200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管:RBxx8BM200/RBxx8NS200

RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR（反向電流）的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），且實(shí)現(xiàn)了200V耐壓的肖特基勢(shì)壘二極管的新產(chǎn)品。此次新增加了8款機(jī)型，作為150V耐壓RBxx8系列的肖特基勢(shì)壘二極管的擴(kuò)展產(chǎn)品陣容。開(kāi)發(fā)的背景是為了降低200V耐壓應(yīng)用中的損耗（提高效率），實(shí)現(xiàn)小型化并提高可靠性（比如抗熱失控能力）。

主要目標(biāo)應(yīng)用是動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車(chē)載系統(tǒng)（xEV等）、工業(yè)設(shè)備逆變器、各種電源等。

超低IR、200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管RBxx8BM200 / RBxx8NS200的亮點(diǎn)

降低SBD的IR，溫度特性顯著改善

在高溫環(huán)境下使用的電源和車(chē)載設(shè)備領(lǐng)域，將整流二極管和FRD替換為VF更低、損耗＝發(fā)熱量更少的SBD的需求越來(lái)越大。然而，隨著工作環(huán)境溫度的升高，SBD的IR呈增加趨勢(shì)，具有可能發(fā)生熱失控的問(wèn)題。

RBxx8系列作為SBD系列產(chǎn)品，通過(guò)采用非常適用于高溫環(huán)境工作的阻擋金屬，實(shí)現(xiàn)了超低IR和良好的溫度特性。新產(chǎn)品RBxx8BM200 / RBxx8NS200實(shí)現(xiàn)了200V耐壓，在200V耐壓的應(yīng)用中也可以取代FRD，使用本系列產(chǎn)品，不僅可以改善效率，還無(wú)需擔(dān)心熱失控問(wèn)題。

取代200V耐壓應(yīng)用中的FRD，改善效率

RBxx8BM200 / RBxx8NS200實(shí)現(xiàn)了200V耐壓，因此可以將需要200V耐壓的應(yīng)用中的FRD替換為SBD。與FRD相比，RBxx8BM200 / RBxx8NS200的VF可降低約11％，因此可降低損耗并改善應(yīng)用的效率。

發(fā)熱量更低，可采用小型封裝以削減安裝面積

與以往產(chǎn)品相比，二極管部的VF更低，可抑制發(fā)熱量，因此可實(shí)現(xiàn)更加小型的封裝設(shè)計(jì)。

目前采用的是TO-252（DPAK）和TO-263S（D2PAK）封裝，同時(shí)也在開(kāi)發(fā)中等功率封裝產(chǎn)品。未來(lái)，曾經(jīng)使用的5.9×6.9mm尺寸的FRD產(chǎn)品可以被替換為2.5×4.7mm的小型封裝，安裝面積可削減71%。

RBxx8BM200 / RBxx8NS200的產(chǎn)品陣容

目前，200V耐壓的新產(chǎn)品已經(jīng)推出8款肖特基勢(shì)壘二極管機(jī)型。RBxx8系列的肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容已多達(dá)212款機(jī)型。

產(chǎn)品型號(hào)	封裝	絕對(duì)最大額定值	電氣特性	支持車(chē)載 AEC-Q101	等效 電路圖
VRM [V]	IO [A]	Tj Max. [℃]	VF Max. [V]	IF [A]	IR Max. [μA]	VR [V]
RB088BM200	TO-252 (DPAK)	200	5A ×2	150	0.86	5	8	200	–
RB088BM200FH	○
RB218BM200	10A ×2	10	15	–
RB218BM200FH	○
RB088NS200	TO-263S (D2PAK)	5A ×2	5	8	–
RB088NS200FH	○
RB218NS200	10A ×2	10	15	–
RB218NS200FH	○

審核編輯黃宇