作為比較成熟的第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵(GaN)功率器件基于其極快的開關(guān)速度,優(yōu)秀的導(dǎo)通阻抗,以及極低的開關(guān)損耗,可以使Flyback拓?fù)涞墓ぷ黝l率提升到500kHz以上,在縮減電源體積的同時(shí)能夠提升電源的轉(zhuǎn)換效率;
因此,GaN在Flyback拓?fù)涞目斐?a target="_blank">產(chǎn)品上得到了廣泛的應(yīng)用。
芯茂微第二代高頻高頻QR GaN控制器
LP884XXX系列產(chǎn)品,專門針對(duì)GaN的特性而進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì):
01
在QR模式下,工作頻率25kHz~500kHz,并具有谷底鎖定開通模式;
02
內(nèi)置高壓啟動(dòng)(HV)和X電容泄放功能;
03
極輕載時(shí)“軟跳頻”工作模式可實(shí)現(xiàn)低功耗、無噪音;
04
芯片內(nèi)置輸出電流感應(yīng)和計(jì)算單元,可以準(zhǔn)確控制電源的輸出過流點(diǎn);
05
豐富的保護(hù)功能,根據(jù)保護(hù)后動(dòng)作的不同,分為:
多種版本?全方位適應(yīng)各種應(yīng)用場景
管腳封裝
型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳,以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高壓輸出時(shí)的功率消耗;亦可以只使用VccH管腳,以節(jié)約外部LDO器件或Vcc繞組及整流濾波電路的成本。
左圖:LP8843雙繞組:降低高壓輸出功耗,降低待機(jī)功耗
右圖:LP8843單繞組:無需外接LDO電路,節(jié)省成本
65W PD Demo
轉(zhuǎn)換效率可達(dá)94%以上
多重噪音抑制功能
精準(zhǔn)谷底鎖定開通?軟跳頻?對(duì)稱抖頻
精準(zhǔn)輸出過流點(diǎn)控制
芯片內(nèi)置精確的輸出電流感應(yīng)和計(jì)算單元
優(yōu)異的待機(jī)功耗
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:芯茂微高頻QR GaN控制器上線,“芯”之所向,點(diǎn)亮夢想
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