RISC-V MCU將常量定義到指定的Flash地址

Keil MDK開發(fā)ARM 內(nèi)核的MCU時(shí)，將常量定義到指定的Flash地址中，使用 _ attribute _( at(絕對地址) ) 即可，如：

const u32 myConstVariable_1[128] __attribute__((at(0x08001000))) = {0x12345678,0x22221111};//定位在flash中,其他flash補(bǔ)充為0

沁恒RISC-V MCU ，通過Mounriver Studio(MRS)開發(fā)時(shí)，暫時(shí)不支持 _ attribute _( at(絕對地址) ) 命令。可通過如下步驟實(shí)現(xiàn)：

1、編輯ld鏈接文件，添加SECTIONS段

.flash_test_address :
    {
        . = ALIGN(4);              /*4字節(jié)對齊*/
        . = ORIGIN(FLASH)+0x1000;  /*ORIGIN(FLASH)為 MEMORY定義的FLASH的起始地址（CH32V103為0x08000000），指定到從FLASH起始的0x1000長度的位置*/
        KEEP(*(SORT_NONE(.test_address_1)))  /*鏈接時(shí)*KEEP()可以使得被標(biāo)記段的內(nèi)容不被清除*/
        . = ALIGN(4);
    } >FLASH AT>FLASH

如需將變量定義到Flash的最后，將此段添加到 .text段后面，注意指定的Flash地址要大于程序編譯大小。

2、函數(shù)中使用__attribute__((section(".xxx")))定義常量

2.1 定義單字節(jié)常量

const uint8_t myConstVariable_1 __attribute__((section(".test_address_1"))) = 0x11;/*地址為0x00001000*/

查看map文件，常量地址如下:

sections .flash_test_address段中以 4字節(jié)對齊 ，其余3字節(jié)補(bǔ)0。

二進(jìn)制bin文件0x1000地址信息如下;

2.2 定義連續(xù)的多個(gè)單字節(jié)常量

const uint8_t myConstVariable_1 __attribute__((section(".test_address_1"))) = 0x11; /*地址為0x00001002*/
const uint8_t myConstVariable_2 __attribute__((section(".test_address_1"))) = 0x22; /*地址為0x00001001*/
const uint8_t myConstVariable_3 __attribute__((section(".test_address_1"))) = 0x33; /*地址為0x00001000*/

ld文件中flash_test_address 段默認(rèn)從指定地址開始為其分配連續(xù)的地址，查看map文件，常量地址如下:

二進(jìn)制bin文件0x1000地址信息如下;

2.3 定義多個(gè)不連續(xù)的常量

此時(shí)需要修改ld文件

.flash_test_address :
    {
        . = ALIGN(4);              /*4字節(jié)對齊*/
        . = ORIGIN(FLASH)+0x1000;  /*ORIGIN(FLASH)為 MEMORY定義的FLASH的起始地址（CH32V103為0x08000000），指定到從FLASH起始的0x1000長度的位置*/
        KEEP(*(SORT_NONE(.test_address_1)))  /*鏈接時(shí)*KEEP()可以使得被標(biāo)記段的內(nèi)容不被清除*/
        . = ORIGIN(FLASH)+0x1040;  /*ORIGIN(FLASH)為 MEMORY定義的FLASH的起始地址（CH32V103為0x08000000），指定到從FLASH起始的0x1040長度的位置*/
        KEEP(*(SORT_NONE(.test_address_2)))  /*鏈接時(shí)*KEEP()可以使得被標(biāo)記段的內(nèi)容不被清除*/
        . = ALIGN(4);
    } >FLASH AT>FLASH

在函數(shù)中定義兩個(gè)指定地址的常量

const uint8_t myConstVariable_1[8] __attribute__((section(".test_address_1"))) = {0x11,0x22,0x33,0x44}; /*首地址為0x00001000*/
const uint8_t myConstVariable_2[4] __attribute__((section(".test_address_2"))) = {0x55,0x66}; /*首地址為0x00001040*/

查看map文件，常量地址如下:

二進(jìn)制bin文件0x1000地址信息如下;

這樣指定的方式會造成中間段有56個(gè)字節(jié)的flash無法分配內(nèi)容，浪費(fèi)了 ，不建議這樣指定，如果實(shí)在要這樣做，需要嚴(yán)格把控，可根據(jù)間隔的大小，指定編譯后小于該間隔的函數(shù)存儲到該flash塊。

如指定函數(shù)Delay_Init編譯后存放test_address_1塊內(nèi)，緊跟定義的常量后。

/*******************************************************************************
* Function Name  : Delay_Init
* Description    : Initializes Delay Funcation.
* Input          : None
* Return         : None
*******************************************************************************/
__attribute__((section(".test_address_1"))) void Delay_Init(void)
{
    p_us=SystemCoreClock/8000000;
    p_ms=(uint16_t)p_us*1000;
}

Delay_Init函數(shù)編譯后的大小為0x2a，編譯后的map文件如下：

二進(jìn)制bin文件0x1000地址信息如下：

（新增的A2 4A 04 指令暫時(shí)不詳）