意法半導(dǎo)體（ST）推出五款新一代SiC MOSFET功率模組

12月19日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布，再度擴(kuò)展碳化硅（SiC）產(chǎn)品線，推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模組，其涵蓋多種不同額定功率，且支持電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的常用運(yùn)作電壓。目前新的模組已被用于現(xiàn)代汽車（Hyundai）的E-GMP 電動汽車平臺，以及共用該平臺的起亞汽車（KIA） EV6 等多款車型。

相較于傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅元件尺寸更小，可以處理更高的工作電壓，還有更快的充電速度及卓越的車輛動力性能。除此之外，碳化硅還能提升性能及可靠性并延長續(xù)航里程。電動汽車多個系統(tǒng)皆可使用大量的碳化硅元件，例如，DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電驅(qū)逆變器，以及能夠把動力電池組電能傳送回至電網(wǎng)的雙向車載充電器（On-Board Chargers, OBC）。

ST 表示，新發(fā)表的功率模組采用該公司針對電驅(qū)系統(tǒng)優(yōu)化的ACEPACK DRIVE 封裝，并使用燒結(jié)技術(shù)大幅提升其可靠及穩(wěn)定度，易于整合至電驅(qū)系統(tǒng)，提供汽車產(chǎn)業(yè)一個隨插即用的電驅(qū)逆變器解決方案。模塊內(nèi)部的主要功率半導(dǎo)體是意法半導(dǎo)體的第三代(Gen3) STPOWER 碳化硅MOSFET功率晶體管，具有業(yè)界領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(RDS(ON) x芯片面積)、極低的開關(guān)能量和超強(qiáng)的同步整流性能。

據(jù)了解，意法半導(dǎo)體的1200VADP280120W3、ADP360120W3、ADP480120W3(-L)已量產(chǎn)，750V ACEPACK DRIVE ADP46075W3 和 ADP61075W3 將于2023年3月前量產(chǎn)。

同時，新推出的模組還可相容于高效的直接液冷針翅散熱結(jié)構(gòu)，最高額定結(jié)溫175°C，并具備耐久可靠的壓接連接端子；而芯片采用燒結(jié)制程安裝至基板，以延長模組在車用環(huán)境中的使用壽命。

ST 強(qiáng)調(diào)，其碳化硅策略是要確保產(chǎn)品品質(zhì)及供應(yīng)安全，以支持車企電動化。為此， ST 也積極采取行動，并在不久前宣布在意大利卡塔尼亞建立完全整合的碳化硅基板制造廠，并預(yù)計于2023 年開始運(yùn)作。

審核編輯 ：李倩