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LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例

王婷 ? 來源:一巷清苑 ? 作者:一巷清苑 ? 2023-02-10 09:41 ? 次閱讀

從本文開始將介紹在具體應用中效率等的改善案例。

LED照明電路(臨界模式PFCDC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例

下面的電路摘自實際LED照明電路的相關部分。該LED驅動電路是DC/DC轉換器通過臨界模式(BCM)的PFC向LED供電的。

pYYBAGPbje6ANfH7AACXFGoNTv0644.gif

下面將介紹在該電路中改變PFC部的開關MOSFET、DC/DC轉換器部的開關MOSFET、以及其柵極電阻RG,并對效率和噪聲進行比較的情況。

原設計使用的超級結MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)標記為“Original”??紤]到噪聲問題,Original的RG采用100Ω。對此,將PFC及DC/DC轉換器的開關替換為三種SJ MOSFET,RG也嘗試了100Ω和50Ω兩種方案。MOSFET采用高速開關型R5207AND,以及新一代產品R6004END和R6004END,噪聲均得以降低。

下表中黃色高亮表示效率高于Original,綠色高亮表示最高效率。獲得的結論是PFC采用R5207AND、DC/DC轉換器采用R6004END的組合效率最佳,RG為50Ω時的效率更高(3種SJ MOSFET的組合共有9組結果,效果不好的已被省略)。與Original相比,效率提高了1%左右。效率是電路整體的效率。

pYYBAGPbje-AL1P7AAFrW-TVV6k688.gif

另外,請看下面DC/DC轉換器部的噪聲特性。數(shù)據(jù)是Original與效率最好的R6004END/50Ω的比較數(shù)據(jù)。

pYYBAGPbjfGADZImAACTeVwauS4600.gif

Original的開關速度比較快,因此采用100Ω的RG作為噪聲對策比較妥當,不過低噪聲的R6004END在RG為50Ω時即使提高開關速度后噪聲也比Original低,可在提高效率的同時降低噪聲。

下面比較一下PFC部和DC/DC轉換器部的波形,以確認其原因。PFC部的波形如下。

pYYBAGPbjfKAHPSTAAETh1kETBQ729.gif

在PFC部,R5207AND的效率最高,由于在該范圍無法判別,所以進行了放大。

pYYBAGPbjfSAI6F4AAEYpO1r36I278.gif

相對于Original,轉換為導通的時間R6004END和R5207AND略慢。然后是轉換為關斷的情況。

poYBAGPbjfaAf2PfAAEZz08eXGM898.gif

從圖中可以看出,R6004END和R5207AND轉換為關斷的時間更快,更急劇??梢哉J為這點可降低開關損耗,有助于提高效率。接下來是DC/DC轉換器部的開關波形。

pYYBAGPbjfiAAeSrAAG6Xj8NvxA315.gif

對Original與效率較高的R6004END和R5207AND進行了比較。R6004END還給出了RG為50Ω時的波形。同樣,對導通、關斷波形進行放大。

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R6004END轉換為導通的時間最快,RG=50Ω時更快。

poYBAGPbjfyAHu3MAAG4_b358fQ016.gif

轉換為關斷的時間在RG=100Ω時R6004END最慢,但在RG=50Ω時則變?yōu)樽羁?。通過這些比較,可以認為R6004END+RG=50Ω的轉換最快,因此有助于減少開關損耗并提高效率。

當PFC采用R5207AND、DC/DC轉換器采用R6004END時,開關損耗略有減少,兩種因素疊加可使效率提高1%左右。另外,在開關損耗降低的同時,噪聲也得以改善。綜上所述,通過重新探討開關MOSFET的特性和柵極電阻,可同時改善效率和噪聲,因此,與上一篇、上上篇中提到的二極管相同,MOSFET的特性也需要充分進行探討和確認。

審核編輯:湯梓紅


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