LTspice半導(dǎo)體二極管模型對于仿真至關(guān)重要,尤其是當(dāng)您希望看到包括擊穿行為和復(fù)合電流在內(nèi)的結(jié)果時。然而,盡管LTspice中的半導(dǎo)體二極管模型是完整的,但有時您需要一個簡單的“理想化二極管”模型來快速仿真,例如,有源負載、電流源或限流二極管。為了提供幫助,LTspice提供了理想化二極管模型的表示。
要在LTspice中使用這種理想化模型,請為具有唯一名稱的二極管(D)插入.model語句,并定義以下一個或多個參數(shù):Ron,Roff,Vfwd,Vrev或Rrev。
.model MyIdealDiode D(Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2)
LTspice中的理想化二極管模型具有三個線性導(dǎo)通區(qū)域:開通、關(guān)斷和反向擊穿。正向?qū)ê头聪驌舸┛梢允褂秒娏飨拗茀?shù)Ilimit和revIlimit進一步指定。
.model MyIdealDiode D(Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1
此外,為了平滑關(guān)閉和導(dǎo)通狀態(tài)之間的切換,還可以定義 epsilon 和 revepsilon 參數(shù)。
.model MyIdealDiode D(Ron=1 Roff=1Meg Vfwd=1 Vrev=2 Ilimit=1 RevIlimit=1 Epsilon=1 RevEpsilon=1)
在關(guān)斷和導(dǎo)通狀態(tài)之間也使用二次函數(shù),使得理想化的二極管IV曲線在值和斜率上是連續(xù)的,因此在epsilon和revepsilon值指定的電壓上發(fā)生躍遷。
在原理圖中插入 .model 語句后,可以在元件屬性中編輯二極管符號的值(Ctrl + 右鍵單擊),以匹配您在語句中指定的名稱。有關(guān)LTspice二極管型號的更多信息,請參閱幫助主題(F1)。
為了好玩,在下面的電路示例中,理想化二極管模型用于模擬MOSFET在其他非同步降壓控制器中的RDS(ON)。通過使用理想化的二極管模型代替?zhèn)鹘y(tǒng)的肖特基二極管,可以輕松比較同步整流的導(dǎo)通損耗。
審核編輯:郭婷
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