18W PD快充芯片U6615S有效縮短充電時(shí)長(zhǎng)

18W PD快充芯片U6615S有效縮短充電時(shí)長(zhǎng)

為了滿足5G、大屏幕以及處理器的負(fù)載要求，智能手機(jī)勢(shì)必要搭載越來(lái)越大容量的電池。在不能過(guò)多的增長(zhǎng)手機(jī)的體積以及重量的情況下，手機(jī)廠商都執(zhí)著于不斷發(fā)展快充技術(shù)。采用深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U6615S，可有效縮短充電時(shí)長(zhǎng)，及時(shí)給手機(jī)續(xù)航。

低待機(jī)功率、低功耗、低電磁兼容性

和低成本的PD快充芯片U6615S

結(jié)合了一個(gè)專(zhuān)用的電流模式PWM

帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，

適用于18W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。

U6615S集成 650V MOSFET，±4% 恒流、恒壓精度，

待機(jī)功耗<70mW，多模式原邊控制方式，

工作無(wú)異音，優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，可調(diào)式線損補(bǔ)償，

集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償，

集成有多種保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過(guò)壓保護(hù)(OVP)、

逐周期限流保護(hù) (OCP)、短路保護(hù)(SLP)和VDD箝位等。

PD快充芯片U6615S具有數(shù)字頻率

洗牌技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)電磁干擾性能，

固定65k HzPWM開(kāi)關(guān)頻率，

低待機(jī)功耗(<75米W@230Vac)；

軟啟動(dòng)，以減少M(fèi)OSFET VD S應(yīng)力；

低啟動(dòng)電流(<10uA@VCC=12V)。

輸出規(guī)格為5、9、12-18W，

應(yīng)用于PD/QC市場(chǎng)，VDD-40V max18W，

引腳特征如下：1 腳GND 芯片參考地。

2 腳VDD 芯片供電管腳。

3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時(shí)連接于

光電耦合器相連，此腳位電壓決定了

PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比和CS管腳的關(guān)斷電壓。

4 腳CS 電流采樣輸入管腳

5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

審核編輯 ：李倩