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光芯片深度報(bào)告

傳感器技術(shù) ? 來源:傳感器技術(shù) ? 作者:馬天詣 馬佳偉 ? 2022-12-01 11:43 ? 次閱讀

芯片歸屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域,是光電子器件的核心組成部分。其應(yīng)用場景遠(yuǎn)不僅僅局限于通信領(lǐng)域,在工業(yè)、消費(fèi)電子、汽車、軍事等領(lǐng)域均有非常廣泛的應(yīng)用。 本期的智能內(nèi)參,我們推薦民生證券的報(bào)告《光芯片行業(yè)系列深度一》,揭秘光芯片的技術(shù)細(xì)節(jié)及市場格局。 原標(biāo)題:《光芯片行業(yè)系列深度一》作者: 01.立于時代風(fēng)口,下一輪科技革命光芯片歸屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域,是光電子器件的核心組成部分。半導(dǎo)體整體可以分為分立器件和集成電路兩大類,數(shù)字芯片和模擬芯片等電芯片歸屬于集成電路,光芯片則是分立器件大類下光電子器件的核心組成部分。典型的光電子器件包括了激光器、探測器等。

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▲光芯片是光電子器件的核心組成部分 作為激光器/探測器等光電子器件的核心組成部分,光芯片是現(xiàn)代光通信系統(tǒng)的核心?,F(xiàn)代光通信系統(tǒng)是以光信號信息載體,以光纖作為傳輸介質(zhì),通過電光轉(zhuǎn)換,以光信號進(jìn)行傳輸信息的系統(tǒng)。從傳輸信號的過程來看,首先發(fā)射端通過激光器內(nèi)的光芯片進(jìn)行電光轉(zhuǎn)換,將電信號轉(zhuǎn)換為光信號,經(jīng)過光纖傳輸至接收端,接收端通過探測器內(nèi)的光芯片進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,將光信號轉(zhuǎn)換為電信號。其中,核心的光電轉(zhuǎn)換功能由激光器和探測器內(nèi)的光芯片(激光器芯片/探測器芯片)來實(shí)現(xiàn),光芯片直接決定了信息的傳輸速度和可靠性。

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▲光通信系統(tǒng)示意圖 光芯片的應(yīng)用場景遠(yuǎn)不僅僅局限于通信領(lǐng)域,廣義上的光芯片在工業(yè)、消費(fèi)電子、汽車、軍事等領(lǐng)域均有非常廣泛的應(yīng)用。當(dāng)前光子已站上時代風(fēng)口,有望引領(lǐng)后摩爾時代的科技革命。未來的時代或?qū)⑹且粋€光子大規(guī)模替換電子的時代,光網(wǎng)絡(luò)傳輸有望成為人類信息文明最重要的基礎(chǔ)設(shè)施。 光芯片只是光子產(chǎn)業(yè)上游的一小部分,站在整個光子產(chǎn)業(yè)的宏觀視角,根 據(jù) Photonics21 發(fā)布的《Market Data and Industry Report 2020》顯示:自 2015 年以來,全球市場規(guī)模以每年 7%的速度增長。其中, 2019 年的全球市場規(guī)模達(dá)到 6900 億歐元,預(yù)計(jì) 2025 年將進(jìn)一步增至 9000 億歐元。

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▲全球光子產(chǎn)業(yè)市場快速發(fā)展規(guī)模 從更為具體的應(yīng)用場景的視角,以通過電子躍遷產(chǎn)生光子的激光器芯片為例,其應(yīng)用場景涵蓋各個環(huán)節(jié)。根據(jù)其產(chǎn)生光子的用途,可大致分為能量光子、信息光子和顯示光子。能量光子的應(yīng)用場景涉及光纖激光器、醫(yī)療美容等,信息光子的應(yīng)用場景包括通信、汽車自動駕駛、手機(jī)人臉識別、軍工等,顯示光子的典型應(yīng)用場景有激光照明、激光電視、汽車車燈等。

