通過(guò)電源引腳關(guān)斷電流檢測(cè)放大器

與傳統(tǒng)運(yùn)算放大器不同，高端電流檢測(cè)放大器不包括從每個(gè)輸入引腳到其電源引腳的內(nèi)部ESD二極管。因此，它可以在遠(yuǎn)高于其V電平的共模電壓下工作抄送供應(yīng)。此外，拉動(dòng) V抄送典型電流檢測(cè)放大器接地的引腳使器件處于關(guān)斷模式，在該模式下不吸收靜態(tài)電流;只有漏電流。因此，Vcc電流檢測(cè)放大器的引腳可用作關(guān)斷引腳。

考慮一個(gè)典型的電池供電器件，其中電源（LDO、降壓/升壓轉(zhuǎn)換器等）為電路板上的多個(gè)IC供電，包括MAX4173電流檢測(cè)放大器。為了通過(guò)節(jié)省功耗來(lái)延長(zhǎng)電池壽命，系統(tǒng)經(jīng)常關(guān)閉LDO和電流檢測(cè)放大器。該動(dòng)作在圖1電路中仿真。

圖1.V 上的零伏電壓抄送電流檢測(cè)放大器（本例中為MAX4173）的引腳可有效關(guān)斷電流。

為了模擬通過(guò)在電源線中放置一個(gè)檢流電阻器而獲得的信號(hào)，一個(gè)20mVP-P信號(hào)偏移20mV，采用10V共模輸入電壓。VVCC的損失通過(guò) 0V 至 5V 方波在 Vcc處進(jìn)行仿真。在 Vcc的 5V 間隔內(nèi)放大器工作在工作模式，但在0V間隔期間進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。由于放大器增益為50，因此預(yù)期輸出為50 × （20mVP-P+ 20mV），即 1VP-P正弦波偏移 1V（圖 2）。正如預(yù)期的那樣，當(dāng)施加5V時(shí)，放大器處于活動(dòng)狀態(tài)，并產(chǎn)生預(yù)期的輸出。當(dāng) Vcc轉(zhuǎn)到 0V 輸出也變?yōu)?0V。該器件關(guān)斷，不吸收電源電流。

圖2.這些波形說(shuō)明了使用圖1所示方法關(guān)斷電流檢測(cè)放大器的效果。當(dāng)V時(shí)，放大器不吸收靜態(tài)電流抄送為 0V。

關(guān)斷電流檢測(cè)放大器的另一種方法是在接地路徑中連接一個(gè)NMOS晶體管（圖3），并使用能夠打開(kāi)和關(guān)閉晶體管的邏輯電平信號(hào)對(duì)其進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，放大器工作正常。當(dāng)它關(guān)閉時(shí)，放大器關(guān)閉，因?yàn)樗慕拥厥歉?dòng)的。此設(shè)置的輸出波形（圖4）展示了預(yù)期的行為：在5V間隔內(nèi)放大輸入信號(hào)，并浮動(dòng)在V附近抄送在 0V 間隔期間。在關(guān)斷間隔期間，在 Vcc處測(cè)得的漏電流由于測(cè)量示波器的輸入阻抗為1MΩ，引腳僅為4μA。當(dāng)沒(méi)有示波器探頭時(shí)，僅從Vcc中獲取NMOS晶體管的漏電流.RS+/RS- 引腳上的輸入電流僅為 0.3μA。

圖3.打開(kāi)電流檢測(cè)放大器的GND端子也會(huì)將其關(guān)閉。

圖4.接地連接斷開(kāi)時(shí)，圖3所示的電流檢測(cè)放大器關(guān)斷，不吸收靜態(tài)電流。

因此，可以通過(guò)拉動(dòng)其Vcc，輕松地將MAX4173置于關(guān)斷模式引腳接地，或使用 NMOS 晶體管打開(kāi)其接地連接。其他電流檢測(cè)放大器也可以得到類(lèi)似的結(jié)果。

審核編輯：郭婷