎn)供貨周期為 26 周。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9534

    瀏覽量

    165554
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    143

    文章

    7045

    瀏覽量

    212491
  • Vishay
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    876

    瀏覽量

    116145
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    451

    瀏覽量

    45011
  • 威世
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    39

    瀏覽量

    5658

原文標(biāo)題:新型 EMIPAK 1B 封裝二極管和 MOSFET 功率模塊,滿足車載充電應(yīng)用

文章出處:【微信號(hào):Vishay威世科技,微信公眾號(hào):Vishay威世科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    功率二極管的反向恢復(fù)原理

    功率二極管的反向恢復(fù)現(xiàn)象是電力電子領(lǐng)域中一個(gè)至關(guān)重要的概念,它涉及到二極管在正向?qū)顟B(tài)與反向偏置狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)的動(dòng)態(tài)行為。以下是關(guān)于功率二極管
    的頭像 發(fā)表于 10-15 17:57 ?701次閱讀

    二極管封裝怎么選擇

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《二極管封裝怎么選擇.docx》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-10 09:14 ?1次下載

    功率MOSFET二極管連續(xù)載流能力

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率MOSFET二極管連續(xù)載流能力.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-03 11:41 ?0次下載
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>體<b class='flag-5'>二極管</b>連續(xù)載流能力

    TOLL封裝肖特基二極管,功率型肖特基二極管,貼片型功率肖特基二極管

    TOLL封裝肖特基二極管產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 08-06 08:43 ?284次閱讀
    TOLL<b class='flag-5'>封裝</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>,<b class='flag-5'>功率</b>型肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>,貼片型<b class='flag-5'>功率</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>

    肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管,是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管(如普通二極管、鍺
    的頭像 發(fā)表于 07-24 15:05 ?4898次閱讀

    低壓降VF肖特基二極管 TO-277B封裝

    MOS工藝的芯片,基本上都是低壓降VF肖特基二極管。當(dāng)然,也有廠商會(huì)使用尺寸較大的平面芯片做低電流的產(chǎn)品,以達(dá)到較低的VF值。以東沃電子推出的TO-277B封裝肖特
    的頭像 發(fā)表于 04-12 17:26 ?6496次閱讀
    低壓降VF肖特基<b class='flag-5'>二極管</b> TO-277<b class='flag-5'>B</b><b class='flag-5'>封裝</b>

    東芝推出高速二極管功率MOSFET助力提高電源效率

    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
    的頭像 發(fā)表于 02-22 18:22 ?1376次閱讀
    東芝推出高速<b class='flag-5'>二極管</b>型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>助力提高電源效率

    肖特基二極管常見型號(hào) 肖特基二極管是穩(wěn)壓二極管

    二極管的常見型號(hào)包括1N5817、1N5818、1N5819、BAT41等。這些型號(hào)通常由半導(dǎo)體廠商或電子元器件供應(yīng)商提供,具有不同的電流和電壓等級(jí),以
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:47 ?1506次閱讀

    瞬態(tài)抑制二極管的特點(diǎn) 瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝有哪些?

    瞬態(tài)抑制二極管的特點(diǎn) 瞬態(tài)電壓抑制二極管封裝有哪些?瞬態(tài)電壓抑制二極管如何選型? 瞬態(tài)抑制二極管(簡(jiǎn)稱TVS
    的頭像 發(fā)表于 02-05 17:34 ?839次閱讀

    mos二極管的作用是什么

    的。在功率MOSFET中,這種體二極管尤為重要,因?yàn)樗鼘?duì)器件的性能和可靠性有很大影響。 要了解MOS二極管的作用,首先需要了解
    的頭像 發(fā)表于 01-31 16:28 ?5754次閱讀
    mos<b class='flag-5'>管</b>體<b class='flag-5'>二極管</b>的作用是什么

    肖特基二極管常見型號(hào) 肖特基二極管和普通二極管區(qū)別

    Schottky)于1938年首次提出并命名,肖特基二極管因此得名。 肖特基二極管的常見型號(hào)有1N5711、1N5712、1N5817、
    的頭像 發(fā)表于 01-30 10:35 ?5520次閱讀

    什么是紅外二極管?發(fā)光二極管?紅外二極管與發(fā)光二極管的區(qū)別

    什么是紅外二極管?發(fā)光二極管又是什么呢?紅外二極管與發(fā)光二極管的區(qū)別? 紅外二極管和發(fā)光二極管
    的頭像 發(fā)表于 01-26 15:42 ?1657次閱讀

    變阻二極管與普通二極管的區(qū)別在哪?

    二極管。雖然兩者具有相似的命名,但它們之間也存在一些關(guān)鍵的區(qū)別。在本文中,我們將詳細(xì)介紹變阻二極管和普通二極管之間的區(qū)別,以便更好地理解它們的工作原理和應(yīng)用。 一、定義: 1.普通
    的頭像 發(fā)表于 01-12 14:44 ?988次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率二極管

    功率二極管(Power Diode)是一種分立式電力半導(dǎo)體器件,它的電壓和電流應(yīng)用范圍遠(yuǎn)大于一般的小信號(hào)二極管,可用于整流、鉗位、瞬態(tài)電壓抑制、續(xù)游、吸收、調(diào)制、 轉(zhuǎn)換等。功率
    的頭像 發(fā)表于 01-10 15:59 ?1900次閱讀
    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>二極管</b>

    MOSFET為什么有“體二極管

    MOSFET為什么有“體二極管
    的頭像 發(fā)表于 12-14 11:26 ?1257次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>為什么有“體<b class='flag-5'>二極管</b>”