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▲光子的不同應(yīng)用場景 光通信是光芯片最核心的應(yīng)用領(lǐng)域之一,光通信領(lǐng)域的光芯片整體可分為有源和無源兩大類,并可按功能等維度進(jìn)一步細(xì)分。根據(jù)有源芯片功能,可分為發(fā)射光信號的激光器芯片、接收光信號的探測器芯片、調(diào)制光信號的調(diào)制器芯片等。無源芯片方面,主要由基于平面光波導(dǎo)技術(shù)調(diào)控光路傳輸?shù)?PLC 光分路器芯片、AWG 芯片、VOA 芯片等構(gòu)成。綜合來看,激光器芯片和探測器芯片是應(yīng)用最多、最為核心的兩類光芯片。

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▲光通信領(lǐng)域激光器/探測器芯片應(yīng)用場景為光模塊

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▲光通信領(lǐng)域激光器芯片和探測器芯片的特點(diǎn)及應(yīng)用場景 激光器芯片可進(jìn)一步分類,例如 1)按出光結(jié)構(gòu),可分為面發(fā)射的 VCSEL(垂直腔面反射激光器)芯片,以及邊發(fā)射的 FP(法布里-珀羅激光器)、DFB(分布反饋式激光器)和 EML(電吸收調(diào)制激光器)芯片;2)按調(diào)制方式,可分為直接調(diào)制激光器 DML(包括 VCSEL、FP、DFB)芯片和電吸收調(diào)制激光器 EML 芯片(集成了 EAM 調(diào)制器和 DFB 芯片);3)從距離角度,F(xiàn)P 和 VCSEL 芯片適合短距離場景,中距離場景多采用 DFB 芯片,長距離場景主要采用 EML 芯片。 從工作原理來看,激光器芯片核心是施加一定的激勵方式(如將電流注入芯片核心量子阱區(qū)域),利用半導(dǎo)體物質(zhì)在能帶間躍遷發(fā)光以激發(fā)出光子,并在光波導(dǎo)和有光學(xué)鍍膜的解理端面(用半導(dǎo)體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡從而組成諧振腔)間進(jìn)行震蕩、反饋。最后輻射放大形成相位和方向高度一致的光子,即發(fā)射激光。以上過程需滿足三個條件。 探測器芯片同樣種類很多,原理上基于光電效應(yīng)(可分為內(nèi)光電效應(yīng)和外光電效應(yīng)),通信領(lǐng)域的探測器細(xì)分來看可歸為基于內(nèi)光電效應(yīng)的光生伏特探測器,根據(jù)放大與否,可進(jìn)一步分為非放大的 PIN(二級管探測器)和包含放大的 APD(雪崩二級管探測器)兩種。 前者的靈敏度相對較低,但噪聲小,工作電壓低,成本低,適用于中短距離的光通信傳輸。APD 在靈敏度以及接收距離上優(yōu)于 PIN,但成本高于 PIN。PIN 的工作流程分為兩步,一是材料在入射光照射下產(chǎn)生光生載流子,二是光電流與外圍電路間的相互作用并輸出電信號。與 PIN 相較,APD 較之 PIN探測器多了一個雪崩倍增區(qū)域,加上一個較高的反向偏置電壓后,利用雪崩擊穿效應(yīng),可在 APD 中獲得一個很大的內(nèi)部電流增益,從而實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度等優(yōu)勢。 02.雙輪驅(qū)動,光芯片成長空間大激光器芯片在數(shù)通市場和電信市場均有廣泛應(yīng)用,在數(shù)通市場應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)部、數(shù)據(jù)中心互聯(lián)(DCI)場景下的相關(guān)光模塊,在電信市場應(yīng)用于接入網(wǎng)(光纖接入、無線接入)和傳輸網(wǎng)場景下的相關(guān)光模塊。