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MAX11410電磁兼容

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2022-12-15 14:06 ? 次閱讀

MAX11410 ADC理想用于測量-200°C至+1250°C的寬溫度范圍。 通過適當?shù)耐獠?a href="http://ttokpm.com/tags/保護電路/" target="_blank">保護電路,它通過了所有嚴格的抗擾度標準,如IEC 61000-2、4和5,以及模擬輸入測試中的高壓24V。

硬件規(guī)格

MAX11410EMCEVKIT#已完全組裝、測試并已加載數(shù)據(jù)記錄器固件。開發(fā)板由計算機的 USB 連接供電。固件也使用相同的USB串行端口與MAX11410通信。數(shù)據(jù)記錄固件自動配置MAX11410并捕獲數(shù)據(jù),報告格式可直接保存為CSV(逗號間距值)表格格式。

圖1所示為MAX11410EMCEVKIT#的簡化原理,描繪了模擬輸入端的保護電路。

pYYBAGOauVKAHEdHAAGPx-ZIRKM410.jpg?imgver=1

高分辨率圖像 ?
圖 1.模擬輸入端保護電路的簡化原理圖。

瞬態(tài)抗擾度測試

MAX11410EMCEVKIT#在Maxim Integrated實驗室進行了通用工業(yè)瞬態(tài)抗擾度標準的測試。以下各節(jié)介紹了測試方法和結(jié)果。

抗擾度測試的性能標準

抗擾度測試的結(jié)果通常分為四類(表1)。最終應(yīng)用要求及其容忍瞬態(tài)噪聲的能力決定了系統(tǒng)是否將性能標準歸類為合格。

表 1.抗擾度測試的性能標準

標準 描述
性能標準 A 正常運行,性能不會下降。
性能標準 B 可自行恢復(fù)的暫時性能下降(數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)錯誤)。
性能標準 C 需要干預(yù)(設(shè)備重置或電源重啟)的暫時性能下降。
性能標準 D 無法恢復(fù)的功能喪失(設(shè)備損壞)。

IC和板級保護

MAX11410采用集成功能和外部(板級)元件的組合,設(shè)計用于承受瞬態(tài)抗擾度事件。MAX11410設(shè)計用于支持±35kV ESD (HBM)規(guī)格的魯棒靜電放電(ESD)性能。但是,對于更高能量的ESD和浪涌脈沖,如IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5中所述,MAX11410EMCEVKIT#板設(shè)計了外部瞬態(tài)電壓抑制(TVS)SMAJ33CA二極管,以滿足ESD、電快速瞬變(EFT)和浪涌瞬態(tài)抗擾度。這些二極管具有極快的響應(yīng)時間,可響應(yīng) ESD 脈沖的 1ns 上升時間,并具有出色的功耗能力,可承受數(shù)十安培的浪涌電流。TVS二極管將輸入瞬變箝位到安全水平,以避免損壞半導(dǎo)體器件。

為了進一步保護器件在模擬輸入端不暴露在24V高電壓下,BZX84C3V0W齊納二極管用于將24V箝位至約3V,這在MAX11410模擬端口的規(guī)格限值范圍內(nèi)。

請參考MAX11410EMCEVKIT#,了解有關(guān)模擬輸入端保護外部電路的更多信息。

IEC 61000-4-2 靜電放電

ESD是由電荷積聚引起的,在工業(yè)應(yīng)用中可以找到用于該電荷的不同發(fā)生器。該標準涵蓋了持續(xù)時間為數(shù)十納秒的浪涌,并且比其他低能耗ESD標準(如人體模型(HBM)或機器模型(MM))壓力更大,這兩種標準均作為所有Maxim Integrated?產(chǎn)品的標準測試,并在單獨的IC數(shù)據(jù)手冊中列出。

接觸放電方法:測試發(fā)電機的帶電電極與被測設(shè)備(DUT)保持接觸,放電由發(fā)電機內(nèi)的放電開關(guān)驅(qū)動。

氣隙放電法:將發(fā)電機的帶電電極靠近DUT處,放電由火花驅(qū)動到DUT上。

ESD測試發(fā)生器與“尖點”一起使用,直接連接到DUT(引腳)進行接觸式ESD測試。發(fā)生器上增加了一個“圓形尖端”,用于氣隙ESD測試。表2列出了ESD測試條件。

