正確理解驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)速度

本文主要闡述了在驅(qū)動(dòng)芯片中表征驅(qū)動(dòng)能力的關(guān)鍵參數(shù)：驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的關(guān)系，并通過實(shí)驗(yàn)解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。

概述

驅(qū)動(dòng)芯片

功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開通，M2關(guān)掉的時(shí)候，電源VCC通過M1和Rg給Cgs，Cgd充電，從而使MOSFET開通，其充電簡(jiǎn)化電路見圖2。當(dāng)M1關(guān)斷，M2開通的時(shí)候，Cgs通過Rg和M2放電，從而使MOSFET關(guān)斷，其放電簡(jiǎn)化電路見圖3。

圖1.功率器件驅(qū)動(dòng)電路

圖2.開通時(shí)的簡(jiǎn)化電路及充電電流

圖3.關(guān)斷時(shí)的簡(jiǎn)化電路及放電電流

驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力影響功率器件的開關(guān)速度，進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、電磁干擾等性能。驅(qū)動(dòng)能力太強(qiáng)會(huì)導(dǎo)致器件應(yīng)力過高、電磁干擾嚴(yán)重等問題; 而驅(qū)動(dòng)能力太弱會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)效率降低。因此，選擇一個(gè)適當(dāng)驅(qū)動(dòng)能力的芯片來驅(qū)動(dòng)功率器件就顯得至關(guān)重要。

衡量驅(qū)動(dòng)能力

的主要指標(biāo)

驅(qū)動(dòng)電流

和驅(qū)動(dòng)速度

衡量一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)能力的指標(biāo)主要有兩項(xiàng)：驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間。這兩項(xiàng)參數(shù)在一般驅(qū)動(dòng)芯片規(guī)格書中都有標(biāo)注。而在實(shí)際應(yīng)用中，工程師往往只關(guān)注驅(qū)動(dòng)電流而忽視上升、下降時(shí)間這一參數(shù)。事實(shí)上，驅(qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間這個(gè)指標(biāo)也同樣重要，有時(shí)甚至比驅(qū)動(dòng)電流這個(gè)指標(biāo)還重要。因?yàn)轵?qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間直接影響了功率器件的開通、關(guān)斷速度。

圖4.MOSFET開通時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流

圖4顯示了一個(gè)MOSFET開通時(shí)門極驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流的簡(jiǎn)化時(shí)序圖。t1到t2這段時(shí)間是門極驅(qū)動(dòng)的源電流（IO+）從零開始到峰值電流的建立時(shí)間。在t3時(shí)刻，門極電壓達(dá)到米勒平臺(tái)，源電流開始給MOSFET的米勒電容充電。在t4時(shí)刻，米勒電容充電完成，源電流繼續(xù)給MOSFET的輸入電容充電，門極電壓上升直到達(dá)到門極驅(qū)動(dòng)的電源電壓VCC。同時(shí)在t4到t5這個(gè)期間，源電流也從峰值電流降到零。

這里有一個(gè)很重要的階段：t1到t2的源電流的建立時(shí)間。不同的驅(qū)動(dòng)芯片有不同的電流建立時(shí)間，這一建立時(shí)間會(huì)影響驅(qū)動(dòng)的速度。

測(cè)試對(duì)比

以下通過實(shí)測(cè)兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來說明驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的影響。

表格1對(duì)比了SLM2184S和IR2184S的各項(xiàng)測(cè)試。雖然SLM2184S的峰值源電流[IO+]和峰值灌電流[IO-]比IR2184S的測(cè)試值偏小，但是SLM2184S的電流建立時(shí)間遠(yuǎn)比IR2184S的建立時(shí)間更短。

表格1：SLM2184S 和IR2184S驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間對(duì)比

