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DRAM的表現(xiàn)可為“一瀉千里”

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2023-01-06 13:53 ? 次閱讀

2023年,半導(dǎo)體市場(chǎng)不妙,而其中最不妙的當(dāng)屬DRAM。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)宣布,2023年的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將萎縮4.1%至5570億美元。WSTS表示,“拖后腿”的主要是存儲(chǔ)芯片,預(yù)計(jì)2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將萎縮12.6%。

全球存儲(chǔ)芯片定位而言,2021年DRAM占比全球儲(chǔ)存市場(chǎng)61%的市場(chǎng)份額,是存儲(chǔ)第一大細(xì)分品類。而DRAM也正在加速降價(jià)。

01

DRAM一瀉千里

今年DRAM的表現(xiàn)可為“一瀉千里”。

價(jià)格方面,以作為價(jià)格指標(biāo)DDR4的8Gb產(chǎn)品來(lái)看,從今年6月開(kāi)始,其價(jià)格每個(gè)約2.7美元,環(huán)比下跌0.3美元,到了10月DDR4的8Gb產(chǎn)品的大宗交易價(jià)格約為2.15美元/個(gè),比上月下跌了10%。

市場(chǎng)方面,DRAM的全球市場(chǎng)也不容樂(lè)觀。在今年三季度,全球DRAM的市場(chǎng)規(guī)模,降至181.87億美元,不及上一季度的255.94億美元,環(huán)比下滑28.9%。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中表示,三季度28.9%的環(huán)比跌幅,是2008年全球經(jīng)濟(jì)遭受金融危機(jī)之后的第二大跌幅。

哪怕到了2023年,DRAM的未來(lái)也同樣令人擔(dān)憂。Gartner此前觀點(diǎn)表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)疲軟期至少將持續(xù)到2023 年,預(yù)計(jì)明年的半導(dǎo)體收入將下降2.5%左右。而存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的下滑勢(shì)頭會(huì)更大,可能突破10%。

DRAM的悲觀傳遞到廠商身上,美光甚至在12月22日宣布,“通過(guò)自愿減員和裁員相結(jié)合”的方式裁員近4800人。對(duì)于2023財(cái)年,美光還將暫停股票回購(gòu)、生產(chǎn)力計(jì)劃和公司獎(jiǎng)金,并在本財(cái)年剩余時(shí)間內(nèi)“解決”高管薪酬問(wèn)題。

但其實(shí)這些對(duì)于經(jīng)歷過(guò)諸多風(fēng)雨的DRAM來(lái)說(shuō)算不上什么。作為半導(dǎo)體行業(yè)中周期性最為明顯的產(chǎn)品之一,DRAM的周期往往都是半導(dǎo)體行業(yè)周期的晴雨表。

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根據(jù)摩根士丹利對(duì)半導(dǎo)體周期的預(yù)估,以DRAM芯片的價(jià)格為例,市場(chǎng)通常會(huì)經(jīng)歷4-8個(gè)季度的下行周期,然后再經(jīng)歷4-9個(gè)的上行周期,DRAM芯片的價(jià)格隨時(shí)間呈現(xiàn)出明顯的周期性。

在本次價(jià)格滑坡前,DRAM已經(jīng)經(jīng)歷過(guò)五次大蕭條了。

02

DRAM的五次大蕭條

DRAM發(fā)展至今已經(jīng)有50多年了,這50年來(lái)DRAM行業(yè)中的“王朝”早已幾經(jīng)更迭。一切開(kāi)始于1966年,IBM的羅伯特·登納德博士成功研發(fā) MOS 型晶體管+電容結(jié)構(gòu)的 DRAM 存儲(chǔ)。

兩年后,英特爾出現(xiàn)了,它的研究小組不斷的解決生產(chǎn)工藝中的缺陷,在1970年成功量產(chǎn)劃時(shí)代的C1103。憑借著DRAM的量產(chǎn),英特爾成為了一家擁有有1000名員工,年收入超過(guò)2300萬(wàn)美元的產(chǎn)業(yè)新貴。

IBM也在當(dāng)年就宣布其新推出的大型計(jì)算機(jī)中使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器替代以往的磁芯,DRAM市場(chǎng)也變得潛力無(wú)限。

