晶能光電將發(fā)布全彩Micro LED模組，像素密度1000PPI

近日，央視《焦點訪談》欄目播出《強強聯(lián)合 補短“鍛”長》，聚焦國家石墨烯創(chuàng)新中心、國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心和國家超高清視頻創(chuàng)新中心三大國家級創(chuàng)新中心。晶能光電作為國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心的組建單位之一，接受了央視采訪。

晶能光電介紹，公司利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術，承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發(fā)，為虛擬現(xiàn)實硬件——AR眼鏡提供高性能的Micro LED光源產品，助力超小輕薄AR眼鏡面市。

據悉，出于對硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產業(yè)應用前景的看好，晶能光電早在2018年便開始硅襯底Micro LED的研發(fā)工作，并取得不少突破。

2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術，目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍三基色Micro LED陣列。目前，像素點間距這一重要技術指標已縮至8微米。

晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列（圖片來源：晶能光電）

據透露，晶能光電帶驅動的三基色Micro LED顯示模組將于今年晚些時候發(fā)布。隨著Micro LED技術及成本優(yōu)勢的放大，有望加速其在大屏、近眼顯示、車載等領域的大規(guī)模商用。

審核編輯 ：李倩