使用PLTS去嵌方法和探針校準片SLOT校準測試結(jié)果對比

使用PLTS去嵌方法和探針校準片SLOT校準測試結(jié)果對比

01.測試硬件設備

E5071C Keysight---校準軟件：PLTS

4端口20GHz網(wǎng)絡分析儀，帶TDR選件。

適合測試20GHz以內(nèi)的S參數(shù)、阻抗 頻域、時域、信號。

02.測試環(huán)境

03.校準片介紹

探針校準片外觀

S代表短路（short），L代表負載（load）， O代表開路（open）， T代表直通（Thru），校準時根據(jù)網(wǎng)分SLOT校準步驟依次將探針分別連接對應的校準模塊。本次測試的DUT如上圖紅框所示

04.測試說明

測試一：先將網(wǎng)分與線纜校準后，然后連接兩個探針測試DUT，將兩個探針的S參數(shù)、兩個探針+DUT的整體S參數(shù)分別導出，然后使用PLTS校準軟件將探針本身S參數(shù)去嵌，得到單獨DUT的S參數(shù)。

測試二：將線纜連接好兩個探針，使用探針校準片進行SLOT校準，校準完成后再將兩個探針連接DUT，直接測得DUT的S參數(shù)。

05.測試一

第一步：將port1和port2上連接的兩個GSG探針對接校準片上的thru校準模塊上，測得兩個探針本身的S參數(shù)，測試結(jié)果如下圖所示：導出兩個探針的S參數(shù)文件2PRO-S。

--測試結(jié)果--

第二步：將port1和port2上連接的兩個GSG探針對接校準片上的DUT上測得兩個探針和DUT的整體S參數(shù)，測試結(jié)果如下圖所示：導出整體S參數(shù)文件2PRO+DUT。

測試結(jié)果

第三步：將第一步得到的S參數(shù)文件2PRO-S導入plts中，用plts將2PRO-S分成左右兩個S2P文件用于去嵌，具體操作如下圖所示，點擊APPLY后得到兩個S2P文件， 2PRO-S_1和2PRO-S_2，用于后續(xù)去嵌操作。

第四步：將第二步得到的S參數(shù)文件2PRO+DUT導入plts中，用plts將左右兩個探針的S參數(shù)去嵌掉，只保留DUT的測試結(jié)果，具體操作如下圖所示，點擊APPLY后得到只包含DUT的S參數(shù)結(jié)果。

測試一

去嵌后測試結(jié)果

插損測試結(jié)果

回損測試結(jié)果

06.測試二

探針校準片SOLT校準過程

第一步：將port1和port2上連接的兩個GSG探針分別對接校準片的O（open）、 S（short）、L（load）、 T（Thru）進行校準，具體操作如下：

Open校準

Short校準

Load校準

Thru校準

單擊Done，完成校準

SOLT校準完成后檢驗校準質(zhì)量

校準完成后，將兩個GSG探針連接到探針校準片的thru模塊上，然后查看S21及S11性能；校準頻段內(nèi)，其中S21性能在0.05dB以內(nèi)，S11性能在50dB以下，表示校準質(zhì)量非常高；本次校準滿足S21<-0.05dB，S11>-50dB，校準質(zhì)量非常不錯。

測試二

使用探針校準片校準測試結(jié)果

插損測試結(jié)果

回損測試結(jié)果

07.去嵌法和探針校準片校準兩種方法得到的測試結(jié)果對比

結(jié)論：

插損：20GHz時，使用兩種方式得到的DUT插損測試結(jié)果基本一致，相差0.07dB。

回損：DC-20GHz內(nèi)，去嵌方式測得的回損最大值比校準片校準的回損最大值小0.51dB，去嵌方式回損性能略優(yōu)于探針校準片校準的回損性能，相差不大；但整體的測試曲線走勢有較為明顯的差異，分析原因是電子校準件和探針校準片的阻抗存在些許差異。

審核編輯：湯梓紅