金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等,本文主要講解MOSFET的一些電路
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/p>
等效電路
說明:
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐?/p>
等效電路(門極不加控制)
說明:
即內(nèi)部二極管的等效電路,可用一電壓降等效,此二極管為MOSFET 的體二極管,多數(shù)情況下,因其特性很差,要避免使用。
功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐?/p>
等效電路(門極加控制)
說明:
功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)ǎ部捎靡浑娮璧刃?,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作,是低壓大電流輸出開關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。
功率MOSFET的正向截止等效電路
等效電路
說明:
功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效,其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān),大小可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
(1):功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線
(2):說明
功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩(wěn)態(tài)工作點:
當門極不加控制時,其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點同二極管。
(3):穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態(tài);當VgsVth時,器件處于導通狀態(tài);器件的通態(tài)電阻與Vgs有關(guān),Vgs大,通態(tài)電阻小;多數(shù)器件的Vgs為 12V-15V ,額定值為+-30V;
器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值,保證散熱沒問題,則器件就是安全的;
器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù),故原理上很容易并聯(lián)擴容,但實際并聯(lián)時,還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題;
目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保證漏源通態(tài)電阻很小;
器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛,原因是它的通態(tài)電阻非常小(目前最小的為2-4 毫歐),在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件;
包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路
等效電路
說明:
實際的功率MOSFET 可用三個結(jié)電容,三個溝道電阻,和一個內(nèi)部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān),而門極的溝道電阻一般很小,漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。
功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理
(1):開通和關(guān)斷過程實驗電路
(2):MOSFET 的電壓和電流波形
(3):開關(guān)過程原理
開通過程[ t0 ~ t4 ]:
在 t0 前,MOSFET 工作于截止狀態(tài),t0 時,MOSFET 被驅(qū)動開通;
[t0-t1]區(qū)間,MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升,在t1時刻,到達維持電壓Vth,MOSFET 開始導電;
[t1-t2]區(qū)間,MOSFET 的DS 電流增加,Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電,對GS 電容的充電影響不大;
[t2-t3]區(qū)間,至t2 時刻,MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓,Millier 電容大大增加,外部驅(qū)動電壓對Millier 電容進行充電,GS 電容的電壓不變,Millier 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小;
[t3-t4]區(qū)間,至t3 時刻,MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時的電壓,Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅(qū)動電壓充電,GS 電容的電壓上升,至t4 時刻為止。此時GS 電容電壓已達穩(wěn)態(tài),DS 電壓也達最小,即穩(wěn)定的通態(tài)壓降。
關(guān)斷過程[ t5 ~t9 ]:
在 t5 前,MOSFET 工作于導通狀態(tài), t5 時,MOSFET 被驅(qū)動關(guān)斷;
[t5-t6]區(qū)間,MOSFET 的Cgs 電壓經(jīng)驅(qū)動電路電阻放電而下降,在t6 時刻,MOSFET 的通態(tài)電阻微微上升,DS 電壓梢稍增加,但DS 電流不變;
[t6-t7]區(qū)間,在t6 時刻,MOSFET 的Millier 電容又變得很大,故GS 電容的電壓不變,放電電流流過Millier 電容,使DS 電壓繼續(xù)增加;
[t7-t8]區(qū)間,至t7 時刻,MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓,Millier 電容迅速減小,GS 電容開始繼續(xù)放電,此時DS 電容上的電壓迅速上升,DS 電流則迅速下降;
[t8-t9]區(qū)間,至t8 時刻,GS 電容已放電至Vth,MOSFET 完全關(guān)斷;該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。
因二極管反向恢復引起的MOSFET開關(guān)波形
(1):實驗電路
(2):因二極管反向恢復引起的MOSFET 開關(guān)波形
審核編輯:郭婷
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原文標題:功率MOSFET的經(jīng)驗總結(jié)
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