70年代像是一個(gè)分水嶺,DRAM的王朝開(kāi)始更替,上半場(chǎng)入場(chǎng)的英特爾,到了下半場(chǎng)變成了Mostek。Mostek 推出的 MK4116 采用了 POLY-II(雙層多晶硅柵工藝),容量達(dá) 16K,大獲成功,占領(lǐng) 75%的 DRAM 市場(chǎng)。

后來(lái)由于資本市場(chǎng)的惡意收購(gòu),加上Mostek也決策失誤,管理層動(dòng)蕩及技術(shù)人員流失。值得注意的是,1978年四個(gè)離職的Mostek員工在一間昏暗的地下室創(chuàng)立了美光。

1980年,日本VLSI聯(lián)合研發(fā)體,研制成功 64K DRAM,已成功趕上美企 DRAM 研發(fā)進(jìn)度。后來(lái)日本存儲(chǔ)不斷提升,引起美國(guó)主意并且遭到打壓。1986年,日本與美國(guó)之間DRAM之戰(zhàn)結(jié)束,美日簽署《美日半導(dǎo)體協(xié)議》。

后來(lái),DRAM迎來(lái)了第一次大蕭條。

第一次大蕭條:1996-1998年

1993年美國(guó)逐漸從石油危機(jī)的沖擊中走出,多家美國(guó)半導(dǎo)體公司業(yè)績(jī)大漲,僅在兩年內(nèi)美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了17%和14%的增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)下,行業(yè)內(nèi)許多廠商開(kāi)始擴(kuò)張,1995年和1996年,全球有超過(guò)50條新的晶圓廠生產(chǎn)線的增加。

然而到了1996年,由于Windows 95開(kāi)啟的辦公自動(dòng)化和個(gè)人電腦加速趨勢(shì)的反彈,個(gè)人電腦市場(chǎng)迅速進(jìn)入調(diào)整階段,半導(dǎo)體行業(yè)需求開(kāi)始迅速萎縮,行業(yè)的瘋狂擴(kuò)張最終導(dǎo)致1996年DRAM的供應(yīng)過(guò)剩。德州儀器和IBM也分別在1998年與1999年,凄慘的退出了DRAM市場(chǎng)。

1999 年是內(nèi)存界的大變年,排名世界第三的韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體與LG合并,2001年從現(xiàn)代集團(tuán)完成拆分,將公司名改為海力士(Hynix Semiconductor Inc);同年美光完成收購(gòu)德州儀器內(nèi)存部門。

第二次大蕭條:2001年

2001年,迎來(lái)了DRAM的第二次大蕭條。2001年全球DRAM產(chǎn)值將僅有140億美元,比2000年的290億美元縮水了一半多。

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2000年64M DRAM現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)變化

看當(dāng)時(shí)DRAM的價(jià)格變化,頗為戲劇。以PC100 64M DRAM為例,在當(dāng)年三月下旬跌至前三季的最低點(diǎn)5.2美元后,其后即扶搖直上,至7月14日達(dá)到8.96美元的高點(diǎn)。在九月又開(kāi)始直線下滑,直至跌破廠商之平均成本3.5美元底線。

2001年DRAM蕭條的原因有兩方面。一方面,美國(guó)資本市場(chǎng)(尤其是那斯達(dá)克市場(chǎng))自2000年三月網(wǎng)絡(luò)泡沫破滅后持續(xù)疲軟,導(dǎo)致高科技產(chǎn)品需求不振;另一方面,由于2000年中下游廠商大量囤貨,但需求未增,降低庫(kù)存的壓力下更行削弱對(duì)DRAM的實(shí)質(zhì)需求。

2001年的蕭條導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)狼藉滿地,NEC英國(guó)半導(dǎo)體廠將于2002年4月停產(chǎn)DRAM,并裁撤1260名員工;東芝也因2001年度其芯片業(yè)務(wù)虧損近1500億日元,宣布裁員10%,并且退出DRAM事業(yè)。

第三次大蕭條:2007-2009年

到了2008年,DRAM遇到了第三次大蕭條。

2008 年 7 月,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究專家 Malcolm Penn 曾展望稱,盡管 DRAM 一年半以來(lái)跌跌不休,但其他每個(gè)產(chǎn)品大類近期均表現(xiàn)上佳,甚至當(dāng)時(shí)預(yù)計(jì)2009年半導(dǎo)體市場(chǎng)增速將高達(dá)兩位數(shù)。許多半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士都在期盼著“光輝歲月”的回歸。然而百年難得一見(jiàn)全球金融海嘯的到來(lái),打破了專家們的預(yù)期,在全球金融休克下,半導(dǎo)體同樣無(wú)法置身事外。

