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STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

潘霞 ? 來源: samsun2016 ? 作者: samsun2016 ? 2022-11-29 15:57 ? 次閱讀

STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。

STT-MRAM的優(yōu)點(diǎn)

?足夠快,可以作為工作記憶→更換psRAM和SRAM

?非易失性,無需電源即可維護(hù)數(shù)據(jù)→替換nvSRAM、NOR

?無電容器,無需電池→更換nvSRAM+Super Cap。和SRAM+電池

MRAM產(chǎn)品應(yīng)用

?工業(yè)、汽車、航空電子和航天應(yīng)用

-寬溫度范圍,低軟錯(cuò)誤率,比Flash更可靠

?物聯(lián)網(wǎng)和關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)

-斷電時(shí)立即備份

-無需從Flash啟動(dòng)

-無需復(fù)制到DRAM或SRAM

?醫(yī)療系統(tǒng)

-快速數(shù)據(jù)記錄

?企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

-寫入緩沖區(qū)、元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、索引存儲(chǔ)器

?更換LP SRAM、NOR閃存、EEPROM

?豐富的嵌入式應(yīng)用程序

-在高性能多處理器系統(tǒng)中替換大緩存

-用于AI系統(tǒng)的分布式持久存儲(chǔ)器

-更換eFlash、eSRAM和eDRAM

審核編輯:湯梓紅

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