人生沒有白走的路,每一步都算數(shù)。
1 前言
很多硬件面試官都會問一些"看似比較偏"的技術問題,比如,晶振的匹配電容計算方法。電工阿Q往往一臉茫然。
然而,看似偏的技術問題其實并不是真正的偏,是因為真正理解的人比較少。真正有動力去理解此類問題。
電工阿Q肯定說:我就是不會這個計算公式,也不需要知道這個知識,但我的水平依然還是嘎嘎厲害,你把我咋滴?
其實,這就是普通工程師與優(yōu)秀工程師之間的區(qū)別!有太多的東西實際應用起來差別并不大,優(yōu)秀工程總會比普通工程師要懂得多一些,比如晶體,51、AVR、STC、PIC、STM32等單片機典型應用電路一大堆,照著畫原理圖就是了,無論是大牛還是菜鳥,使用起來大家都一樣!
但事實是:
1%的那部分知識就能決定你的技術層次,而其它99%的知識大多數(shù)地球人都知道。
大多數(shù)人的工作內(nèi)容都是很相似的,然而能解決其它人所不能解決的人,才是公司最需要的!
換言之,從面試單位的角度判斷,如果你理解某個"看似很偏"的技術問題,從概率上來講,你的水平比那些不理解的工程師要高很多(當然,萬事無絕對,也許你走狗屎運恰好知道這個知識點,而其它都不知道,呵呵噠)。
嘮叨這么多,馬上進入正題
2 分析
一般單片機都會有這樣的電路,如下圖。晶振的兩個引腳與芯片(如單片機)內(nèi)部的反相器相連接,再結(jié)合外部的匹配電容CL1、CL2、R1、R2,組成一個皮爾斯振蕩器(Pierce oscillator)。
上圖中,U1為增益很大的反相放大器,CL1、CL2為匹配電容。匹配電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮芯片輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負載電容了。
CL1和CL2是電容三點式電路的分壓電容,接地點就是分壓點。以接地點為參考點,輸入和輸出是反相的,但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來看,形成一個正反饋以保證電路持續(xù)振蕩,它們會稍微影響振蕩頻率,主要用與微調(diào)頻率和波形,并影響幅度。
X1是晶體,相當于電容三點式電路里面的電感。如下圖:
電容三點式LC振蕩器交流等效電路
R1是反饋電阻(一般≥1MΩ),它使反相器在振蕩初始時處于線性工作區(qū),R2與匹配電容組成網(wǎng)絡,提供180度相移,同時起到限制振蕩幅度,防止反向器輸出對晶振過驅(qū)動將其損壞。
這里涉及到晶振的一個非常重要的參數(shù),即負載電容CL(Load capacitance),
它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容(不是晶振外接的匹配電容),主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻,與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率,通過調(diào)整負載電容,就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標稱值。負載電容的公式如下所示:
其中,
個管腳間的寄生電容(Shunt Capacitance)。
CD表示晶體振蕩電路輸出管腳到地的總電容,包括PCB走線電容CPCB、芯片管腳寄生電容CO、外加匹配電容CL2,即CD=CPCB+CO+CL2。
CG表示晶體振蕩電路輸入管腳到地的總電容,包括PCB走線電容CPCB、芯片管腳寄生電容CI、外加匹配電容CL1,即CG=CPCB+CI+CL1。
一般CS為1pF左右,CI與CO一般為幾個皮法,具體可參考芯片或晶振的數(shù)據(jù)手冊。
舉例,比如規(guī)格書上的負載電容值為CL=18pF,假設CS=0.8pF,CI=CO=5pF,CPCB=4pF;
帶入公式可得CD=CG=34.4pF,計算出來的匹配電容值CL1=CL2=25pF。3 注意事項
如果實際的負載電容配置不當,不僅會引起線路參考頻率的誤差.一般情況下,增大負載電容會使振蕩頻率下降,而減小負載電容會使振蕩頻率升高。
還會在如發(fā)射接收電路上,使晶振的振蕩幅度下降(不在峰點),影響混頻信號的信號強度與信噪。當波形出現(xiàn)削峰,畸變時,可通過增加負載電阻調(diào)整(幾十K到幾百K)。要穩(wěn)定波形時并聯(lián)一個1M左右的反饋電阻。
標稱頻率相同的晶振,負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率,一個是串聯(lián)諧振晶振的低負載電容晶振:另一個為并聯(lián)振晶振的高負載電容晶振。所以,標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至,不能冒然互換,否則會造成電器工作不正常。
4 結(jié)語
好了,你現(xiàn)在可以把面試官KO了!
本文與家人們分享了電工阿Q在華為面試過程中遇到的一道題目,希望家人們吶,能通過本文能夠掌握MCU晶振匹配電容的計算。一步一步,從此走上人生巔峰!
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:絕對干貨!華為面試官必問題目!
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