輸出電壓 ±6kV
輸出電壓的極性 正面和負面
保持時間 至少 5 秒
申請數(shù)量 每個極性連續(xù)十 (10) 次 ESD 放電

2圖3分別描述了接觸放電測試的IEC 61000-4-2型號和電流波形。

poYBAGOauVSAVrbAAAA6mJiXZXc274.jpg?imgver=1

圖2.IEC 61000-4-2 ESD模型測試電路。

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圖3.IEC 61000-4-2 接觸放電測試波形。

IEC 61000-4-4 電脈沖/脈沖串

EFT 常見于工業(yè)應(yīng)用,發(fā)生在開關(guān)和繼電器觸點的電弧中,以及連接和斷開大感性負載(如電機)時。

輸出電壓范圍高達 ±2kV 的 EFT/浪涌發(fā)生器,50?負載用于生成IEC規(guī)范定義的電壓波形。電容耦合鉗能夠?qū)碜?EFT 發(fā)生器的快速瞬變(突發(fā))耦合到 DUT 的輸入、輸出或電源引腳,而無需與 DUT 進行任何電氣連接。表 3 列出了 EFT 測試條件。圖 4 和圖 5 分別顯示了 IEC 61000-4-4 EFT/突發(fā)測試設(shè)置和波形。

表 3.電子轉(zhuǎn)帳測試條件

測試電壓 高達 ±2kV
輸出電壓的極性 正面和負面
重復(fù)頻率 5千赫
突發(fā)持續(xù)時間/重復(fù)時間 15毫秒/300毫秒
測試持續(xù)時間 401

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圖4.EFT/突發(fā)波形測試設(shè)置。

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圖5.IEC 61000-4-4 EFT/突發(fā)波形。

IEC 61000-4-5 浪涌

在雷擊、電源系統(tǒng)和負載切換或短路故障條件下等事件期間,會發(fā)生嚴重的瞬變或浪涌。該IEC標準規(guī)定了六類測試級別,具體取決于終端設(shè)備的安裝條件。該等級決定了具有相應(yīng)電壓電平的保護。此外,這還定義了耦合模式(線對線或線對地)和所需的源阻抗(Zs)。與使用MAX11410等產(chǎn)品的應(yīng)用最接近的類別是3類,用于非對稱工作電路/線路,建議的線對線測試電平為±2kV。有關(guān)更多詳細信息,請參閱 IEC 61000-4-5 標準。

4 列出了 IEC 61000-4-5 浪涌測試條件。圖 6圖 7 分別顯示了 IEC 61000-4-5 浪涌測試設(shè)置和波形

測試電壓 高達 ±2kV
輸出電壓的極性 正面和負面
波形參數(shù) 前端時間:1.2μs
半值時間:50μs
應(yīng)用的信號 端口到端口
端口到地面
重復(fù)率 十 (10) 個浪涌,兩極性為 10 秒間隔

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圖6.IEC 61000-4-5浪涌測試設(shè)置。

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圖7.IEC 61000-4-5 1.2/50μs 浪涌電壓波形。

浪涌測試按照IEC 61000-4-5規(guī)范進行。1.2/50μs組合波發(fā)生器用于測試MAX11410模擬輸入。對于每個測試條件,施加十個正極性和負極性的浪涌脈沖。脈沖以 10s 間隔 (0.1Hz) 施加。每次浪涌測試后,MAX11410EMCEVKIT軟件讀取器件的值(通過串行外設(shè)接口(SPI)),以查看浪涌瞬變是否造成任何損壞以及值偏差程度。

用于測試MAX11410EMCEVKIT#的設(shè)備如表5所示。圖 8 顯示了用于 ESD 測試的 ESD 噴槍 NSG 438 的照片,圖 9 顯示了用于 EFT/突發(fā)和浪涌評估的測試臺設(shè)置圖片。

表 5.用于MAX11410EMCEVKIT瞬態(tài)抗擾度測試的設(shè)備#

設(shè)備 描述 測試 (S)
MAX11410電磁評估板# 被測設(shè)備 (DUT)
靜電放電測試生成器 Teseq NSG 438 帶氣隙排放頭 403-826? 接觸式靜電放電和氣隙靜電放電
EFT/浪涌發(fā)生器 海菲利科技ECOMPACT4和Teseq NSG 3040A? EFT/突發(fā)和浪涌
信號和數(shù)據(jù)線耦合網(wǎng)絡(luò) Teseq CDN 117
具有 0.5μF 電容器耦合器 INA 174A
電容耦合鉗 Teseq CDN 3425 電子轉(zhuǎn)帳

瞬態(tài)抗擾度測試結(jié)果

6表10包括每個測試的特定測試條件和結(jié)果的詳細信息。對于單端測試,在AIN7上施加1.25V。對于差分測試,在AIN8至AIN9處施加1.25V。對于電流測試,內(nèi)部 300μA 電流源至 AIN0。AIN0連接到AIN2,AIN2通過1K連接到AIN3?電阻器。另一個1K?電阻接地。記錄AIN2和AIN3之間的電壓,并相應(yīng)地計算電流。圖 10 描述了測試配置。