不同應(yīng)用場景下的激光器芯片有所不同,大致而言, 數(shù)通市場:短距離(100m 或以下)的 AOC/SR 光模塊主要用 VCSEL 芯片,500m~2km 應(yīng)用場景下的 DR/FR/PSM/CWDM 等光模塊主要用DFB 或 EML 芯片,10km/40km/80km 等長距離應(yīng)用場景下的 LR/ER等光模塊以 EML 芯片為主。 電信市場:光纖接入 PON 光模塊以 DFB 和 EML 芯片為主、無線接入的前傳光模塊以 DFB 芯片為主,長距離傳輸場景應(yīng)用于傳輸網(wǎng)的光模塊以EML 芯片為主。 數(shù)通領(lǐng)域當(dāng)前景氣度高企,并有望進(jìn)一步持續(xù)。北美云巨頭的 CAPEX 是數(shù)通領(lǐng)域景氣度的風(fēng)向標(biāo),整體來看 CAPEX 成長性突出,同時伴隨云巨頭階段性去庫存、IDC 建設(shè)節(jié)奏等原因,CAPEX 也會呈現(xiàn)一定波動性。近期來看,自 21 年初以來 CAPEX 持續(xù)處于上升通道。 根據(jù) 22Q2 數(shù)據(jù),亞馬遜/Meta/微軟/谷歌四家的 CAPEX 合計(jì)為 370.0 億美元,同比增長 19.9%,環(huán)比增長 4.2%。從全年的指引來看,亞馬遜預(yù)計(jì) AWS 相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施投入比重將從 2021 年的約四成提升至一半以上,Meta 小幅上調(diào)了指引下限(從之前的 290~340 億美元,調(diào)整至300~340 億美元),谷歌預(yù)計(jì)全年 CAPEX 同比增加。 同時也可以看到,雖然宏觀經(jīng)濟(jì)壓力、美元走強(qiáng)等因素對北美云巨頭的傳統(tǒng)業(yè)務(wù)有一定影響,但各家的云業(yè)務(wù)仍是核心增長引擎,亞馬遜 AWS/微軟 Azure/谷歌云連續(xù)多季度保持至少 30%以上的同比增長。 綜合來看,中短期而言數(shù)通領(lǐng)域景氣度仍將持續(xù)攀升。中長期維度來看,未來隨著 5G 相關(guān)應(yīng)用進(jìn)程加快,云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展,元宇宙布局加速推進(jìn),都將推動算力需求和數(shù)據(jù)流量的加速增長,各大云計(jì)算巨頭的基礎(chǔ)設(shè)施投入預(yù)計(jì)持續(xù)保持高位,我們認(rèn)為新一輪數(shù)據(jù)流量投資浪潮已經(jīng)啟動,數(shù)通市場已邁入 3~5 年的景氣上行周期。 從行業(yè)層面來看,根據(jù) Lightcounting 的統(tǒng)計(jì),2020 年和 2021 年由于新冠疫情,人們開始轉(zhuǎn)向居家辦公,因而對更快、更高可靠性的網(wǎng)絡(luò)的需求更為強(qiáng)烈。因此雖然供應(yīng)鏈短缺因素仍在持續(xù),但是行業(yè)能夠很大程度上克服這些問題,光模塊行業(yè)在 2020 年和 2021 年實(shí)現(xiàn)了 17%和 9%的增長,并且Lightcounting 預(yù)測2022年有望再次實(shí)現(xiàn) 17%的收入增長。 中長期維度來看,Lightcounting 提高了 2022~2027 年的整體預(yù)期,同時預(yù)計(jì) 2022~2027 年光模塊行業(yè)整體的年復(fù)合增速為 12%。這其中,用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的以太網(wǎng)光模塊及可用于數(shù)通中心互聯(lián)的 DWDM 光模塊預(yù)計(jì)將在 2022~2027 年引領(lǐng)增長。 從部分?jǐn)?shù)通光模塊頭部廠商的業(yè)績來看,2020 年光模塊行業(yè)迎來 100G向 400G 迭代所帶來的需求放量,先發(fā)優(yōu)勢顯著的高端數(shù)通光模塊龍頭中際旭創(chuàng)和新晉突破海外數(shù)通大客戶的新易盛,業(yè)績迎來顯著增長。