有沒(méi)有同學(xué)好奇,作為模擬芯片設(shè)計(jì)師,幾乎都在用CMOS工藝,大部分電路也是用的MOSFET,很少用BJT去設(shè)計(jì)大規(guī)模電路,那么,到底應(yīng)該對(duì)BJT這種device掌握到什么level呢?
其實(shí)我也不能下定論,我就說(shuō)說(shuō)我的掌握程度吧。
當(dāng)然BJT基本的工作原理肯定要掌握的。
本文談一談BJT這個(gè)device、以及模擬IC設(shè)計(jì)師眼中對(duì)BJT的了解程度(只用過(guò)CMOS工藝的模擬IC設(shè)計(jì)師)。
BJT即三極管,分為PNP和NPN型,簡(jiǎn)單示意圖如下圖所示。
NPN和PNP
以NPN為例,其剖面圖如下圖,PNP的剖面圖想必你肯定也知道了。
NPN的剖面圖
說(shuō)到這里,大家是不是好奇,具體到某一種工藝中,BJT的剖面圖會(huì)是什么樣子的?
讀研三年和工作幾個(gè)月,我只用過(guò)一種工藝,那就是大家都知道的CMOS工藝。
其實(shí),“正宗”的BJT應(yīng)該是用Bipolar工藝制造的。但是現(xiàn)實(shí)用這種工藝不多,很多年前,確實(shí)會(huì)用這種工藝,由于Bipolar工藝process繁多,價(jià)格也比CMOS工藝貴,集成度也遠(yuǎn)輸于CMOS,慢慢大家都不怎么用Bipolar工藝了。
在CMOS工藝中,BJT的制作和Bipolar不同,可以說(shuō),CMOS工藝中,不是“正宗”的BJT device,而是一種寄生的BJT。
不知道有沒(méi)有認(rèn)真的同學(xué)發(fā)現(xiàn),你所用的單純的CMOS工藝中,只有PNP的BJT而沒(méi)有NPN的BJT?
在沒(méi)有DNW的CMOS工藝中,的確如此,且一般是縱向的寄生PNP三極管。why?
因?yàn)椋瑳](méi)有DNW的工藝中,只有全局P-sub是和P+是P型半導(dǎo)體,這里P-sub充當(dāng)PNP的一個(gè)“P”,即集電極,P+充當(dāng)PNP的另一個(gè)“P”,即發(fā)射極,n-well充當(dāng)PNP的“N”,即基極,而不是Bipolar工藝真正意義上的N和P。
PS:至于為什么是縱向的而不是橫向的PNP,原因作者也布吉島啦。
這里,全局P-sub襯底永遠(yuǎn)接VSS。
CMOS工藝中的縱向寄生PNP
看到這里,知道為什么普通CMOS工藝沒(méi)有NPN了嗎?
NPN正常工作的時(shí)候,基極發(fā)射極電壓Vbe應(yīng)大于其開(kāi)啟電壓,也就是說(shuō)基極電位大于0,但是CMOS工藝中p-sub永遠(yuǎn)是VSS不可能大于0,因此p-sub是不能做NPN的基極的。
有同學(xué)會(huì)問(wèn)了,能不能用兩個(gè)n-well做NPN的兩個(gè)“N”,用P+做NPN的“P”呢?
答案是不能。why?n-well外面的P+就是襯底接觸,也是接VSS的。
這里,建議有興趣的同學(xué)可以仔細(xì)畫(huà)一畫(huà)這些寄生BJT的剖面圖,結(jié)合CMOS工藝的特點(diǎn)進(jìn)行分析,牢記BJT中遵循發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏的原理,看看在CMOS工藝中能否實(shí)現(xiàn)。
那么CMOS工藝中,就不能有PNP device了嗎?肯定不是。
在有DNW的CMOS工藝中或者有雙P-well的CMOS中,是可以有寄生的NPN的。
在DNW工藝中,DNW本身就是用來(lái)制造隔離的NMOS,DNW的存在使得NMOS的P襯底是”本地“的,即可以不接到全局p-sub上,因此就有了NPN中的基極"P"。
而在擁有雙P-well的CMOS的工藝中,多出來(lái)的P-well充當(dāng)NPN的基極"P",如下圖:
淺阱NPN的剖面圖
但是,雙P-well,相比傳統(tǒng)CMOS,多了一層淺P阱mask,增加了成本。
在CMOS工藝中,縱向寄生PNP的β值不會(huì)很大,一般不會(huì)超過(guò)10,具體數(shù)據(jù)可查看PDK中關(guān)于Bipolar的擬合數(shù)據(jù)。為什么β很小,我們知道,基區(qū)的厚度越大,β越小。在CMOS工藝中,也就是n-well的厚度,是較大的,因此β會(huì)很小,然而這個(gè)厚度是我們designer不可控的,是由foundry決定的。
到現(xiàn)在為止,作為模擬IC設(shè)計(jì)師,我只在bandgap中用過(guò)BJT,而且用的也不是其對(duì)基極電流的放大作用,而是兩個(gè)BJT的Vbe差值與溫度成正比這個(gè)特性,如下圖。
PTAT電壓產(chǎn)生電路
mentor說(shuō),在ESD電路中,基本都是二極管和MOS,BJT幾乎不用。
因此,到現(xiàn)在為止,我對(duì)BJT的了解可以說(shuō)很少,不多,但知道BJT的工作原理,足夠在CMOS工藝中進(jìn)行電路設(shè)計(jì),畢竟latch up效應(yīng)或者ESD中的GGNMOS和GGPMOS用到的寄生BJT的特性。
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