GTX314L，GTX312L觸摸芯片智能鎖設(shè)計(jì)建議

這份文檔是針對(duì)使用GTX314L,GTX312L芯片做智能鎖產(chǎn)品的時(shí)候的設(shè)計(jì)建議和注意事項(xiàng)，根據(jù)項(xiàng)目形態(tài)不同會(huì)略有差異，可以根據(jù)客戶實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整。

硬件設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：

1）VDD供電要穩(wěn)定，電池通過(guò)LDO后單獨(dú)拉線供電,建議不要和主控和其他芯片串在一起供電。

2）RIN 腳的電容掛10PF左右，智能鎖上現(xiàn)有客戶主要都是掛6.8PF和10PF為主。

3）芯片VDD電壓和外圍上拉的VDD要一致，不一致的時(shí)候和請(qǐng)單獨(dú)咨詢。

4）從芯片的SIN腳到按鍵焊盤的走線盡量短，SIN線和SIN線之間的間距越大越好，平行走線數(shù)量越少越好。

5）SIN線上的電阻靠近芯片，也可以根據(jù)版型情況去掉這個(gè)電阻。

6）SIN和RIN線的旁邊和底層不要有地，旁邊的地和底層的地要和SIN線的距離保持 0.5mm以上，越大越好，若是無(wú)法保證0.5mm以上間距的時(shí)候也可以縮短，請(qǐng)具體咨詢技術(shù)支持人員。

7）SIN線和天線的間距越大越好，SIN線和天線不管是在同一層或者不同層，平行走的距離越短越好，SIN線和天線在不同層之間可以交叉走線,SIN線和天線走線盡量不要重疊，稍微重疊一點(diǎn)沒(méi)關(guān)系,但不要完全重疊。

8）音頻線不要走芯片下面,晶振盡量不要放在芯片和按鍵焊盤背面。

軟件寄存器設(shè)置(電容式觸摸芯片-GTX314L為例)

本文檔中的寄存器設(shè)置針對(duì)普通的智能鎖設(shè)計(jì)，針對(duì)干擾大，走線密的產(chǎn)品除了本文中涉及到的設(shè)置方法以外還有一些隱藏的寄存器設(shè)置，當(dāng)遇到這種特殊的情況的時(shí)候可以單獨(dú)技術(shù)咨詢。

邏輯順序：上電初始化->進(jìn)入待機(jī)設(shè)置->喚醒時(shí)重新進(jìn)行上電初始化

軟件寄存器設(shè)置(電容式觸摸芯片-GTX312L為例)

GTX312L芯片的軟件部分由于GTX314L芯片比GTX312芯片多了兩個(gè)按鍵，所以只需要上電初始化的時(shí)候通過(guò)加0x05寄存器寫0F來(lái)關(guān)閉兩個(gè)通道即可，其他都一樣。

用GTX312L芯片PIN TO PIN替換TSM12方法：

如果客戶原來(lái)使用的是TSM12芯片，當(dāng)替換成GTX312L的時(shí)候需要做如下改動(dòng)：

1)原來(lái)TSM12原理圖中第15腳上的電阻換成5PF~10PF左右大小的電容。

2)原來(lái)TSM12原理圖中第16腳懸空處理。

3)如果客戶想改動(dòng)小就按上面1和2項(xiàng)處理，如果客戶想進(jìn)一步節(jié)省成本的話，可以把其他腳上的器件全部拿到,但是I2C上的10K上拉要保留。

除了上述寄存器以外GTX314L和GTX312L芯片還提供了更多豐富內(nèi)容的寄存器，根據(jù)項(xiàng)目不同，可以通過(guò)上述內(nèi)容和一些隱藏寄存器解決各種干擾引起的問(wèn)題，遇到這些技術(shù)問(wèn)題請(qǐng)來(lái)電咨詢。

審核編輯黃宇