2022H1,受益于客戶加快部署 200G/400G 等高端光模塊,光模塊廠商業(yè)績繼續(xù)保持高增速。 中際旭創(chuàng) 22H1 實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 42.31 億元,同比增長 28.3%,實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 4.92 億元,同比增長 44.5%。新易盛 22H1實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 14.79 億元,同比增長 2.6%,實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤 4.61 億元,同比增長 42.8%。另一方面,800G 需求有望在年末迎來放量,數(shù)通光模塊行業(yè)即將進(jìn)入 400 向 800G 迭代期,整體高景氣有望延續(xù)。 從電信市場來看,光纖接入光模塊整體保持平穩(wěn)增長。根據(jù) LightCounting的統(tǒng)計(jì),2020 年全球 FTTx 光模塊市場出貨量約 6289 萬只,市場規(guī)模為 4.73 億美元,Lightcounting 預(yù)計(jì)至 2025 年全球出貨量將達(dá)到 9208 萬只,市場規(guī)模將 達(dá) 6.31 億美元,2020~2025 年的年復(fù)合增速分別為 7.9%和 5.9%。 國內(nèi)千兆寬帶加速建設(shè)助力具備千兆網(wǎng)絡(luò)服務(wù)能力的 10G PON 光模塊市場持續(xù)火熱。隨著光纖到戶向千兆接入演進(jìn),光纖接入光模塊從 GPON 向 10G PON升級。2020 年以來,國內(nèi)電信運(yùn)營商加速千兆寬帶網(wǎng)絡(luò)建設(shè),整體超前完成政策目標(biāo),帶動 10G PON 光模塊市場持續(xù)火熱。 從工信部公布的 2022 年 6 月的數(shù)據(jù)來看,千兆寬帶用戶數(shù)已達(dá) 6111 萬戶,具備千兆網(wǎng)絡(luò)服務(wù)能力的 10G PON 端口數(shù)已達(dá) 1103 萬個,與工信部 2021 年發(fā)布的《“雙千兆”網(wǎng)絡(luò)協(xié)同發(fā)展行動計(jì)劃(2021-2023)》和《“十四五”信息通信行業(yè)發(fā)展規(guī)劃》中的目標(biāo)相比較,2023年目標(biāo)已超前達(dá)成,2025 年的千兆寬帶用戶數(shù)目標(biāo)也已超前達(dá)成。 伴隨 10G PON 需求火熱,國內(nèi)主要廠商的業(yè)績也迎來加速增長,從而推動10G PON 相關(guān)的激光器芯片需求持續(xù)走高。國內(nèi)主要的 10G PON 廠商包括了博創(chuàng)科技、中際旭創(chuàng)、華工科技、光迅科技等。以頭部企業(yè)博創(chuàng)科技為例,伴隨著 10GPON 需求的火熱,公司光有源器件的收入在 2020 年迎來顯著提升,從 2019 年 的 1.81 億元提升至 2020 年的 5.13 億元。 2021 年,公司的 10G ComboPONOLT 局端光模塊出貨量超 100 萬只。從激光器芯片龍頭源杰科技的 2.5G/10G 激光器芯片的合計(jì)收入來看,從 2019 年的 0.81 億元增至 2021 年的 1.96 億元,年復(fù)合增速達(dá) 55.9%。 除了 10G PON 局端光模塊(OLT)的持續(xù)火熱外,當(dāng)前運(yùn)營商已開始加大10G PON 終端光模塊(ONU)的需求。展望未來,考慮到當(dāng)前國內(nèi)千兆寬帶用戶的滲透率剛過 10%,伴隨著用戶基數(shù)的不斷增大,10G PON 終端光模塊的空間非常大。另一方面,從國外的情況來看,歐美光纖到戶整體的滲透率相對更低,當(dāng)前處于高速增長期,特別是在疫情大背景下對家庭寬帶有更高需求,歐美運(yùn)營商對10G PON 的需求也開始顯著提升,因而光纖接入市場高景氣預(yù)計(jì)延續(xù)。