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圖 10.MAX11410EMCEVKIT測試配置

表 6.ESD測試條件和結(jié)果(Zap之前和之后)

輸入模式 已損壞的測試位置 測試級別 (千伏) Zap 之前 (V) (平均) 扎普后 (V) (平均) 偏差(千米) 結(jié)果 標準*
單端 AIN7 +/-6 1.250902228 1.25089522 5.6 通過 B
微分 AIN8-AIN9 +/-6 1.250911674 1.250912413 -0.6 通過 B
當前 AIN0 +/-6 0.303985703 0.303980655 16.6 通過 B

*B:暫時喪失功能或性能下降,在干擾消除后停止。被測設(shè)備無需操作員干預(yù)即可恢復(fù)其正常性能。

pYYBAGOauV-ANk-ZAABMVzVo5TQ331.jpg?imgver=1

圖 11.靜電測試。AIN7 處的 1.25V 單端電壓與 # 個樣本。

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圖 12.靜電測試。AIN8 至 AIN9 處的 1.25V 差分電壓與 # 個樣本的關(guān)系。

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圖 13.靜電測試。AIN0 處的 300μA 源電流與 # 個樣本的關(guān)系。

表 7.ESD測試條件和結(jié)果(Zap期間)

輸入模式 已更改的測試位置 測試級別 (千伏) Zap 之前 (V) (平均) 扎普期間 (V) 偏差(千米)
最低 .MAX 最低 .MAX
單端 AIN7 +/-6 1.250902228 1.25085026 1.2510466 41.54 -115.44
微分 AIN8-AIN9 +/-6 1.250911674 1.25091880 1.2506827 -5.70 183.02
當前 AIN0 +/-6 0.303985703 0.30321210 0.3084540 0.25% -1.45%

B:暫時性功能喪失或性能下降,在干擾消除后停止。被測設(shè)備無需操作員干預(yù)即可恢復(fù)其正常性能。

poYBAGOauWSAVBriAABJTfUic3s583.jpg?imgver=1

圖 14.靜電測試。扎普之前和期間。AIN7 處的 1.25V 單端電壓與 # 個樣本。

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圖 15.靜電測試。扎普之前和期間。AIN8 至 AIN9 處的 1.25V 差分電壓與 # 個樣本的關(guān)系。

pYYBAGOauW2AP33eAABJKM5jNdY133.jpg?imgver=1

圖 16.靜電測試。扎普之前和期間。AIN0 處的 300μA 源電流與 # 個樣本的關(guān)系。

表 8.EFT/脈沖串測試條件和結(jié)果
IEC 61000-4-4 +/-2kV EFT/脈沖串測試水平和結(jié)果

輸入模式 已更改的測試位置 測試級別 (千伏) Zap 之前 (V) (平均) 扎普后 (V) (平均) 偏差
(千米)
結(jié)果 標準*
微分 AIN8-9 -2 1.250911674 1.250912048 -0.29966731 通過 B
當前 AIN0 2 0.303974231 0.303966408 25.73609482 通過 B
當前 AIN0 -2 0.303985703 0.303980655 16.60480341 通過 B

B:暫時性功能喪失或性能下降,在干擾消除后停止。

被測設(shè)備無需操作員干預(yù)即可恢復(fù)其正常性能。

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圖 17.EFT = +2KV 測試。AIN7 處的 1.25V 單端電壓與 # 個樣本。

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圖 18.EFT=+2KV測試。AIN8 至 AIN9 處的 1.25V 差分電壓與 # 個樣本的關(guān)系。

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圖 19.EFT = +2KV 測試。AIN0 處的 300μA 源電流與 # 個樣本的關(guān)系。

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圖 20.EFT = -2KV 測試。AIN7 處的 1.25V 單端電壓與 # 個樣本。

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圖 21.EFT = -2KV 測試。AIN8 至 AIN9 處的 1.25V 差分電壓與 # 個樣本的關(guān)系。

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圖 22.EFT = -2KV 測試。AIN0 處的 300μA 源電流與 # 個樣本的關(guān)系。

