搖擺蝕刻機(jī)
PTFE管用途：可用于蝕刻搖擺機(jī)的搖擺架，PTFE也稱：可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon
蝕刻機(jī)的簡單介紹：
1、采用傳動裝置，霧化噴淋，結(jié)構(gòu)合理；加工尺寸長度不限制，速度快、精度高；
2、效率高使用方便：有效地設(shè)計(jì)噴淋與被蝕刻金屬板的有效面積和蝕刻均勻程度；蝕刻效果、速度和操作者的環(huán)境及方便程度等方面都有改善；藥液使用充分，大大降低生產(chǎn)成本；3、蝕刻速度在傳統(tǒng)蝕刻法上大大提高：經(jīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)噴射壓力在1-2 kg/cm2的情況下被蝕刻工件上所殘留的蝕刻圬漬能被有效清處掉；
特點(diǎn)1：每排噴嘴壓力允可調(diào)節(jié)，壓力獨(dú)特顯示。
特點(diǎn)2：前蝕刻區(qū)左右搖擺，后蝕刻區(qū)前后搖擺，蝕刻更佳。
特點(diǎn)3：雙面壓輥，防止在腐蝕過程板材重疊。
特點(diǎn)4：雙重過濾，防止噴嘴賭賽.提高時刻質(zhì)量。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
蝕刻
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
413瀏覽量
15326 -
刻蝕機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
47瀏覽量
4182
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
濕法蝕刻的發(fā)展
蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終沖洗和旋轉(zhuǎn)干燥步驟。濕法蝕刻用于
玻璃基電路板的蝕刻和側(cè)蝕技術(shù)
在對顯示面板和玻璃基板減薄蝕刻主要是指通過一定配比混酸等蝕刻液對液晶面板和玻璃基板等（二氧化硅）玻璃材質(zhì)基板進(jìn)行化學(xué)腐蝕。本文所摘選信息雖不是專門介紹對玻璃基材的蝕刻，但相關(guān)蝕刻和側(cè)蝕
玻璃電路板表面微蝕刻工藝
玻璃表面蝕刻紋路由于5G時代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢，預(yù)測大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中不可回避的一個技術(shù)問題。而且，由玻璃材質(zhì)
基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測
（什么是蝕刻？）蝕刻是一種利用化學(xué)強(qiáng)酸腐蝕、機(jī)械拋光或電化學(xué)電解對物體表面進(jìn)行處理的技術(shù)。從傳統(tǒng)的金屬加工到高科技半導(dǎo)體制造，都在蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍之內(nèi)。在印刷電路板(PCB)打樣中，蝕刻
通信——通過表面電荷操縱控制鍺的蝕刻
計(jì)算領(lǐng)域的潛在基礎(chǔ)材料。超薄二極管器件的制造需要去除用于同質(zhì)外延生長的襯底。對于硅來說，這一任務(wù)通常通過選擇性蝕刻來實(shí)現(xiàn)。然而，對于鍺來說，由于與硅相比在化學(xué)和氧化行為上的根本差異，需要新的蝕刻技術(shù)。蝕刻由
關(guān)于兩種蝕刻方式介紹
干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實(shí)地進(jìn)行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進(jìn)行蝕刻），且能降低結(jié)晶缺陷、不純
影響pcb蝕刻性能的五大因素有哪些？
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過程中的關(guān)鍵步驟之一，影響蝕刻性能的因素有很多。深圳領(lǐng)卓電子是專
蝕刻機(jī)遠(yuǎn)程監(jiān)控與智能運(yùn)維物聯(lián)網(wǎng)解決方案
行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
電偶腐蝕對先進(jìn)封裝銅蝕刻工藝的影響
共讀好書 高曉義 陳益鋼 （上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 上海飛凱材料科技股份有限公司） 摘要： 在先進(jìn)封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在各向異性的現(xiàn)象。研究結(jié)果表明，在磷酸、雙氧水
東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場領(lǐng)導(dǎo)地位
根據(jù)已公開的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
揭秘***與蝕刻機(jī)的神秘面紗
在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們在制造半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻
不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
在氮化鎵和AlGaN上的濕式數(shù)字蝕刻
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度
PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問題分析
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于
發(fā)表于 11-14 15:23
?502次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論