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▲國內(nèi)千兆用戶滲透率情況(單位:萬戶) 除了光纖接入領(lǐng)域,電信市場的核心波分領(lǐng)域(CWDM/DWDM)預(yù)計(jì)也將保持高景氣。根據(jù) Lightcounting 的統(tǒng)計(jì),2020 年全球電信側(cè)光模塊市場無線前傳、(中)回傳和核心波分(CWDM/DWDM)對應(yīng)的規(guī)模分別為 8.21 億美元、2.61 億美元、10.84 億美元。 Lightcounting 預(yù)測,2025 年,無線前傳光模塊市場由于 5G 建設(shè)回落,市場規(guī)模將降至 5.88 億美元,(中)回傳光模塊市場整體平穩(wěn),小幅降至 2.48 億美元。增長將主要來源于核心波分領(lǐng)域的高速增長,2025 年 達(dá) 25.18 億美元,2020~2025 年的年復(fù)合增速達(dá) 18.4%。

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▲全球電信側(cè)光模塊市場規(guī)模及預(yù)測(單位,百萬美元,不包括 FTTx) 光通信領(lǐng)域激光器芯片當(dāng)前全球整體市場規(guī)模預(yù)計(jì)超 10 億美元。源杰科技《首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市申請文件的第二輪審核問詢函的回復(fù)》中,基于下列前提條件及假設(shè)進(jìn)行了粗略測算。根據(jù)測算結(jié)果,2021 年光通信領(lǐng)域激光器芯片和探測器芯片的合計(jì)市場規(guī)模約 22.7 億美元。 考慮到激光器芯片價格大致與探測器芯片價格較為相近,因而 2021 年光通信領(lǐng)域激光器芯片大致的市場規(guī)模約 11.4 億美元。根據(jù)以上測算同時可以發(fā)現(xiàn),用于中低速率(10G 及以下速率)光模塊的激光器芯片市場規(guī)模約 3.0 億美元,小于用于高速率光模塊里的激光器芯片市場規(guī)模億 8.3 億美元。

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▲光通信領(lǐng)域光芯片(激光器芯片+探測器芯片)市場規(guī)模測算(單位:億美元) 展望未來,根據(jù) Lightcounting 預(yù)測,2022 年全球光模塊行業(yè)整體增速 17%,同時 2022~2027 年的年復(fù)合增速為 12%,因此 2021~2027 年全球光模塊行業(yè)的年復(fù)合增速為 12.8%。 粗略假設(shè)上游光通信領(lǐng)域激光器芯片行業(yè)保持同樣增速,則 2027 年光通信領(lǐng)域激光器芯片市場規(guī)模約為 23.5 億美元??紤]到當(dāng)前國內(nèi)廠商激光器芯片業(yè)務(wù)規(guī)模多在千萬級或剛剛過億級,國內(nèi)廠商整體成長空間廣闊。 03.國產(chǎn)替代動力十足高端產(chǎn)品替代加速啟動從產(chǎn)業(yè)鏈來看,光通信產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化替代加速從下游向上游傳導(dǎo),上游芯片作為“卡脖子”環(huán)節(jié)亟待國產(chǎn)替代的進(jìn)一步深入。下游以華為、中興為代表的設(shè)備商已是行業(yè)領(lǐng)軍者,而光模塊領(lǐng)域在過去十年依托工程師紅利、勞動力紅利、供應(yīng)鏈優(yōu)勢等因素也快速完成了國產(chǎn)化替代。 根據(jù) Lightcounting 的統(tǒng)計(jì),2010 年僅一家國內(nèi)廠商躋身前十之列,到了 2021 年,前十大之中國內(nèi)廠商已占據(jù)半壁江山。與之相較,海外光模塊廠商在人力成本、供應(yīng)鏈完善程度逐漸處于劣勢,因而更多側(cè)重于高端光器件及門檻較高的上游光芯片等環(huán)節(jié)。光芯片而言,當(dāng)前高端產(chǎn)品仍是海外主導(dǎo),國內(nèi)廠商的整體實(shí)力與海外龍頭仍有差距。

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▲2010~2021 年全球光模塊前十大廠商排名 近年來相關(guān)政策頻出,國產(chǎn)替代迎來重要發(fā)展機(jī)遇。伴隨近年來中美貿(mào)易摩擦等因素影響,國家層面聚焦于加強(qiáng)光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)布局: 1) 2017 年 12 月,中國電子元件行業(yè)協(xié)會發(fā)布了《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018-2022 年)》,在分析產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上,提出了發(fā)展思路與發(fā)展目標(biāo),并明確了光芯片領(lǐng)域的重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)品,為行業(yè)發(fā)展定下了重要基調(diào),行業(yè)由此開啟迎來了重要發(fā)展期,國產(chǎn)替代開始全速推進(jìn)。 2) 2021 年 3 月,工信部發(fā)布《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計(jì)劃(2021-2023 年》,對于光通信領(lǐng)域,強(qiáng)調(diào)了要重點(diǎn)發(fā)展高速光通信芯片、高速高精度光探測器、高速直調(diào)和外調(diào)制激光器、高速調(diào)制器芯片、高功率激光器、光傳輸用數(shù)字信號處理器芯片、高速驅(qū)動器和跨阻抗放大器芯片。 3) 2022 年 6 月,在《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018-2022年)》的基礎(chǔ)上,工信部進(jìn)一步開啟編制《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2023-2027 年)》,行業(yè)預(yù)計(jì)將加速邁入下一個高速發(fā)展期。

