MOS管的驅(qū)動

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MOS管的驅(qū)動

在進行驅(qū)動電路設(shè)計之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關(guān)過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對驅(qū)動的影響。驅(qū)動電路的好壞直接影響了電源的工作性能及可靠性，一個好的MOSFET驅(qū)動電路的基本要求是：

開關(guān)管導(dǎo)通時，驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使柵源電壓上升到需要值，保證開關(guān)管快速開通且不存在上升沿的高頻震蕩。開關(guān)管導(dǎo)通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源間電壓保持穩(wěn)定使其可靠導(dǎo)通。

關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個低阻抗通路供MOSFET柵源間電壓快速瀉放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。關(guān)斷期間驅(qū)動電路可以提供一定的負電壓避免受到干擾產(chǎn)生誤導(dǎo)通。驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)盡量簡單，最好有隔離。

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POWER MOSFET驅(qū)動保護

1//POWER MOSFET驅(qū)動電阻的影響

驅(qū)動電阻增大，驅(qū)動上升變慢，開關(guān)過程延長，對EMI有好處，但是開關(guān)損耗會增大，因此選擇合適的驅(qū)動電阻很重要。

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幾種常見的MOSFET驅(qū)動電路

1//不隔離互補驅(qū)動電路

由于MOSFET為電壓型驅(qū)動器件，當(dāng)其關(guān)斷時，漏源兩端的電壓的上升會通過結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓，如圖所示的電路不能提供負電壓，因此其抗干擾性較差，有條件的話可以將其中的地換成-Vcc，以提高抗干擾性及提高關(guān)斷速度。

2//隔離驅(qū)動電路

正激驅(qū)動電路

該驅(qū)動電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動S1柵源極等效輸人電容的大小、Q1的驅(qū)動信號的速度以及Q1所能提供的電流大小有關(guān)。

優(yōu)點：

電路簡單，并實現(xiàn)了隔離驅(qū)動。

只需單電源即可提供導(dǎo)通時的正電壓及關(guān)斷時的負電壓。

占空比固定時，通過合理的參數(shù)設(shè)計，此驅(qū)動電路也具有較快的開關(guān)速度。

缺點：

由于變壓器副邊需要一個較大的防振蕩電阻，該電路消耗比較大。

當(dāng)占空比變化時關(guān)斷速度變化加大。脈寬較窄時，由于儲存的能量減少導(dǎo)致MOSFET關(guān)斷速度變慢。

有隔離變壓器互補驅(qū)動電路

優(yōu)點：

電路簡單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化。

該電路只需一個電源，隔直電容C的作用在關(guān)斷時提供一個負壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，有較高的抗干擾能力。

缺點：

輸出電壓幅值會隨著占空比變化而變化。當(dāng)D較小時，負電壓較小，抗干擾能力變差，同時正向電壓高，應(yīng)注意不要超過柵源允許電壓；當(dāng)D大于0.5時，正向電壓降低，負電壓升高，應(yīng)注意使其負電壓不要超過柵源允許電壓 。

此時副邊繞組負電壓值較大，穩(wěn)壓二極管Z2的穩(wěn)壓值為所需的負向電壓值，超過部分電壓降在電容C2上。

審核編輯 ：李倩