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使用加速電容提高三極管開關(guān)速度

CHANBAEK ? 來源:小陳是個(gè)工程師 ? 作者:xiaoxiaodawei ? 2023-01-13 16:22 ? 次閱讀

上期從三極管放大的角度來分析了三極管開關(guān)電路的由來,并且將輸入信號頻率提高后,引發(fā)了輸出信號延遲的現(xiàn)象,造成開關(guān)速度慢。這期重點(diǎn)分析這種現(xiàn)象的由來,以及如何消除這種現(xiàn)象。

關(guān)鍵詞:開關(guān)速度慢;

雖然還沒有開始三極管放大電路的講解,但是這里只引用其放大的作用,并沒有對其參數(shù)進(jìn)行分析!

01開關(guān)速度慢的原因

1.1、仿真電路結(jié)構(gòu)

圖1-1是系統(tǒng)仿真電路圖:

poYBAGPBE2iAVbGGAAAV9jCTQ08643.jpg

圖1-1 系統(tǒng)仿真電路

1.2、仿真波形分析

現(xiàn)象:

圖1-2是圖1-1的電路輸入100KHz、0V/+3V方波時(shí)的輸入輸出波形。當(dāng)輸入信號從0V變化到+3V時(shí),晶體管立即由截止變化到導(dǎo)通狀態(tài),輸出信號也應(yīng)立即響應(yīng),從+
5V變化到0V。但是,輸入信號從0V變化到+3V時(shí),晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)卻花費(fèi)了一些時(shí)間,輸出信號從從0V變化到+5V時(shí)滯后了3.34us。

原因:

晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)有基極電流流過,所以在基區(qū)內(nèi)積累有電子,因此,在這種狀態(tài)下即使輸入信號變成了0V,基區(qū)中的電子并不能立即消失(電荷存儲效應(yīng))。而且在基極限流電阻R1的作用下,也不能立即從基區(qū)取出全部電子,這就造成時(shí)間滯后的原因,在開關(guān)調(diào)節(jié)器之類使負(fù)載告訴開關(guān)的應(yīng)用電路中,這種時(shí)間滯后是非常不利的。

poYBAGPBE2iAZf_sAABS6QuXHXk319.jpg

圖1-2 輸處信號出現(xiàn)延遲

02提高開關(guān)速度

使用晶體管開關(guān)時(shí),上述圖1-1所示的開關(guān)速度往往不能滿足要求,許多應(yīng)用需要更高的開關(guān)速度,這里就需要提高速度的基本技術(shù)進(jìn)行試驗(yàn),這里注重分析兩種提高開關(guān)速度的方法:使用加速電容、使用肖特基鉗位。

1.1、使用加速電容

圖1-3是給基極限流電阻R1并聯(lián)小容量電容器的電路。這樣,當(dāng)shuru
信號上升、下降時(shí)能夠使R1電阻瞬間被旁路并提供基極電流,所以在晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速從基區(qū)取出電子(因?yàn)殡娮鑂1被旁路),消除開關(guān)的時(shí)間滯后,這個(gè)電容器的作用是提高開關(guān)速度,所以稱為加速電容。

poYBAGPBFFOAQJLMAACYfTOr_MM713.jpg

圖1-3 加速電容

圖1-4是給圖1-1電路加入加速電容的仿真電路:

poYBAGPBFFOAVE4dAAAW0-81UW8370.jpg

圖1-4 加入加速電容電路

示波器XSC1采集的輸入信號與輸出信號波形如圖1-5所示:

pYYBAGPBFFOAU4-OAABWdoERu5E557.jpg

圖1-5 加入加速電容的輸出波形

從圖1-5可以看出由于加速電容的作用,已經(jīng)看不到圖1-2中的時(shí)間滯后,圖1-5中還看的不很清楚,實(shí)際上晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了,由于所使用的晶體管以及基極電流、集電極電流值等因素,加速電容的最佳值是各不相同的,因此,加速電容的值需要通過觀測實(shí)際電路的開關(guān)波形來決定。對一般的晶體管來說,容量約為數(shù)十皮法至數(shù)百皮法。

下一期將分析肖特基鉗位用來提高晶體管開關(guān)速度!

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