新聞 | ROHM開(kāi)發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET^*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無(wú)線(xiàn)耳機(jī)等可聽(tīng)戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

近年來(lái)，隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，電池尺寸的增加，導(dǎo)致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。

針對(duì)這種需求，開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性?xún)?yōu)異的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業(yè)界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的優(yōu)勢(shì)，通過(guò)靈活運(yùn)用其IC工藝，大大降低了在以往分立器件的工藝中會(huì)增加的布線(xiàn)電阻，開(kāi)發(fā)出功率損耗更低的小型功率MOSFET。

新產(chǎn)品采用融入了ROHM自有IC工藝的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝^*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)還降低了功耗。與相同封裝的普通產(chǎn)品相比，表示導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間關(guān)系的指標(biāo)（導(dǎo)通電阻^*3×Qgd^*4）改善了20%左右，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平（1.0mm×0.6mm以下封裝產(chǎn)品比較），非常有助于縮減各種小型設(shè)備電路板上的元器件所占面積并進(jìn)一步提高效率。另外，還采用ROHM自有的封裝結(jié)構(gòu)，使側(cè)壁有絕緣保護(hù)（相同封裝的普通產(chǎn)品沒(méi)有絕緣保護(hù)）。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設(shè)備中，使用這款新產(chǎn)品可降低因元器件之間的接觸而導(dǎo)致短路的風(fēng)險(xiǎn)，從而有助于設(shè)備的安全運(yùn)行。

新產(chǎn)品已于2022年11月開(kāi)始暫以月產(chǎn)1,000萬(wàn)個(gè)（樣品價(jià)格100日元/個(gè)，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)Oneyac，Sekorm等電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)導(dǎo)通電阻更低、尺寸更小的產(chǎn)品，通過(guò)進(jìn)一步提高各種小型設(shè)備的效率，來(lái)為解決環(huán)保等社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。

新產(chǎn)品的主要特性

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如需查看產(chǎn)品詳細(xì)信息，您可點(diǎn)擊RA1C030LD查看。

應(yīng)用示例

◇ 無(wú)線(xiàn)耳機(jī)等可聽(tīng)戴設(shè)備
◇ 智能手表、智能眼鏡、運(yùn)動(dòng)相機(jī)等可穿戴設(shè)備
◇ 智能手機(jī)
此外，還適用于其他各種輕薄小型設(shè)備的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

電商銷(xiāo)售信息

起售時(shí)間：2022年11月開(kāi)始
網(wǎng)售平臺(tái)：Oneyac，Sekorm
在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。

一枚起售

術(shù)語(yǔ)解說(shuō)

*1) Nch MOSFET
通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。
相比Pch MOSFET，其漏源間的導(dǎo)通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

*2) 晶圓級(jí)芯片尺寸封裝
一種在整片晶圓上形成引腳并進(jìn)行布線(xiàn)等，然后再切割得到單個(gè)成品芯片的超小型封裝形式。與將晶圓切割成單片后通過(guò)樹(shù)脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。

*3) 導(dǎo)通電阻
MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極和源極之間的電阻值。該值越小，導(dǎo)通時(shí)的損耗（功率損耗）越少。

*4) Qgd（柵極-漏極間電荷量）
MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通后，柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小，開(kāi)關(guān)速度越快，開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗（功率損耗）越小。

END

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