表 9.浪涌測試條件和結(jié)果
IEC 61000-4-5 測試級別和結(jié)果 +/-2kV

輸入模式 扎扎 考試地點 測試級別 (千伏) 扎普之前 (V) (平均) 扎普之后(V) (平均) 偏差 (千米) 結(jié)果 標準 *
單端 AIN7 2 1.250908379 1.250903119 4.204892513 通過 B
單端 AIN7 -2 1.250902228 1.250896876 4.278667269 通過 B
微分 AIN8-9 2 1.250911984 1.250909759 1.77892522 通過 B
微分 AIN8-9 -2 1.250911674 1.250912421 - 0.597531498 通過 B
當前 AIN0 2 0.303974231 0.303975706 - 4.852565572 通過 B
當前 AIN0 -2 0.303985703 0.303982496 10.55015604 通過 B

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圖 23.浪涌 = +2KV 測試。AIN7 處的 1.25V 單端電壓與 # 個樣本。

pYYBAGOauXqAIvKpAABWDr1JNuE667.jpg?imgver=1

圖 24.浪涌 = +2KV 測試。AIN8 至 AIN9 處的 1.25V 差分電壓與 # 個樣本的關(guān)系。

pYYBAGOauXuAdm8GAABUHeWdQiQ354.jpg?imgver=1

圖 25.浪涌 = +2KV 測試。AIN0 處的 300μA 源電流與 # 個樣本的關(guān)系。

pYYBAGOauXyAe5-zAABpA45fOD0639.jpg?imgver=1

圖 26.浪涌 = -2KV 測試。AIN7 處的 1.25V 單端電壓與 # 個樣本。

poYBAGOauX6AHp24AABl1rEDzK4599.jpg?imgver=1

圖 27.浪涌 = -2KV 測試。AIN8 至 AIN9 處的 1.25V 差分電壓與 # 個樣本的關(guān)系。

pYYBAGOauYCAKo_mAABuR_IXJw4687.jpg?imgver=1

圖 28.浪涌 = -2KV 測試。AIN0 處的 300μA 源電流與 # 個樣本的關(guān)系。

表 10.24V 測試條件和結(jié)果

輸入模式 已損壞的測試位置 測試級別 (V) 扎普之前 (V) (平均) 扎普后 (V) (平均) 偏差(千米) 結(jié)果 標準*
單端 AIN7 24 1.250896278 1.250894903 1.1 通過 B
微分 AIN8-AIN9 24 1.250912231 1.250912502 -0.2 通過 B
當前 AIN0 24 0.303983713 0.303970771 42.6 通過 B

B:暫時性功能喪失或性能下降,在干擾消除后停止。

被測設(shè)備無需操作員干預(yù)即可恢復(fù)其正常性能。

poYBAGOauYOAAmVHAAB2qpdWkgM307.jpg?imgver=1

圖 29.24V測試。AIN7 處的 1.25V 單端電壓與 # 個樣本。

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圖 30.24V測試。AIN8 至 AIN9 處的 1.25V 差分電壓與 # 個樣本的關(guān)系。

poYBAGOauYaAARghAABa7BFnHq4229.jpg?imgver=1

圖 31.24V測試。AIN0 處的 300μA 源電流與 # 個樣本的關(guān)系。

結(jié)論

MAX11410為低功耗、10通道、24位Δ-Σ型ADC,輸入可配置為單端電壓、差分電壓和內(nèi)部電流源,為外部傳感器提供激勵電流。所有三種配置均使用MAX1140EMCEVKIT#板進行評估,并通過了基于實驗室特性數(shù)據(jù)的所有嚴格的抗擾度標準IEC 61000-2、4和5測試。此外,MAX11410EMCEVIT#還可在模擬輸入端通過24V高壓,而不會造成任何損壞。

審核編輯:郭婷

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    低功耗24位 Δ-ΣADC MAX11410的特性及應(yīng)用分析

    MAX11410為低功耗、多通道、24位 Δ-Σ ADC,特性和指標優(yōu)化用于高精度傳感器測量。
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    電磁兼容的分層設(shè)計原則

    為了提高電子設(shè)備的電磁兼容能力,必須從開始設(shè)計時就給予電磁兼容性以足夠的重視。電磁兼容的設(shè)計思路可以從電磁兼容的三要素,即電磁干擾源、
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    <b class='flag-5'>MAX11410</b>EMCEVKIT: Evaluation Kit for the <b class='flag-5'>MAX11410</b> Data Sheet <b class='flag-5'>MAX11410</b>EMCEVKIT: Evaluation Kit for the <b class='flag-5'>MAX11410</b> Data Sheet

    電磁兼容簡明教程(2)電磁兼容標準

    電磁兼容簡明教程(2)電磁兼容標準
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    <b class='flag-5'>電磁兼容</b>簡明教程(2)<b class='flag-5'>電磁兼容</b>標準