詳解電源和地之間的走線電感

PCB走線電感

其中W為走線寬度，l為走線長(zhǎng)度，可以發(fā)現(xiàn)PCB走線電感與敷銅厚度無(wú)關(guān)，走線電感主要由長(zhǎng)度l決定。

電源和地之間的走線電感

開(kāi)關(guān)電源的MOSFET通常由IC的驅(qū)動(dòng)級(jí)產(chǎn)生，MOSFET的源級(jí)通常接地，如果源級(jí)和地之間的走線有點(diǎn)長(zhǎng)的話，在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換的瞬間上面會(huì)產(chǎn)生電感的反向電動(dòng)勢(shì)，不嚴(yán)重的話只是降低開(kāi)關(guān)的切換速度，嚴(yán)重的話會(huì)是MOS管損壞，這種電壓的脈沖不受控制，本質(zhì)上是基于走線電感參數(shù)的，因此必須使你的源極寄生電感盡量小，走線短。

下圖是MOS管開(kāi)關(guān)瞬間可能發(fā)生的情形，這種情況是安全的，僅僅降低了開(kāi)關(guān)的切換速度，當(dāng)柵極控制MOS管關(guān)斷的時(shí)候，由于漏源極導(dǎo)通的時(shí)候源極的PCB走線也通過(guò)了電流，這部分走線相當(dāng)于一個(gè)小電感，由于電感的反向電動(dòng)勢(shì)，相當(dāng)于一個(gè)小的電壓源以阻止電流減小，電流持續(xù)流動(dòng)一直到儲(chǔ)能耗光，因此這段時(shí)間會(huì)使開(kāi)關(guān)的關(guān)斷速度下降。

如果MOS管的源極是通過(guò)過(guò)孔下地，此時(shí)也需要注意過(guò)孔電感，此時(shí)需要多打過(guò)孔來(lái)減小寄生電感。

h為過(guò)孔深度(通孔為板厚)，d為過(guò)孔直徑，單位都為mm。

另外，射頻調(diào)參的時(shí)候，理論的Smith圓圖匹配和實(shí)際上差異非常大，是否需要把寄生參數(shù)表現(xiàn)出來(lái)的電容或者電感特性表示出來(lái)呢？感興趣的同學(xué)可以思考一下走線電感與寄生電容/層間電容對(duì)射頻電路的影響，以前項(xiàng)目需要，低頻LC（125KHz）是可以通過(guò)已知參數(shù)計(jì)算出寄生電容的（pF/nF級(jí)，主要是使產(chǎn)品的諧振頻率偏差5%以內(nèi)，由于PCB板和每片IC的差異，因此需要通過(guò)對(duì)內(nèi)部的諧振電容進(jìn)行調(diào)諧），不過(guò)高頻的沒(méi)試過(guò)，頻率穩(wěn)定度要求高的話，100ppm的話也夠了，不知道有沒(méi)有這類的案例。