ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

非常有助于提高無線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。

近年來，隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導(dǎo)致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。

針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業(yè)界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的優(yōu)勢，通過靈活運(yùn)用其IC工藝，大大降低了在以往分立器件的工藝中會增加的布線電阻，開發(fā)出功率損耗更低的小型功率MOSFET。

新產(chǎn)品采用融入了ROHM自有IC工藝的晶圓級芯片尺寸封裝*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在實現(xiàn)小型化的同時還降低了功耗。與相同封裝的普通產(chǎn)品相比，表示導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之間關(guān)系的指標(biāo)（導(dǎo)通電阻*3×Qgd*4）改善了20%左右，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平（1.0mm×0.6mm以下封裝產(chǎn)品比較），非常有助于縮減各種小型設(shè)備電路板上的元器件所占面積并進(jìn)一步提高效率。另外，還采用ROHM自有的封裝結(jié)構(gòu)，使側(cè)壁有絕緣保護(hù)（相同封裝的普通產(chǎn)品沒有絕緣保護(hù)）。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設(shè)備中，使用這款新產(chǎn)品可降低因元器件之間的接觸而導(dǎo)致短路的風(fēng)險，從而有助于設(shè)備的安全運(yùn)行。

新產(chǎn)品已于2022年11月開始暫以月產(chǎn)1,000萬個（樣品價格100日元/個，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售，通過Oneyac，Sekorm等電商平臺均可購買。

ROHM將繼續(xù)開發(fā)導(dǎo)通電阻更低、尺寸更小的產(chǎn)品，通過進(jìn)一步提高各種小型設(shè)備的效率，來為解決環(huán)保等社會課題貢獻(xiàn)力量。

＜新產(chǎn)品的主要特性＞

＜應(yīng)用示例＞

◇無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備

◇智能手表、智能眼鏡、運(yùn)動相機(jī)等可穿戴設(shè)備

◇智能手機(jī)

此外，還適用于其他各種輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。

＜術(shù)語解說＞

*1) Nch MOSFET

通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。

相比Pch MOSFET，其漏源間的導(dǎo)通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

*2) 晶圓級芯片尺寸封裝

一種在整片晶圓上形成引腳并進(jìn)行布線等，然后再切割得到單個成品芯片的超小型封裝形式。與將晶圓切割成單片后通過樹脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。

*3) 導(dǎo)通電阻

MOSFET導(dǎo)通時漏極和源極之間的電阻值。該值越小，導(dǎo)通時的損耗（功率損耗）越少。

*4) Qgd（柵極-漏極間電荷量）

MOSFET開始導(dǎo)通后，柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小，開關(guān)速度越快，開關(guān)時的損耗（功率損耗）越小。