氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

氮化鎵被譽(yù)為最新一代的半導(dǎo)體材料，發(fā)展和應(yīng)用的潛力巨大。氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍，擊穿場強(qiáng)高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導(dǎo)率高2倍。這些性能提升帶來的一些優(yōu)勢就是氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件，同時體積還更小，功率密度還更大。

什么是氮化鎵技術(shù)

1、氮化鎵技術(shù)是指一種寬能隙半導(dǎo)體材料；

2、相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，氮化鎵能夠提供顯著的優(yōu)勢來支援功率應(yīng)用

3、采用氮化鎵技術(shù)也容許更多精簡元件的設(shè)計以支援更小的尺寸外觀；

氮化鎵技術(shù)可提供什么：

1、氮化鎵技術(shù)可提供高效節(jié)能；

2、精簡元件的設(shè)計以支援更小的尺寸外觀；

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

氮化鎵被譽(yù)為最新一代的半導(dǎo)體材料，發(fā)展和應(yīng)用的潛力巨大。氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍，擊穿場強(qiáng)高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導(dǎo)率高2倍。這些性能提升帶來的一些優(yōu)勢就是氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件，同時體積還更小，功率密度還更大。

一個更加直觀的例子是，假如所有電器都換成氮化鎵材質(zhì)，整體用電量將會減少20%。

根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，半導(dǎo)體材料也經(jīng)歷了三代：

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料。目前市場上還是以硅材料占據(jù)絕大部分比例。

第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等。

第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg》2.3eV）半導(dǎo)體材料。

第三代半導(dǎo)體中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是核心。前者目前應(yīng)用更廣泛，后者被寄予厚望。

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