我們知道PN結(jié)半導(dǎo)體具有單相導(dǎo)電的性能,但是由PN結(jié)構(gòu)成的各種二極管(Diode)器件的單相導(dǎo)電性是沒辦法進(jìn)行主動控制的,因此這類器件也稱為 被動器件 。與其對應(yīng)的是能夠被主動控制通斷的器件,這類器件也可以稱為 主動器件 。這種主動器件一般我們統(tǒng)稱為晶體管(Tansistor),晶體管可以分為以下三類:流控器件BJTs,壓控器件FETs,混合結(jié)構(gòu)IGBTs。
圖1 晶體管的分類(來源:TOSHIBA Semiconductor)
本文主要分析BJT(Bipolar Junction Transistors),也就是我們俗稱的“三級管”器件的基本工作原理和主要參數(shù)。
1、NPN和PNP
我們剛剛接觸三極管器件,肯定會有人告訴你三極管有兩種: NPN和PNP ,那么我們就從這里講起。如下圖1.1所示,左邊為NPN三極管結(jié)構(gòu),右邊為PNP三極管結(jié)構(gòu)。通過在NPN三極管基極(Base)加上一個 正電流 ,就能控制三極管導(dǎo)通形成導(dǎo)通電流Ic;通過在NPN三極管基極(Base)加上一個 負(fù)電流 ,就能控制三極管導(dǎo)通形成導(dǎo)通電流-Ic。利用這個性質(zhì),作為開關(guān)管的三極管,NPN常用在低邊驅(qū)動,PNP常用在高邊驅(qū)動。感興趣,關(guān)注我,我們后續(xù)再對三極管的應(yīng)用電路進(jìn)行探討。
從結(jié)構(gòu)圖上看,三極管的結(jié)構(gòu)很簡單:N-P-N堆疊和P-N-P堆疊。那么,是不是可以將三極管,看作是兩個“背靠背”或者“面對面”的二極管呢?有不少教材或者文章是告訴你可以這樣看!但是我是 不推薦的 ,這樣看是沒辦法看到三極管背后運(yùn)行的機(jī)理的,反而很容易誤入歧途!
圖1.1 NPN 和 PNP結(jié)構(gòu)
2、BJT的工作機(jī)理
在進(jìn)行三極管工作機(jī)理分析之前,我們先看下圖2.1,從圖中我們可以看出三極管并 不是簡單的“二極管拼接” 。其結(jié)構(gòu)和載流子摻雜是經(jīng)過有意的設(shè)計的,主要的特點(diǎn)為: 發(fā)射極摻雜濃度高,基區(qū)薄,集電極面積大 ?;谶@樣的結(jié)構(gòu),一場“當(dāng)空接龍”就這么開始了。
- Base-Emitter 加上正向電壓,使得發(fā)射結(jié)正偏,耗盡層(發(fā)射結(jié))變薄,發(fā)射區(qū)的載流子(電子) 擴(kuò)散能力增強(qiáng) ,大量的電子進(jìn)入基區(qū)
- 基區(qū)的特點(diǎn)是很薄,能提供的空穴數(shù)量非常少,電子進(jìn)入基區(qū)后,很少一部分電子和空穴進(jìn)行復(fù)合,形成復(fù)合電流Ib
- 大量的電子堆積在基區(qū),很容易進(jìn)入到集電結(jié)的內(nèi)電場范圍內(nèi),一旦電子進(jìn)入集電結(jié)的內(nèi)電場,電子就會在電場的作用下漂移到集電結(jié)
- 到達(dá)集電結(jié)的電子擁有足夠大的空間(低摻雜,大面積)進(jìn)行自由移動,很難再回頭穿過內(nèi)電場擴(kuò)散到基區(qū),因此絕大部分的發(fā)射極電子穿過基區(qū)進(jìn)入集電極
稍微總結(jié)下:發(fā)射極電流Ie主要為 擴(kuò)散電流 ,基極電流Ib為 復(fù)合電流 ,集電極電流Ic為 漂移電流 。并且根據(jù)KCL可以得到Ie=Ib+Ic。
我們在分析半導(dǎo)體器件的過程中,一定要牢牢把握各部分載流子狀態(tài)是“漂移”還是“擴(kuò)散”。這是我們分析半導(dǎo)體器件特性的基礎(chǔ)。
圖2.1 NPN 結(jié)構(gòu)和載流子分布
3、從放大到飽和
在應(yīng)用電路中,三極管最常見的是作為“開關(guān)”進(jìn)行使用,但是我們課本往往都是從如何使用三極管進(jìn)行信號放大開始講起的。這里不贅述課本上關(guān)于放大電路應(yīng)用的分析,僅僅從機(jī)理層面看看三極管的工作狀態(tài)是怎么變化的?
