了解實(shí)例,就可以深入理解其重要性
大家好!我是ROHM的稻垣。
第15篇將具體介紹電磁兼容性(EMC)現(xiàn)象。本文的主角也是半導(dǎo)體集成電路(IC)。
首先是電磁干擾(EMI: Electromagnetic Interference,發(fā)射)的一個(gè)例子。假設(shè)這是半導(dǎo)體集成電路(IC)使用開關(guān)技術(shù)工作、并且印刷電路板(PCB)上的EMC措施不充分的情況。如果EMI濾波器的設(shè)計(jì)不好,比如低通濾波器(LPF)的截止頻率高于開關(guān)頻率的1/10,在這種情況下,如果使半導(dǎo)體集成電路(IC)工作,則可能會發(fā)生:
?其周圍配置的AM/FM收音機(jī)功能的接收靈敏度變差,并且會出現(xiàn)嗶嗶嘎嘎之類的噪聲
?通過Bluetooth連接的設(shè)備斷開連接
等現(xiàn)象。
接下來是電磁敏感性(EMS: Electromagnetic Susceptibility, 抗擾度)的一個(gè)例子。這是半導(dǎo)體集成電路(IC)附近有電磁噪聲、而且這種噪聲帶來不良后果的一種情況。該示例也是假設(shè)印刷電路板(PCB)上的EMC措施不足的情況:沒有噪聲濾波器,或者即使有,其頻率特性也不能充分抑制電磁噪聲。在這種情況下,可能會發(fā)生:
?差分運(yùn)算放大器(Op Amp)的工作點(diǎn)通常應(yīng)該是VCC(電源電壓)/2的偏置電壓,但卻會變?yōu)閂CC附近或GND附近的電壓。
?在數(shù)據(jù)通信用半導(dǎo)體集成電路(IC)的數(shù)據(jù)收發(fā)過程中,只在產(chǎn)生電磁噪聲時(shí)接收到的數(shù)據(jù)會發(fā)生反轉(zhuǎn)
?在低電壓數(shù)字電路(包括CPU和存儲器)中,只在產(chǎn)生電磁噪聲時(shí)控制邏輯引發(fā)錯(cuò)誤
等問題。
可能單憑上一篇中符合/不符合電磁兼容性(EMC)國際標(biāo)準(zhǔn)的描述很難具體理解,但通過實(shí)際的例子,就可以理解這些問題都與嚴(yán)重的干擾和誤動作息息相關(guān)。因此,與電磁兼容性(EMC)相關(guān)的現(xiàn)象是非常重要的,尤其對于航空航天、醫(yī)療、車載等可能會有生命危險(xiǎn)的產(chǎn)品和元器件來說,這類情況是絕對不能發(fā)生的。正是為了進(jìn)行充分的驗(yàn)證并提供安全放心的產(chǎn)品和元器件,從元器件制造商到終端產(chǎn)品制造商,各行各業(yè)的工程師們都在努力研究電磁兼容性(EMC)。
那么為什么直到如今電磁兼容性(EMC)還是如此受關(guān)注呢?
對于電磁干擾(EMI)來說,與工作頻率的日益提高有很大關(guān)系。與很久以前100MHz被視為超高速的時(shí)代不同,如今產(chǎn)品工作頻率為1GHz~10GHz的情況并不少見。當(dāng)然,其諧波分量是電磁干擾(EMI)的源頭,因此電磁干擾(EMI)的頻段范圍變得更寬。此外,頻率越高,越容易產(chǎn)生輻射,因此需要更加注意。
對于電磁敏感性(EMS)來說,電源電壓下降是影響因素之一。5V邏輯和0.9V邏輯相比,它們的H電壓和L電壓之間的電壓差(VIH/VIL)完全不同。如果電源電壓低,對電磁噪聲的抵抗力就會降低。
而且,構(gòu)成半導(dǎo)體集成電路(IC)的元器件數(shù)量也逐年增加。如今是在一枚硅芯片上能夠配置5億~10億個(gè)晶體管的時(shí)代了。因此,出現(xiàn)電磁兼容性(EMC)問題的位置更多,概率也更高。隨著微細(xì)化和高度集成化的發(fā)展,根據(jù)摩爾定律,未來,只要半導(dǎo)體集成電路(IC)的集成度繼續(xù)提高,電磁兼容性(EMC)問題就會繼續(xù)惡化。
在現(xiàn)場,工程師們已經(jīng)深切意識到,過去不用格外注意電磁兼容性(EMC)也沒有問題,但是對于最近的產(chǎn)品和元器件來說,一旦不好好處理電磁兼容性(EMC)問題,就會產(chǎn)生嚴(yán)重的后果。因此準(zhǔn)確地說,現(xiàn)在的狀況不是“正在關(guān)注”而是“不得不關(guān)注”,這樣說可能更接近現(xiàn)實(shí)。
從下一篇開始,我打算開始介紹“EMC計(jì)算方法和EMC仿真”,這是與電磁兼容性(EMC)的設(shè)計(jì)和深入實(shí)踐相關(guān)的實(shí)用內(nèi)容。敬請期待!
感謝您閱讀本文。
審核編輯黃宇
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