FBAR的物理基礎(chǔ)來源于居里夫婦的發(fā)現(xiàn),確切的說是居里夫人的老公和他的兄弟(鏈接):皮埃爾·居里和雅克·居里。
居里兄弟在1880年發(fā)現(xiàn)了神奇的壓電效應(yīng):機械力和電之間相關(guān)轉(zhuǎn)換的一種物理現(xiàn)象。
后來的科學(xué)家利用這種壓電效應(yīng)制作了聲波諧振器:表面聲波諧振器和體聲波諧振器。
那么我們今天重點學(xué)習(xí)的就是體聲波諧振器中的FBAR:薄膜體聲波諧振器,如下圖所示,壓電薄膜的上下面各有兩個金屬電極,完成電壓信號的傳輸,壓電薄膜的厚度和聲速決定了諧振器的諧振頻率f0。其工作過程:當(dāng)交流電壓施加到FBAR的上下電極上的時候,壓電薄膜由于逆壓電效應(yīng),會產(chǎn)生形變;而壓電薄膜的形變又會產(chǎn)生壓電效應(yīng),會使壓電薄膜內(nèi)的電荷極性不再對稱,產(chǎn)生極化。
當(dāng)輸入交流電壓信號的頻率等于壓電薄膜的機械變化頻率時,就會在電極表面形成機械波駐波,從而形成機械波諧振,也就是聲波諧振。
所以,正是利用了壓電薄膜的這個神奇的壓電效應(yīng),F(xiàn)BAR完成了電能和機械能的轉(zhuǎn)換。諧振頻率可以有下面公式?jīng)Q定:
f0就是FBAR的諧振頻率,v是指壓電材料內(nèi)的體聲波聲速,L是指壓電薄膜和兩個電極共同決定的等效體聲波厚度。
類似于微波諧振器,F(xiàn)BAR的阻抗特性和相位特性如下圖所示,從阻抗特性曲線可以看出,F(xiàn)BAR具有兩個諧振頻率,較低的頻率為串聯(lián)諧振頻率 fs,該諧振點聲學(xué)阻抗最低,信號能夠完全通過;較高的頻率為并聯(lián)諧振頻率 fp,該諧振點聲學(xué)阻抗最高,信號則不能通過。
觀察其相位特性曲線,可以發(fā)現(xiàn),在兩個諧振頻率之間相位為+90°,呈現(xiàn)感性;而兩個諧振頻率之外相位為-90°,呈現(xiàn)容性。也就是說,對于工作在非諧振頻率的FBAR來說,相當(dāng)于平板電容器特性。
根據(jù)FBAR的阻抗特性分布,將多個FBAR的并聯(lián)諧振頻率和串聯(lián)諧振頻率按照一定規(guī)律級聯(lián),就可以獲得性能優(yōu)良的帶通濾波器。
那怎么構(gòu)成FBAR呢?
在前面文章中,我們介紹了三種最常見的FBAR的結(jié)構(gòu):背面蝕刻型,空腔型和固態(tài)反射型,其中,蝕刻型和空腔型都是在FBAR的電極側(cè)刻出空氣槽以實現(xiàn)聲波在電極和空氣界面的全反射,從而形成駐波。
而固態(tài)發(fā)射型是通過在電極的一側(cè)加載bragg反射器來實現(xiàn)聲波的全反射。從性能來看,空氣反射型的效果更好,泄漏更小,但是結(jié)構(gòu)強度略低;而Bragg反射型的結(jié)構(gòu)強度更大,但是聲波泄漏會相對大一些,形成濾波器的損耗也較大。
原理都挺簡單,結(jié)構(gòu)也不復(fù)雜,那到底怎么去“干”它呢?
比較準(zhǔn)確的方法是利用多物理場進行仿真,通過建立FBAR的多物理場模型,帶入到仿真軟件中進行FEM仿真,從而得到FBAR的壓電耦合性能,這個很多多物理場仿真軟件提供了相當(dāng)豐富的仿真模型庫和仿真指導(dǎo)書,例如 Comsol,同學(xué)們可以在其網(wǎng)站上找到相關(guān)的學(xué)習(xí)資料和仿真指導(dǎo)。
另一種比較快速的方法是通過建立FBAR的等效電路模型來快速模擬FBAR的聲電特性。
一種較為簡單的等效電路模型是修正巴特沃斯范戴克模型(mBVD),用簡單的電感,電容和電阻來模擬FBAR的電聲特性;另一種是梅森模型 Mosen,可以模擬FBAR的寄生模態(tài)和高次模特性,較mBVD模型更為準(zhǔn)確。
這兩種方法計算迭代比較快速,常用于濾波器的優(yōu)化迭代計算中。我們今天就來重點學(xué)習(xí)一下Mosen模型,通過將力學(xué)分析和電學(xué)模型相對應(yīng),更加深入地了解一下FBAR的工作機理。
我們先來看一下壓電材料的本構(gòu)方程出發(fā):
對其微量變形進行時間求導(dǎo)可以得到:
根據(jù)電壓電場的關(guān)系,帶入上式可以得到:
可以看出,聲壓F和電壓V 由聲電流 v和電流I共同決定,也就是聲電耦合來決定。
我們將上式中的聲壓F和聲電流v的關(guān)系式單獨分離,用一個電容C來等效,即可得到壓電特性微單元模型的等效電路模型,如下圖所示。
結(jié)合上圖中的等效電感L,進一步優(yōu)化成傳輸線力學(xué)模型,即可得到
對上式中的電壓V進行化簡可得:
從上式可以看出,壓電材料的電壓V一部分可以看作是等效電容C0=Aes /?x兩端的電壓,另一部分是由機械振動耦合到電端口的聲電流v貢獻的。
這兩種電流的物理來源并不相同,因此采用理想變壓器來將聲學(xué)和電學(xué)分支彼此隔離,同時理想變壓器的變比也用來匹配聲電流到電學(xué)端的電流大小,其電流變比為-Ae/?x ,負號表示與電端口電流方向相反。
進而可以得到壓電材料的完整Mosen 模型。
