領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供可靠、高能效的性能,并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1),提供高功率工業(yè)應(yīng)用所需的更高擊穿電壓(BV)的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管(NDSH25170A、NDSH10170A)讓設(shè)計人員能夠?qū)崿F(xiàn)在高溫高壓下穩(wěn)定運行、同時由SiC賦能高能效的設(shè)計。
安森美執(zhí)行副總裁兼電源方案部總經(jīng)理Simon Keeton說:
新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗,加強了我們EliteSiC系列產(chǎn)品在性能和品質(zhì)方面的高標(biāo)準(zhǔn),同時也進一步擴大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC制造能力,安森美提供的技術(shù)和供貨保證可以滿足工業(yè)能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動提供商的需求。
可再生能源應(yīng)用正不斷向更高的電壓發(fā)展,其中太陽能系統(tǒng)正從1100 V向1500 V直流母線發(fā)展。為了支持這變革,客戶需要具有更高擊穿電壓(BV)值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范圍為-15 V/25 V,適用于柵極電壓提高到-10 V的快速開關(guān)應(yīng)用,提供更高的系統(tǒng)可靠性。 在1200 V、40 A的測試條件下,1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷(Qg)達到領(lǐng)先市場的200 nC,而同類競爭器件的Qg近300 nC。低Qg對于在快速開關(guān)、高功率可再生能源應(yīng)用中實現(xiàn)高能效至關(guān)重要。
在1700 V的額定擊穿電壓(BV)下,EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓(VRRM)和二極管的峰值重復(fù)反向電壓之間提供了更好的余量。新器件還具有出色的反向漏電流性能,其最大反向電流(IR)在25°C時僅為40 μA,在175°C時為100 μA ——明顯優(yōu)于在25°C時額定值通常為100 μA的競爭器件。 欲了解關(guān)于安森美的EliteSiC方案的更多信息,請訪問onsemi.cn或于美國時間1月5日至8日在美國內(nèi)華達州拉斯維加斯舉行的消費電子展覽會(CES)蒞臨安森美展臺。
關(guān)于安森美(onsemi)
安森美(onsemi, 納斯達克股票代號:ON)正推動顛覆性創(chuàng)新,幫助建設(shè)更美好的未來。公司專注于汽車和工業(yè)終端市場,正加速推動大趨勢的變革,包括汽車功能電子化和安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等。安森美提供高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合以及智能電源和智能感知技術(shù),以解決全球最復(fù)雜的挑戰(zhàn),引領(lǐng)創(chuàng)造更安全、更清潔、更智能的世界。安森美位列《財富》美國500強,也被納入標(biāo)普500指數(shù)。了解更多關(guān)于安森美的信息,請訪問:http://www.onsemi.cn。
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原文標(biāo)題:新品發(fā)布 | EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效
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