終端消費(fèi)的萎靡,促使PC等設(shè)備廠商消減DRAM訂單,并且加快清理庫(kù)存物料,而存儲(chǔ)廠商為了自救,同樣開(kāi)始降價(jià)拋售DRAM。這就造成了DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)了“踩踏”行情,價(jià)格連續(xù)崩盤、深度擊穿廠商的現(xiàn)金成本。

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猶如多米諾骨牌,價(jià)格擊穿現(xiàn)金成本后,使得存儲(chǔ)半導(dǎo)體廠商不得不啟動(dòng)大規(guī)模減產(chǎn),當(dāng)年9月,晶率先宣布將 DRAM 產(chǎn)量削減 10-15%。眾多大廠同樣跟進(jìn),產(chǎn)線改建、新建等資本支出計(jì)劃被叫停,自救失敗的奇夢(mèng)達(dá)于 2009 年 1 月正式宣布申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。

第四次大蕭條:2011-2012年

發(fā)展到2011年,DRAM再次迎來(lái)了蕭條時(shí)期,DRAM的合約顆粒價(jià)格跌幅達(dá)58%,現(xiàn)貨價(jià)格跌幅更高達(dá)70%。由于DRAM顆粒價(jià)格跌幅過(guò)大,甚至已跌破現(xiàn)金成本,爾必達(dá)率先宣布減產(chǎn)開(kāi)第一槍,緊接著其他DRAM廠也跟進(jìn)下宣布減產(chǎn),減產(chǎn)幅度高達(dá)21%。

一方面是天災(zāi),日本受到311大地震沖擊,給全球DRAM的產(chǎn)出造成影響,尤其以越后半導(dǎo)體的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠影響最為嚴(yán)重。盡管缺貨的疑慮隨著晶圓廠的復(fù)工消散,但DRAM的價(jià)格仍舊從5月開(kāi)始下滑至年底。

另一方面,隨著制程難度逐步增加,DRAM廠差距逐步擴(kuò)大。三星已逐漸跨入20nm制程,海力士與爾必達(dá)則在2012年積極轉(zhuǎn)進(jìn)30nm制程,一些臺(tái)系廠商仍停留在40nm甚至50nm制程。

盡管普遍得到公共資金支持,但除了多元化經(jīng)營(yíng)的三星電子,絕大多數(shù)廠商也僅能保障勉強(qiáng)維持運(yùn)轉(zhuǎn),其間爾必達(dá)與中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)廠商如茂德、力晶、南亞合并等傳聞不斷,但雙方均背負(fù)的巨額債務(wù)使這樣的重組幾無(wú)可能。

在第四次的大蕭條中,爾必達(dá)于 2012 年正式破產(chǎn)。

第五次大蕭條:2019年

從2016年中到2018年底,由于產(chǎn)業(yè)的需求與供給端都產(chǎn)生變化,使得DRAM迎來(lái)一輪黃金時(shí)光,價(jià)格不斷飆漲,這當(dāng)然也讓三星、SK海力士及美光三大DRAM廠商都達(dá)到史上最好的營(yíng)收情況。甚至三星曾經(jīng)公布其DRAM毛利率高達(dá)70%。

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以2018年第四季來(lái)看,所有供應(yīng)商當(dāng)中以美光(Micron)降價(jià)幅度最大,因此部分偏高的庫(kù)存水位得以適時(shí)去化;而韓系廠因?yàn)榻祪r(jià)幅度較小,導(dǎo)致出貨量萎縮,庫(kù)存持續(xù)累積至2019年第一季將相當(dāng)可觀。

2019年開(kāi)始,DRAM報(bào)價(jià)大幅下滑,全年累計(jì)跌幅超過(guò)五成,其表現(xiàn)之差勁在所有的芯片產(chǎn)品類別中排名倒數(shù)第一。

03

第六次蕭條即將來(lái)臨?

