DW03D 單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)IC 內(nèi)置MOS

概述

DW03D產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。DW03D包括了先進(jìn)的功率MOSFET，高精度的電壓檢測電路和延時電路。

DW03D具有非常小的TSS08-8的封裝,這使得該器件非常適合應(yīng)用于空間限制得非常小的可充電電池組應(yīng)用。

DW03D具有過充，過放，過流，短路等所有的電池所需保護(hù)功能，并且工作時功耗非常低。

該芯片不僅僅是為手機而設(shè)計，也適用于一切需要鋰離子或鋰聚合物可充電電池長時間供電的各種信息產(chǎn)品的應(yīng)用場合。

特點

內(nèi) 部集 成等 效 45mΩ-60mΩ 的 先進(jìn) 的功 率MOSFET；

過充電流保護(hù)；

3 段過流保護(hù)：過放電流 1、過放電流 2（可選）、負(fù)載短路電流；

充電器檢測功能；

延時時間內(nèi)部設(shè)定；

高精度電壓檢測；

低靜態(tài)耗電流：正常工作電流 3.8uA

兼容 ROHS 和無鉛標(biāo)準(zhǔn)。

采用 TSSOP-8 封裝形式塑封。

應(yīng)用

單芯鋰離子電池組

鋰聚合物電池組

功能描述

DW03D監(jiān)控電池的電壓和電流，并通過斷開充電器或負(fù)載，保護(hù)單節(jié)可充電鋰電池不會因為過充電壓，過放電壓，過放電流以及短路等情況而損壞。這些功能都使可充電電池工作在制定的范圍內(nèi)。MOSFET已內(nèi)置，等效電阻典型值為50mΩ

正常工作模式

如果沒有檢測到任何異常情況，充電和放電過程都將自由轉(zhuǎn)換。這種情況稱為正常工作模式。

過充電壓情況

在正常條件下的充電過程中，當(dāng)電池電壓高于過充檢測電壓(VCU)，并持續(xù)時間達(dá)到過充電壓檢測延遲時間(tCU)或更長，DW03D將控制MOSFET以停止充電。這種情況稱為過充電壓情況。

以下兩種情況下，過充電壓情況將被釋放：

1、當(dāng)電池電壓低于過充解除電壓 (VCL), DW03D控制充電的FET導(dǎo)通，回到正常工作模式下。

2、當(dāng)連接一個負(fù)載并且開始放電, DW03D控制充電的FET導(dǎo)通回到正常工作模式下。解除機制如下： 接上負(fù)載后放電電流立刻流過充電FET內(nèi)部寄生二極管開始放電，BATT-電壓升到0.7V， DW03D 檢測到這個電壓后，當(dāng)電池電壓等于或低于過充檢測電壓(VCU), DW03D 立刻恢復(fù)到正常工作模式，另外，在接上負(fù)載放電時,如果BATT-電壓等于或低于過流1檢測電壓， 芯片也不會恢復(fù)到正常狀態(tài)。

注：當(dāng)電池被充電到超過過充檢測電壓(VCU) 并且電池電壓沒有降到過充檢測電壓 (VCU)以下，即使 加上一個可以導(dǎo)致過流的重載, 過流1和過流2都不會工作，除非電池電壓跌到過充檢測電壓(VCU)以下。 但是實際上電池是有內(nèi)阻的，當(dāng)電池接上一個重載，電池的電壓會立即跌落，這時過流1和過流2就會動作。短路保護(hù)與電池電壓無關(guān)

過放電壓情況

在正常放電過程中，當(dāng)電池電壓降到過放檢測電壓(VDL)以下的時候， 并持續(xù)時間達(dá)到過放電壓檢測延時間(tDL) 或更長， DW03D將切斷電池和負(fù)載的連接，停止放電。這種情況被稱為過放電壓情況。當(dāng)控制放電的FET被關(guān)斷， BATT- 通過內(nèi)部BATT-與VDD之間的RBATT-D 電阻被拉到高電平。當(dāng) BATT- 電壓高于負(fù)載短路檢測電壓, 芯片的耗電流會降到休眠電流 (IPDN)。這種情況被稱為休眠情況。在過放和休眠情況 中BATT- 和VDD之間由 RBATT-D電阻連接。當(dāng)一個充電器連接上并且BATT-和VDD之間電勢差變到1.3 V(典型值) 或更高 (負(fù)載短路檢測電壓)時休眠狀態(tài)解除。這時放電FET仍然斷開。當(dāng)電池電壓變成過放檢測電壓(VDL) 或更高 (見備注)，DW03D 使 FET 導(dǎo)通回到正常工作模式。.

過放電流情況

正常工作模式下，當(dāng)放電電流等于或高于設(shè)定的值（BATT-電壓等于或高于過電流檢測電壓）并且時間持續(xù)超過過電流檢測延時時間時， DW03D關(guān)斷放電FET停止放電。這個稱為過放電流情況（包括過放電流1，過放電流2和負(fù)載短路電流）。過電流情況下BATT-和GND 間內(nèi)部連接了 RBATT-S 電阻 。當(dāng)一個負(fù)載連接上， BATT-電壓等于VDD流過負(fù)載電阻后的電壓。根據(jù)切斷負(fù)載等行為，B+和B-之間的阻抗增大至大于等于能夠自動恢復(fù)到正常狀態(tài)的阻抗，過放電流狀態(tài)將被解除，回到正常狀態(tài)。由于BATT-和GND之間連接RBATT-S電阻，當(dāng)負(fù)載斷開， BATT- 電壓被拉到地電位。當(dāng)偵測到 BATT-電位低于過流1檢測電壓(VIOV1)，芯片回到正常狀態(tài)。

負(fù)載短路情況

如果BATT-電壓高于短路保護(hù)電壓(VSHORT),DW03D將與負(fù)載斷開停止放電。 延遲時間不超過 tSHORT。當(dāng)BATT-電壓高于短路保護(hù)電壓(VSHORT)時，例如負(fù)載被移除，負(fù)載短路情況將解除。

審核編輯黃昊宇