DS1870的查找表結構

本應用筆記說明了DS1870 LDMOS RF功率放大器偏置控制器從輸入到輸出的控制通路，并討論了內部校準過程。

概述

DS1870用于偏置RF功率放大器，本應用筆記舉例說明如何使用其二維查找表。

輸入至輸出通路

圖1給出了檢測輸入至電位器抽頭位置輸出設置的通路。

圖1.

所有輸入是以地為參考的單端輸入，本范例中兩個非常重要的信號是：ID1和片內溫度傳感器，這些模擬信號經過復用器送入A/D轉換器(ADC)模擬端的可編程增益級。經過ADC量化后，失調校準作用到ADC的數(shù)字部分，通過下面的校準過程可以編程設置增益和失調校準(縮放比例)，每路信號有自己的增益和失調比例系數(shù)。到目前為止所得到的數(shù)值可用作二維查找表的索引指針，一個表格以溫度值為索引，另一個表格以ID1為索引。隨著指針從一個位置移到另一個位置，對應寄存器中的內容通過總線送入累加器。累加器在對應于溫度和ID1的更改時間對兩個寄存器的數(shù)值進行求和，求和結果表示電位器中心抽頭的位置。

注意：ID1可以是任何一個電壓信號，可以表示電流、外部溫度或任何一個其它變量。

比例調節(jié)與校準

校準時，通過對增益和失調的設置對每路信號進行比例調節(jié)，可分別調節(jié)ID1、ID2、VD...，無論它們低于250mV還是高于2.5V，優(yōu)化使用A/D轉換器。

有關輸入變量的校準在數(shù)據(jù)資料第12頁“電壓監(jiān)視器校準”給出了詳細解釋，本文給出了進一步的說明。從本質上講，它是一個重復進行的2點校準(低、高，低、高)，對每一點(低模擬輸入/低數(shù)字輸出，高模擬輸入/高數(shù)字輸出)，通過后續(xù)的量化對比例(增益)寄存器(第17頁表1中的寄存器)的每一位進行調整。

處理流程為：設置失調寄存器為0h >>> 啟動循環(huán){設置模擬輸入為0，讀量化值Meas1 >>> 設置模擬輸入為0.225 (范例中，F(xiàn)S = 0.25)，

讀量化值Meas2 >>> 如果(Meas2 - Meas1) > 所期望的差值：CNT2 - CNT1，

則比例寄存器的MSB為0，否則為1 } >>> 重復下一循環(huán)，直到獲得比例寄存器中所有比特的設置。

完成最后一位設置后，將輸入置0，設置失調寄存器。

注意：上述操作將模擬輸入置0并不是必須的，它是測量參數(shù)(電流、溫度)的“實際”最小數(shù)值。所期望的差值表示你所期望調節(jié)的數(shù)字縮放比例的差值(CNT2 - CNT1)，給定90°滿量程模擬輸入差值。除非受某個監(jiān)控量的限制，否則，你可以通過選擇斜率覆蓋最寬的范圍，這將使你的LUT控制工作在最佳狀態(tài)(參考表6和VD通道最大值FE00h的注釋，以及ID1、ID2通道的7E00h)。例如，如果已知電流不會超過2A，你可以設置所期望的差值為7166h (7E00h × 0.9)，代表1.8A (2 × 0.9)。

審核編輯：郭婷