因此，在負(fù)載電容（比如MOSFET的輸入電容）較小的時(shí)候，SLM2184S的驅(qū)動(dòng)速度并不比IR2184S的驅(qū)動(dòng)速度慢。如在1nF的負(fù)載電容下，兩者的驅(qū)動(dòng)速度基本一致。只有當(dāng)負(fù)載電容較大的時(shí)候，如在3.3nF的情況下，SLM2184S的驅(qū)動(dòng)速度才會(huì)比IR2184S慢。

實(shí)測(cè)

SLM2184S vs IR2184S

驅(qū)動(dòng)測(cè)試對(duì)比

圖5~圖16: 實(shí)測(cè)SLM2184S的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的波形。

圖17~圖28: 實(shí)測(cè)IR2184S的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的波形。

SLM2184S驅(qū)動(dòng)測(cè)試

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)源電流

圖5：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)源電流

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)源電流

圖6：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)源電流上升速度

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)灌電流

圖7：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)灌電流

圖8：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流上升速度

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)源電流

圖9：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖10：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)灌電流

圖11：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖12：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖13：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容2.2nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖14：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容3.3nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖15：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容2.2nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖16：SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容3.3nF

IR2184S驅(qū)動(dòng)測(cè)試

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)源電流

圖17：IR2184S的驅(qū)動(dòng)源電流

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸人; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)源電流

圖18：IR2184S的驅(qū)動(dòng)源電流上升速度

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)灌電流

圖19：IR2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)灌電流

圖20：IR2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流上升速度

負(fù)載電容100nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)源電流

圖21：IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖22：IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF

CH1:驅(qū)動(dòng)輸入; CH2:驅(qū)動(dòng)輸出; CH4:驅(qū)動(dòng)灌電流

圖23：IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖24：IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖25：IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容2.2nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖26：IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容3.3nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖27：IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容2.2nF

CH2:驅(qū)動(dòng)輸出

圖28：IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容3.3nF

測(cè)試總結(jié)

從以上實(shí)驗(yàn)測(cè)試可以看到，驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)速度不僅取決于驅(qū)動(dòng)電流的大小，還受到諸如驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間、MOSFET的輸入電容等因素的影響。有些驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流雖然比較大，但由于它的電流上升和下降速度很慢，并沒有很好地發(fā)揮大驅(qū)動(dòng)電流的作用，甚至在大部分應(yīng)用場(chǎng)合下驅(qū)動(dòng)速度（tr和tf）不如驅(qū)動(dòng)電流小的驅(qū)動(dòng)芯片。因此，在選擇驅(qū)動(dòng)芯片的時(shí)候，不僅要關(guān)注驅(qū)動(dòng)電流的大小，也要關(guān)注在一定負(fù)載電容下的上升、下降時(shí)間。當(dāng)然最為妥當(dāng)?shù)霓k法是根據(jù)實(shí)際選擇的功率管測(cè)量驅(qū)動(dòng)端的波形，從而判斷是否選擇了合適的驅(qū)動(dòng)芯片。

關(guān)于數(shù)明半導(dǎo)體

上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司成立于2013年，聚焦于高性能模擬芯片設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)的整體解決方案，產(chǎn)品包括驅(qū)動(dòng)芯片、隔離器、電源管理以及智能光伏方案等，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用在工業(yè)控制、電源、光模塊、新能源以及汽車等領(lǐng)域。公司總部位于上海松江G60科創(chuàng)走廊-科技綠洲，在深圳南山、浦東張江等地建立了分支機(jī)構(gòu)。

數(shù)明半導(dǎo)體的核心研發(fā)和管理團(tuán)隊(duì)由一批來自業(yè)界知名半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的資深專家們組成。公司擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和豐富的IP積累，已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)并于2020年獲評(píng)為“高新技術(shù)企業(yè)”。

數(shù)明半導(dǎo)體始終堅(jiān)持以“專業(yè)、專注、創(chuàng)新、高效”為經(jīng)營(yíng)理念，致力于成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的驅(qū)動(dòng)及電源管理芯片供應(yīng)商。

審核編輯 ：李倩