本應(yīng)用筆記介紹如何正確測試包含DS2786開路電壓電池監(jiān)測器的電路板。提供了分步測試程序,可以遵循該程序以確保電路板已正確組裝.此外,本筆記還指導(dǎo)讀者在DS2786組裝到電路板上后如何正確編程EEPROM。
介紹
基于開路電壓(OCV)的DS2786電量計出廠時,默認(rèn)的OCV曲線和默認(rèn)配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應(yīng)特定應(yīng)用,可能需要對DS2786的EEPROM進(jìn)行重新編程。本應(yīng)用筆記介紹如何對EEPROM進(jìn)行編程和測試組裝好的電路板。
執(zhí)行板級測試
以下是在最終組裝到電池組之前如何對基于DS2786的OCV板進(jìn)行生產(chǎn)測試的示例。圖1所示為利用DS2786所有功能的電路板原理圖示例。所有關(guān)鍵測試點(diǎn)(有7個)在圖中用圓圈數(shù)字表示。測試流程假設(shè)電路的所有分立元件都已經(jīng)過測試,因此,目標(biāo)是通過驗(yàn)證連接來驗(yàn)證電路板是否已正確組裝。
圖1.必須驗(yàn)證的電路板節(jié)點(diǎn)。
測試 1:測試初始化。該測試的目的是確定電路板上是否有任何直接短路并驗(yàn)證通信。在此步驟中成功與設(shè)備通信以讀取電壓寄存器可驗(yàn)證SDA和SCL連接(節(jié)點(diǎn)1)以及Pack+到VDD引腳(節(jié)點(diǎn) 2)和 V 形封裝黨衛(wèi)軍引腳(節(jié)點(diǎn) 3)連接。此外,通過讀取此步驟中的電壓寄存器并確認(rèn)它是有效的測量值,連接到 V在可以驗(yàn)證引腳(節(jié)點(diǎn) 4)。
Force 4.0V from Pack+ to Pack- | ||
等待 880 毫秒。 | 等待電壓轉(zhuǎn)換。 | |
讀取電壓寄存器: | 2 字節(jié)。 | |
如果無法通信,則失敗板。 | ||
如果電壓讀數(shù)不準(zhǔn)確,則使電路板失效。 |
測試 2:驗(yàn)證 SNS(節(jié)點(diǎn) 5)。與SNS引腳的連接可以通過有效的電流測量進(jìn)行驗(yàn)證。
Force 4.0V from Pack+ to Pack- | ||
Force 1.0A from Pack- to System VSS. | ||
等待 880 毫秒。 | 等待當(dāng)前轉(zhuǎn)換。 | |
讀取當(dāng)前寄存器: | 2 字節(jié)。 | |
如果當(dāng)前讀數(shù)不準(zhǔn)確,則使電路板失效。 |
測試 3:驗(yàn)證輔助輸入 AIN0 和 AIN1(節(jié)點(diǎn) 6)。與 AIN0 和 AIN1 引腳的正確連接可以通過有效的電阻測量進(jìn)行驗(yàn)證。此測試是可選的。
將一個 10kΩ 電阻從包裝 ID 端子連接到包裝。 | ||
將一個 10kΩ 電阻從 Therm 端子連接到 Pack-。 | ||
強(qiáng)制 4.0V 從包 + 到包-。 | ||
等待 880 毫秒。 | 等待輔助輸入轉(zhuǎn)換。 | |
閱讀 AIN0 和 AIN1: | 4 字節(jié)。 | |
如果 AIN0/AIN1 讀數(shù)不準(zhǔn)確,則使電路板失效。 |
測試 4:驗(yàn)證 VPROG 并對 EEPROM(節(jié)點(diǎn) 8)進(jìn)行編程。為了對DS2786的EEPROM進(jìn)行編程,需要一個測試點(diǎn)將編程電壓連接到VPROG引腳。通過編寫和復(fù)制 EEPROM 并驗(yàn)證 EEPROM 是否已更新來驗(yàn)證此連接。電流偏移偏置寄存器(COBR)包含在EEPROM中,因此在對EEPROM進(jìn)行編程之前校準(zhǔn)COBR可能是有益的。
Force 4.0V from Pack+ to Pack-. | |
校準(zhǔn)COBR。 | 如果需要。詳情見下文。 |
寫入參數(shù) EEPROM 塊: | 32 字節(jié)。 |
將參數(shù)復(fù)制到 EEPROM 中。 | |
等待 14 毫秒。 | 等待EEPROM復(fù)制。 |
將 0xFFh 寫入?yún)?shù)塊: | 31 字節(jié)(不是內(nèi)存地址 0x7Dh)*。 |
從EEPROM召回參數(shù)。 | |
讀取參數(shù)EEPROM模塊: | 32 字節(jié)。 |
如果從EEPROM讀取的所有32字節(jié)與最初寫入的32字節(jié)不匹配,則失敗板。 |
*請勿將 0xFFh 寫入內(nèi)存地址 7Dh,否則從地址將更改,設(shè)備將停止響應(yīng)當(dāng)前從地址。
校準(zhǔn)電流偏移偏置寄存器
電流失調(diào)偏置寄存器允許DS2786的電流測量值以25μV步長調(diào)整至+3.175mV至-3.2mV之間的任意值。COBR 的出廠默認(rèn)值為 0x00h。下面列出了校準(zhǔn)電路中DS2786電流失調(diào)的步驟:
為DS2786供電,確保檢測電阻上沒有電流流過。
將 0x00h 寫入 COBR(內(nèi)存地址 0x60h)。
等待 880 毫秒進(jìn)行下一個轉(zhuǎn)換周期。
讀取當(dāng)前寄存器。
盡可能多次重復(fù)步驟3和4以獲得平均電流讀數(shù)。
將平均電流讀數(shù)的相反值寫入COBR。
將值復(fù)制到 EEPROM(此步驟應(yīng)與將所有值復(fù)制到 EEPROM 結(jié)合使用)。
總結(jié)
正確驗(yàn)證組裝好的基于OCV的DS2786電量計需要測試電路中的每個焊接點(diǎn)。測試 1、2 和 3 可以合并為一個步驟,以減少測試時間,尤其是轉(zhuǎn)換時間的延遲。
此外,在測試期間對EEPROM進(jìn)行編程可以提供更有效的測試流程,并提供方便的時間施加將參數(shù)保存到EEPROM所需的編程電壓,包括電流偏移偏置。
審核編輯:郭婷
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