這樣我們就可以進一步得到壓電材料的電阻抗方程:
Kt2 就是材料的機電耦合系數(shù),表征了壓電材料機電轉(zhuǎn)換的能力,可以利用已知的兩個諧振點來求解。
壓電材料體現(xiàn)出來機電耦合系數(shù)的大小,直接決定了 FBAR 諧振器串并聯(lián)諧振頻率之間的頻率間距,而后間接影響了所能實現(xiàn)的 FBAR 濾波器的相對帶寬。
根據(jù)上面建立的Mosen 模型,就可以在ADS仿真軟件中進行建模仿真,如下圖所示,模型中的材料參數(shù)如下表格。
壓電材料面積大小 A 與壓電材料厚度對應(yīng)圖中傳輸線長度 D,用于對應(yīng)具體不同的諧振器結(jié)構(gòu)參數(shù)。
值得一提的是,在該 Mason 模型中,采用三端口傳輸線中變量 Alpha 定義模型中的機械損耗,TanD 定義介質(zhì)損耗,并采用電端口串聯(lián)電阻的方式表征歐姆損耗,可在后續(xù)的參數(shù)擬合過程中獲得該電阻最優(yōu)值。
對于電極,襯底,支撐層等非壓電材料通常用簡單的傳輸線模型來模擬其聲學(xué)特性,如下圖,材料的本征參數(shù)可以通過 Z0和縱波聲速 va 直接定義,也可以由密度 ? 和剛度系數(shù) c 參數(shù)計算求得。
最后將各部分的聲電端口級聯(lián)可以得到如下圖所示的 FBAR 諧振器等效 Mason 模型。
由于 FBAR 一般通過上電極和壓電薄膜的厚度來改變諧振頻率,因此將下電極和襯底厚度根據(jù)具體工藝條件固定。
忽略較薄支撐層的 FBAR 諧振器上下電極和襯底均與空氣接觸,不考慮外力施加,所以級聯(lián)后的聲端口兩側(cè)接地,在模型的實現(xiàn)過程中也可以考慮去掉襯底模塊。
諧振器的 Mason 模型作為 FBAR 濾波器設(shè)計的基礎(chǔ),模型參數(shù)的準(zhǔn)確性直接決定了后續(xù) FBAR 濾波器設(shè)計的準(zhǔn)確性。
對于 Mason 模型的參數(shù)提取和修正常利用多物理場 FEM 仿真結(jié)果或去嵌后的實測結(jié)果進行參數(shù)擬合的得到,也可以利用HFSS等電磁仿真軟件進行更詳細的仿真計算,來得到更為精確的FBAR參數(shù)。
和常規(guī)的微波濾波器一樣,通過把幾個FBAR按照一定的順序組合排列起來,就可以構(gòu)成濾波器,實現(xiàn)濾波器效果。
FBAR構(gòu)成的濾波器是什么樣的呢?
最常見的兩種FBAR濾波器拓撲結(jié)構(gòu)是格型和梯型,如下圖所示,這兩種拓撲結(jié)構(gòu)中的各個FBAR諧振器之間都沒有耦合,作為獨立諧振器單元工作。
下圖a 中格型連接結(jié)構(gòu)均為雙端輸出,雙端輸出結(jié)構(gòu),其特點是可實現(xiàn)更寬的帶寬和良好的遠端抑制,但缺點是矩形系數(shù)很差,限制了該結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。
圖b是梯型結(jié)構(gòu),通常將并聯(lián)諧振器接地,實現(xiàn)單端輸入輸出結(jié)構(gòu),應(yīng)用較為廣泛,梯形連接拓撲的結(jié)構(gòu)主要由串聯(lián)諧振器和并聯(lián)諧振器構(gòu)成,且串聯(lián)諧振器諧振頻率總是高于并聯(lián)諧振器。
基于梯形連接的 FBAR 濾波器工作原理如下圖示,當(dāng)信號的頻率為并聯(lián)諧振器的串聯(lián)頻率(fsSH)時,此時并聯(lián)諧振器呈現(xiàn)出的阻抗最小,而串聯(lián)諧振器阻抗較大,因此大部分信號通過并聯(lián)諧振器到地形成低頻處的傳輸零點。
當(dāng)信號頻率為串聯(lián)諧振器的并聯(lián)諧振頻率(fpSE)時,此時串聯(lián)諧振器呈現(xiàn)出的阻抗最大,而并聯(lián)諧振器較小,因此大部分信號同樣會通過并聯(lián)諧振器到地形成傳輸高頻處的傳輸零點。只有當(dāng)信號頻率在并聯(lián)諧振器的并聯(lián)諧振頻率(fpSH)和串聯(lián)諧振器的串聯(lián)諧振頻率(fs SE)附近時,信號才能在理想情況下無損耗地通過該二端口濾波網(wǎng)絡(luò)。
所以從濾波器的實現(xiàn)方式上來說,也要比普通的微波濾波器要簡單很多,不用去考慮諧振器內(nèi)部復(fù)雜的耦合和寄生耦合,想實現(xiàn)更高的抑制,只需要通過調(diào)整串并聯(lián)FBAR諧振器的數(shù)目即可,但是其帶外性能也沒有普通微波濾波器來的那么平滑。
其較高的單FBAR品質(zhì)因數(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)比較陡峭的抑制,但是插入損耗的計算和普通的微波濾波器又不能完全等效。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:FBAR濾波器的理論與設(shè)計探討
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