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▲近年來光芯片相關(guān)的部分重要政策 整體來看,從產(chǎn)品的角度,當(dāng)前 10G 及以下的中低端產(chǎn)品國產(chǎn)程度已經(jīng)較高,25G 已有少部分廠商能批量發(fā)貨,25G 以上處于研究或小規(guī)模試產(chǎn)階段,近年來頭部廠商在高端產(chǎn)品領(lǐng)域的進(jìn)展加速明顯。從應(yīng)用領(lǐng)域的角度,當(dāng)前國內(nèi)廠商在電信市場的光纖接入和無線接入領(lǐng)域參與程度較高,同時在以中高端需求為主的數(shù)通市場也開始加速推進(jìn)。 從外延能力角度,雖然國內(nèi)廠商激光器芯片核心的外延技術(shù)整體仍有較大提升空間,高端的外延片仍需要向國際外延廠采購,但同時也可以看到越來越多的光芯片廠商開始強(qiáng)化自身的外延能力,開始向 IDM 模式發(fā)展。因而,技術(shù)能力突出聚焦高端產(chǎn)品國產(chǎn)替代,具備自主外延設(shè)計(jì)和制備能力以 IDM 模式發(fā)展的國內(nèi)廠商競爭優(yōu)勢顯著有望迎來重要發(fā)展機(jī)遇,伴隨高端產(chǎn)品開啟國產(chǎn)替代&數(shù)通領(lǐng)域滲透啟動,有望充分打開未來成長空間。 首先,從產(chǎn)品角度,10G 及以下的中低端芯片國產(chǎn)替代持續(xù)深入,國產(chǎn)化程度已經(jīng)較高。國內(nèi)廠商基本掌握了 2.5G 和 10G 產(chǎn)品的核心技術(shù),除了部分型號產(chǎn)品(如 10G EML 激光器芯片)國產(chǎn)化率相對較低,大部分產(chǎn)品已基本能實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。 具體來看,根據(jù) ICC 咨詢的統(tǒng)計(jì),1)中低端的 2.5G 及以下 DFB/FP:基本全由國內(nèi)廠商主導(dǎo),市場份額相對分散整體競爭激烈,國外廠商出于成本等因素的考慮已基本退出了相關(guān)市場,2021 年國產(chǎn)的相關(guān)產(chǎn)品占全球市場比重超 90%;2)10G DFB:國內(nèi)廠商同樣份額居前,2020 年源杰科技以 20%的市占率居首,云嶺光電/中電 13 所/中科光芯分居 3~5 位,國產(chǎn)占全球市場比重約 60%。 從高端的激光器芯片(如 25G DFB,10G/25G/50G EML 等)情況來看,雖 然根據(jù) ICC 統(tǒng)計(jì),2020 年,25G 光芯片的國產(chǎn)化率約 20%,25G 以上光芯片的國產(chǎn)化率仍較低約 5%。但可以明顯看到,近年來技術(shù)實(shí)力相對強(qiáng)勁的國內(nèi)頭部廠商進(jìn)展明顯迅速,用于 5G 前傳的 25G DFB、用于光纖接入的 10G EML 國產(chǎn)替代進(jìn)程加速度明顯,同時 50G EML 也開始推進(jìn)。 光芯片位于整個產(chǎn)業(yè)鏈的頂端,占據(jù)光模塊成本的50%以上,是整個光通訊產(chǎn)業(yè)鏈條中技術(shù)最復(fù)雜、價值最高的環(huán)節(jié)。隨著摩爾定律腳步的放緩,探索新的技術(shù)已經(jīng)成為目前半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵任務(wù)。將光子和集成電路的電子結(jié)合在一起,甚至是用光子替代電子形成“片上光互聯(lián)”,以實(shí)現(xiàn)對現(xiàn)有光模塊產(chǎn)業(yè)鏈的重塑,正成為半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)個“顛覆式創(chuàng)新”中的重要方向之一。

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原文標(biāo)題:光芯片深度報(bào)告,下一代芯片革命技術(shù),國產(chǎn)替代動力十足

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