R課堂 | 小型低損耗肖特基勢(shì)壘二極管“RBR/RBQ系列”的產(chǎn)品陣容進(jìn)一步擴(kuò)大

RBR系列：低損耗且效率更高，用更小封裝實(shí)現(xiàn)同等性能

ROHM的小型高效率肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）產(chǎn)品在車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等眾多應(yīng)用中擁有出色的應(yīng)用實(shí)績(jī)，此次，其產(chǎn)品陣容中又新增了12款“RBR系列”產(chǎn)品和12款“RBQ系列”產(chǎn)品。至此，這兩個(gè)系列的產(chǎn)品陣容總計(jì)已達(dá)178款產(chǎn)品。另外，這兩個(gè)系列中均有符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品。

隨著各種應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)更低損耗的要求提高，與其他二極管相比，正向電壓V_F（以下簡(jiǎn)稱“V_F”）更低的低損耗SBD應(yīng)用越來(lái)越廣泛。然而，如果為了降低損耗而降低V_F，則具有權(quán)衡關(guān)系的反向電流I_R（以下簡(jiǎn)稱“I_R”）會(huì)變大，熱失控的風(fēng)險(xiǎn)會(huì)增加，因此，在SBD選型過程中，很重要的一點(diǎn)是需要根據(jù)用途和目的對(duì)V_F特性與I_R特性進(jìn)行平衡考量。

ROHM進(jìn)一步增強(qiáng)了滿足V_F特性和I_R特性平衡需求的SBD產(chǎn)品陣容，并致力于擴(kuò)充支持更大電流、更高電壓和小型化的產(chǎn)品陣容。此次擴(kuò)充產(chǎn)品陣容的RBR系列具有I_R得到抑制且V_F更低的特點(diǎn)，有助于降低損耗。同樣，RBQ系列通過平衡V_F特性和I_R特性，可降低熱失控的風(fēng)險(xiǎn)。

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下面介紹RBR系列的亮點(diǎn)。

RBR系列的亮點(diǎn)1

具有低V_F特性，損耗更低

RBR系列不僅保持了與低V_F特性存在權(quán)衡關(guān)系的低I_R特性，與相同尺寸的ROHM以往產(chǎn)品相比，V_F降低約25%，損耗更低，不僅非常適用于要求更高效率的車載充電器等車載設(shè)備，還非常適用于要求更節(jié)能的筆記本電腦等消費(fèi)電子設(shè)備。

另外，與同等性能產(chǎn)品相比，RBR系列的芯片尺寸更小，使得ROHM小型封裝的產(chǎn)品陣容得以進(jìn)一步擴(kuò)充。例如，以往3.5mm×1.6mm尺寸（PMDU封裝）的產(chǎn)品，現(xiàn)在可以替換為RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封裝）的產(chǎn)品，這樣可以減少約42%的安裝面積。

RBR系列的亮點(diǎn)2

新增的小型封裝產(chǎn)品有助于進(jìn)一步節(jié)省空間

在RBR系列中，此次新增了12款2.5mm×1.3mm的PMDE封裝產(chǎn)品（消費(fèi)電子設(shè)備和車載領(lǐng)域各6款）。至此，該系列已經(jīng)擁有140款產(chǎn)品（耐壓：30V/40V/60V，電流：1A～40A），豐富的產(chǎn)品陣容可以滿足節(jié)省空間乃至降低損耗的需求。

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應(yīng)用示例

• 車載充電器

• LED前照燈

• 汽車配件

• 筆記本電腦

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