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提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度是當(dāng)今設(shè)計人員面臨的一個挑戰(zhàn),特別是考慮到中等負(fù)荷條件下(20%至50%)的效率。這種功率水平的電源需要功率因素校正(PFC)。使用無橋PFC來取代輸入整流橋可以提高效率。
通過在圖騰柱PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ,有可能實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率,因?yàn)樵谶@個功率水平上,開關(guān)頻率比其他方案高得多。了解安森美(onsemi)的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對高密度設(shè)計挑戰(zhàn),報名參加第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇,聽安森美專家傾情講述!
專家介紹
Jason Yu是安森美應(yīng)用方案工程中心的應(yīng)用工程師,主要負(fù)責(zé)AC/DC電源、大功率開關(guān)電源及數(shù)字電源在5G電信和數(shù)據(jù)通信的應(yīng)用。Jason Yu畢業(yè)于華南理工大,2020年加入安森美,擁有超過20年的電源涉及以及電力電子行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。
會前充電
在我們推送過的《設(shè)計指南 | 高功率密度的電源要怎么設(shè)計?》(點(diǎn)擊回顧)一文中,討論過一個300W、20V單相交流輸入電源的設(shè)計,該電源具有超過36W/in3的高功率密度,且滿載效率為94.55%。經(jīng)由NCP1680 圖騰柱 PFC 控制器控制由GaN集成驅(qū)動器驅(qū)動的前端PFC,后端由高頻LLC級配合輸出同步整流,以此來實(shí)現(xiàn)高功率密度。
產(chǎn)品推薦
安森美的混合信號控制器NCP1681專用于無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(TP PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該控制器以適用于達(dá)350 W設(shè)計的NCP1680的成功為基礎(chǔ),將功率能力擴(kuò)展到千瓦范圍。
該新的NCP1681高功率TP PFC控制器結(jié)合成熟的控制算法和新穎的功能,提供一個高性能和高性價比的TP PFC方案,也可滿足具挑戰(zhàn)的能效標(biāo)準(zhǔn),諸如“80Plus ”或“CoC Tier 2”等要求在廣泛的負(fù)載范圍內(nèi)提供高能效的標(biāo)準(zhǔn)。
除了TP PFC控制器外,安森美還提供各種SiC MOSFET和隔離門極驅(qū)動器,可用于圖騰柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和緊湊的芯片尺寸,確保低電容和門極電荷(Qg),在縮小的系統(tǒng)尺寸中提供極高能效,從而實(shí)現(xiàn)高功率密度。當(dāng)NCP1681與NCP51561電隔離門極驅(qū)動器一起使用時,可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的設(shè)計而不會犧牲開關(guān)性能。
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原文標(biāo)題:圖騰柱PFC和LLC電源如何應(yīng)對高密度設(shè)計的挑戰(zhàn)?
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