談到三極管的放大作用,那么肯定很熟悉一個前提: “發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏” 。前半句很好理解,發(fā)射結(jié)正偏了,發(fā)射極才能向基區(qū)發(fā)射多數(shù)載流子,這是驅(qū)動三極管導(dǎo)通的激勵源(Source)。那我們思考一下,如果集電結(jié)“零偏或者正偏”,會發(fā)生什么情況呢?如圖3.1,將三極管的BE 短路,那么三極管等效于一個二極管,輸出的電流將受到外部電路條件的影響, 基極電壓將失去對三極管的控制 。
圖3.1 三極管集電結(jié)“零偏”
以NPN為例,想象一下,如果我們保持三極管的C極開路,那么Ic電流必然等于0。大量的電子堆積在基區(qū),無法進(jìn)入集電極,從而無法形成集電極電流。
我們再回到“發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏”的狀態(tài), 此時聚集在基區(qū)的電子將在反偏電場的作用下全部漂移到集電極 。如果此時,不斷增加Ib電流,更多的電子往基區(qū)遷移,集電結(jié)的空間電荷區(qū)不斷被壓縮,直到達(dá)到Ic的上限(受外部電路限制),基區(qū)進(jìn)入 “飽和狀態(tài)” 。需要注意的是,此時電流由集電極向基極導(dǎo)通,等效的二極管應(yīng)該是反極性的,這也是我為什么不推薦用二極管模型分析三極管問題的原因之一。
由于集電結(jié)和發(fā)射結(jié)摻雜濃度的不同,電流形成的機(jī)理也不一樣,所以PN結(jié)的管壓降也不一樣。如圖3.2所示,SS8050三極管的飽和特性參數(shù),Vcesat=Vcbsat+Vbesat,可以看出Vce的飽和電壓要比Vbe的飽和電壓低不少,所以 Vcb的電壓應(yīng)該為負(fù) !換句話說,集電結(jié)是一個反向?qū)ǖ亩O管,但是擁有正向的管壓降!
圖3.2 SS8050 三極管規(guī)格
而在功率半導(dǎo)體中,我們常常分析的是器件的“退飽和”過程,這個過程剛好和以上的分析過程相反??梢詤⒖枷旅骀溄?,看一看 IGBT“退飽和” 過程是如何發(fā)生的:IGBT 直通短路過程問題分析
4、通用三級管的參數(shù)
三極管作為最常用的半導(dǎo)體開關(guān)器件,應(yīng)用十分廣泛。在電路設(shè)計過程中我們需要對這些參數(shù)進(jìn)行精確的分析,確保三極管工作在一個“舒服”的狀態(tài)下工作。以一個三極管開關(guān)電路作為例子,看看如何考慮三極管參數(shù)對電路的影響。
4.1電壓參數(shù)
三極管SS8050電壓有三個參數(shù):VCBO,VCEO,VEBO,可以看出這里最脆弱的是VEB0,也就是發(fā)射結(jié)的反向電壓。因此如果出現(xiàn)反向電壓的情況下可以使用一些適當(dāng)?shù)你Q位電路進(jìn)行負(fù)壓的鉗位,鉗位二極管可以放置在BE之間鉗位,也可以放置在CE之間進(jìn)行反向鉗位。
對于開關(guān)電路如圖4.1右,VCC應(yīng)該不超過VCEO的80%,也就是20V。
4.2電流參數(shù)
對于開關(guān)三極管,負(fù)載電流受外部電路條件限制,Ic=(Vcc-Vcesat)/Rc,該電流不應(yīng)該超過極值電流的一半,也就是1.5/2=0.75A。
如果我們將Ic電流設(shè)置為0.75A,那么此時需要考慮Ib電流不能太小,Ib=(Vbb-Vbesat)/Rb。要求電路在最小的DC Gain情況下也能夠保證進(jìn)入飽和狀態(tài),也就是hfe=40,Ib>0.75A/40=18mA。
4.3損耗參數(shù)
考慮到三極管的散熱,Pd=Vcesat*Ic=0.5V*0.75A=0.375W,發(fā)現(xiàn)該功率超出了三極管的散熱能力,同時根據(jù)熱阻計算得到溫升為:0.375W*417C/W=156C,嚴(yán)重超出了半導(dǎo)體的驅(qū)動能力,需要重新進(jìn)行計算!
現(xiàn)在我們將電流下降10倍,也就是75mA,由計算可以得到Ib>1.8mA,功率損耗為0.0375W,溫升為0.0375W*417C/W=15.6C,假設(shè)環(huán)境溫度最高為85C,那么三極管的結(jié)溫Tj=85C+15.6C=100.6C,距離規(guī)格書的150C結(jié)溫限值還有50C的余量,滿足要求。
從以上的計算中我們也可以看出SS8050 僅擁有信號電路的負(fù)載驅(qū)動能力,無法作為功率開關(guān)進(jìn)行使用!
圖4.1 SS8050 三極管規(guī)格
參考資料:
- https://blog.csdn.net/Naiva/article/details/90045788
- 《電子技術(shù)基礎(chǔ)》(模擬部分),第四版
- https://zhuanlan.zhihu.com/p/541139096
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