2022年,DRAM產(chǎn)業(yè)被貼上“第六次大蕭條”的標(biāo)簽。DRAM價(jià)格頻頻下降與存儲(chǔ)廠商不容樂(lè)觀的業(yè)績(jī)都彰顯著DRAM進(jìn)入蕭條時(shí)期。不是繁榮就是蕭條,這是存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)的景氣循環(huán)。一旦產(chǎn)能過(guò)剩,DRAM市場(chǎng)幾乎在一夜之間就會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求的情況。

DRAM產(chǎn)業(yè)具備成長(zhǎng)和周期雙重屬性,成長(zhǎng)性是主旋律,有三條關(guān)鍵規(guī)則:第一、DRAM產(chǎn)業(yè)具有周期性屬性;第二、DRAM產(chǎn)業(yè)還具有成長(zhǎng)屬性,而且成長(zhǎng)性是主旋律;第三、當(dāng)DRAM產(chǎn)業(yè)處于波谷時(shí),就會(huì)出現(xiàn)最佳的逆周期投資機(jī)會(huì)。

“市場(chǎng)景氣時(shí),各家吃肉,市場(chǎng)蕭條時(shí),大廠吃肉。”

行業(yè)深度衰退期,中后部廠商最先面臨生死考驗(yàn),而體量巨大的頭部廠商則在資金與業(yè)務(wù)調(diào)整上享有更大的空間,甚至在其他廠商被迫裁員、剝離資產(chǎn)、壓縮投資與研發(fā)時(shí),頭部廠商反而能夠逆勢(shì)“抄底”整合并購(gòu)。

歷史固然不會(huì)簡(jiǎn)單的重復(fù),但其中揭示的某些規(guī)律仍具有借鑒意義。DRAM廠商需要收緊預(yù)算了。正如Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示“當(dāng)產(chǎn)業(yè)中的每個(gè)人都開(kāi)始說(shuō)這次不會(huì)發(fā)生景氣循環(huán)時(shí),那就得看緊你的荷包了,因?yàn)檩喌较乱粋€(gè)景氣周期了?!?/p>

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:“拖后腿”的DRAM

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    <b class='flag-5'>DRAM</b>的范式轉(zhuǎn)變歷程

    DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜?

    芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)——正在取代些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜
    的頭像 發(fā)表于 11-22 16:36 ?829次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>選擇為何突然變得更加復(fù)雜?

    請(qǐng)問(wèn)如何使用51單片機(jī)發(fā)射可調(diào)占空比的38Khz紅外?

    使用軟件PWM,定時(shí)器+IO如何實(shí)現(xiàn),50%占空比的容易實(shí)現(xiàn),但是如果是1:3的占空比可能很多人會(huì)想到定時(shí)中斷1us,26US個(gè)周期,然后調(diào)節(jié)電平跳變閥值,但是這樣不行! 因?yàn)橹袛鄷r(shí)間太短,在判斷跳變值時(shí)就已經(jīng)不只花費(fèi)1us時(shí)間了,這樣出來(lái)的根本不是38khz,而且差之千里
    發(fā)表于 11-07 08:12

    高壓電纜故障及隱患監(jiān)測(cè)系統(tǒng)—守護(hù)電力安全的“千里眼”

    的問(wèn)題。高壓電纜故障及隱患監(jiān)測(cè)系統(tǒng)HFP-GZS3000,它將為電力安全提供有力的保障。 、[高壓電纜故障及隱患監(jiān)測(cè)系統(tǒng)HFP-GZS3000]的核心功能 1.實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè):HFP-GZS3000系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)采集電纜的各項(xiàng)運(yùn)行數(shù)據(jù),包括電流、電壓、溫度等,確保電纜運(yùn)
    的頭像 發(fā)表于 10-16 13:54 ?434次閱讀
    高壓電纜故障及隱患監(jiān)測(cè)系統(tǒng)—守護(hù)電力安全的“<b class='flag-5'>千里</b>眼”

    DRAM的工作原理 DRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)過(guò)程說(shuō)明

    內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)的話題,稍微復(fù)雜點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復(fù)雜也最貴的核心部件了,其設(shè)計(jì),仿真,調(diào)試,焊接,等等都非常復(fù)雜,且重要。對(duì)DRA
    發(fā)表于 09-25 11:38 ?4579次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的工作原理 <b class='flag-5'>DRAM</b>存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)過(guò)程說(shuō)明